一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法技術

一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，該方法采用吸雜罐在單晶爐不停爐的狀態下對單晶爐內雜質底料進行吸取，具體操作為：在單晶爐拉棒后，保持單晶爐不停爐，先將吸雜罐抽成負壓狀態，然后將吸雜罐的吸雜管伸入單晶爐，利用壓力差將單晶爐內雜質底料吸入吸雜罐內，接著，將吸雜罐從單晶爐內取出，即可。該方法設計合理、易于操作，不需要單晶爐停爐，即可將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，既增加了單晶爐的單次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒間的質量差異性，大大提高了單晶爐的生產效率。

【技術實現步驟摘要】
一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法
本專利技術涉及單晶拉晶
，特別是一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法。
技術介紹
目前，單晶拉棒由于采用了二次加料的方式，較傳統的拉制一根棒停爐一次有顯著改善，現有技術一般可達到多根棒才停爐一次。但是，由于多次加料導致雜質富集在坩堝底部，因而拉制多根單晶棒后即無法再通過二次加料的方式進行繼續拉棒，需停爐清理，造成了無形的成本增加；并且，由于雜質的富集，拉制晶棒到三根以后，晶棒質量也會呈現明顯的降低趨勢。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是針對現有技術的不足，提供一種能夠在線將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，有效增加拉棒量，并且顯著降低多次拉棒晶棒間質量差異性的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法。本專利技術所要解決的技術問題是通過以下的技術方案來實現的。本專利技術是一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，該方法采用吸雜罐在單晶爐不停爐的狀態下對單晶爐內雜質底料進行吸取，具體操作為：在單晶爐拉棒后，保持單晶爐不停爐，先將吸雜罐抽成負壓狀態，然后將吸雜罐的吸雜管伸入單晶爐，利用壓力差將單晶爐內雜質底料吸入吸雜罐內，接著，將吸雜罐從單晶爐內取出，即可。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，該方法使用的吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內貫穿罐體、并延伸至罐體的內部，在罐體內的吸雜管與罐體的內壁之間形成有便于盛裝雜質底料的吸雜腔室，在罐體內的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質底料進入吸雜腔室的吸雜間隙。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，所述罐體呈圓柱狀，密封板呈圓盤狀，吸雜管呈圓管狀。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，所述罐體的直徑為200-400mm，罐體的高度為250-400mm，罐體的厚度為8-20mm；密封板的厚度為10-40mm；吸雜管的總長度為280-400mm，罐體外的吸雜管的長度為70-150mm，吸雜管的內徑為10-20mm，吸雜管的厚度為8-30mm。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，吸雜管側的罐體的端部均設置有倒圓角。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，所述罐體、密封板、吸雜管均采用高純二氧化硅或氧化鋁制成。本專利技術所要解決的技術問題還可以通過以下的技術方案來進一步實現，對于以上所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，該方法中，在吸雜罐使用時，在吸雜罐上加裝有石墨外殼。與現有技術相比，本專利技術是針對單晶爐拉棒多次加料后，雜質富集無法拉制更多晶棒和后期晶棒質量降低的問題而設計的，通過此吸雜罐將拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，從而達到增加拉棒量的拉制目的，并且由于高雜質堝底料被吸出，多次拉棒晶棒間質量差異性顯著降低，綜合達到了降低拉晶成本和提高產品質量的目標；使用時，先將吸雜罐抽成負壓，然后將吸雜罐伸入單晶爐，利用氣壓差將單晶爐內的雜質底料吸入罐體內，從而完成單晶爐的快速除雜，便于繼續拉棒，實現單晶爐的不停爐除雜。該方法設計合理、易于操作，不需要單晶爐停爐，即可將單晶爐內拉棒后剩余的高雜質含量的堝底料吸出，既增加了單晶爐的單次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒間的質量差異性，大大提高了單晶爐的生產效率。附圖說明圖1為本專利技術使用的吸雜罐的結構示意圖。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦＠夹g中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。參照圖1，一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，該方法采用吸雜罐再單晶爐不停爐狀態下對單晶爐內雜質底料進行吸取，具體操作為：在單晶爐拉棒后，保持單晶爐不停爐，先將吸雜罐抽成負壓狀態，然后將吸雜罐的吸雜管3伸入單晶爐，利用壓力差將單晶爐內雜質底料吸入吸雜罐內，接著，將吸雜罐從單晶爐內取出，即可進行繼續拉棒。使用該方法，不需要對單晶爐進行停爐，在單晶爐拉棒后，即可迅速對單晶爐進行清理，便于單晶爐進行繼續加料拉棒，能夠增加每次單晶爐的拉棒量，并且顯著降低多次拉棒的晶棒之間的質量差異性，提高了拉棒成品率。該方法使用的吸雜罐包括罐體1，罐體1的一端采用密封板2密封，罐體1的另一端插裝有吸雜管3，吸雜管3的一端由外至內貫穿罐體1、并延伸至罐體1的內部，在罐體1內的吸雜管3與罐體1的內壁之間形成有便于盛裝雜質底料的吸雜腔室4，在罐體1內的吸雜管3的端部與密封板2之間形成有便于雜質底料進入吸雜腔室4的吸雜間隙5。罐體1的一端通過密封板2密封，另一端插裝吸雜管3，從而在罐體1內形成封閉的空間，只有吸雜管3一個進出口，從而便于利用吸雜管3伸入單晶爐內，利用壓力差，將單晶爐內的雜質底料從吸雜管3吸入，經過吸雜間隙5，進入吸雜腔室4內，從而實現對單晶爐的不停爐，提高單晶爐的拉棒量，保證單晶爐的拉棒質量；吸雜腔室4的設置，用于防止在吸雜管3拉出單晶爐時，雜質底料從罐體1內掉落，保證吸雜效果。所述吸雜管3垂直插裝在罐體1上，方便將吸雜管3與罐體1進行固定連接，也便于吸雜管3的使用，在將吸雜管3伸入單晶爐時，罐體1不容易與單晶爐發生碰撞。所述罐體1呈圓柱狀，密封板2呈圓盤狀，吸雜管3呈圓管狀，方便設計和制作，同時，便于將吸雜管3插入單晶爐內，對單晶爐內的雜質底料進行吸取。所述罐體1的直徑為200-400mm，罐體1的高度為250-400mm，罐體1的厚度為8-20mm；密封板2的厚度為10-40mm；吸雜管3的總長度為280-400mm，罐體1外的吸雜管3的長度為70-150mm，吸雜管3的內徑為10-20mm，吸雜管3的厚度為8-30mm；優選的，所述罐體1的直徑為300mm，罐體1的高度為300mm，罐體1的厚度為15mm；密封板2的厚度為30mm；吸雜管3的總長度為300mm，罐體1外的吸雜管3的長度為100mm，吸雜管3的內徑為15mm，吸雜管3的厚度為15mm。吸雜管3側的罐體1的端部均設置有倒圓角6，便于吸雜管3更好的插裝到單晶爐內，避免在將吸雜管3插入單晶爐內時，罐體1的端部與單晶爐發生碰撞，影響吸雜操作。所述罐體1、密封板2、吸雜管3均采用高純二氧化硅或氧化鋁制成。高純二氧化硅通常指二氧化硅中含有的金屬雜質總量小于十萬分之一，單個非金屬雜質含量小于十萬分之一，其用途主要是作集成電路封裝劑的填料和制造高純石英玻璃的原料。耐高溫：二氧化硅玻璃的軟化本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，其特征在于：該方法采用吸雜罐在單晶爐不停爐的狀態下對單晶爐內雜質底料進行吸取，具體操作為：在單晶爐拉棒后，保持單晶爐不停爐，先將吸雜罐抽成負壓狀態，然后將吸雜罐的吸雜管伸入單晶爐，利用壓力差將單晶爐內雜質底料吸入吸雜罐內，接著，將吸雜罐從單晶爐內取出，即可。/n

【技術特征摘要】
1.一種用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，其特征在于：該方法采用吸雜罐在單晶爐不停爐的狀態下對單晶爐內雜質底料進行吸取，具體操作為：在單晶爐拉棒后，保持單晶爐不停爐，先將吸雜罐抽成負壓狀態，然后將吸雜罐的吸雜管伸入單晶爐，利用壓力差將單晶爐內雜質底料吸入吸雜罐內，接著，將吸雜罐從單晶爐內取出，即可。


2.根據權利要求1所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，其特征在于：該方法使用的吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內貫穿罐體、并延伸至罐體的內部，在罐體內的吸雜管與罐體的內壁之間形成有便于盛裝雜質底料的吸雜腔室，在罐體內的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質底料進入吸雜腔室的吸雜間隙。


3.根據權利要求2所述的用于在線清理單晶爐內雜質底料的方法，其特征在于：所述罐體呈圓柱狀，密封板呈圓盤狀，...

【專利技術屬性】
技術研發人員：陳夢楠，劉明權，
申請(專利權)人：江蘇神匯新材料科技有限公司，江蘇潤弛太陽能材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：江蘇;32