公開了使用納米結構材料制造傳輸線的方法和制造該傳輸線的方法。使用納米結構材料的所述傳輸線包括：第一納米氟隆層，其由納米氟隆形成；第一絕緣層，其定位在所述第一納米氟隆層上方；第一圖案，其通過蝕刻形成在所述第一絕緣層上的第一導電層而形成；以及第一接地層，其定位在所述第一納米氟隆層下方。這里，納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】使用納米結構材料的傳輸線及其制造方法相關申請的交叉引用本申請要求于2018年8月31日提交的韓國專利申請No.2018-0103892的優先權和權益，其公開內容通過整體引用合并于此。
本專利技術涉及一種傳輸線，更具體地，涉及一種使用通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料的傳輸線以及制造該傳輸線的方法。
技術介紹
為了以小損耗傳輸或處理超高頻信號，低損耗和高性能傳輸線是必要的。通常，傳輸線處的損耗大致分為由金屬引起的導體損耗和由電介質引起的介電損耗。特別地，當電介質的介電常數較高時，由電介質引起的損耗增加，并且當電阻較大時，功率損耗增加。因此，為了制造用于傳輸超高頻信號的低損耗和高性能傳輸線，必須使用具有低介電常數和小損耗正切值的材料。特別地，為了有效地發送在5G移動通信網絡中使用的具有3.5GHz頻帶到28GHz頻帶中的頻率的信號，甚至在超高頻帶中具有低損耗的傳輸線的重要性也越來越增加。
技術實現思路
本專利技術旨在提供一種使用納米結構材料的傳輸線，該納米結構材料具有低介電常數并且能夠在該低介電常數下減小損耗正切值，以減小由電介質引起的傳輸線損耗。本專利技術還旨在提供一種使用通過靜電紡絲形成的納米結構材料制造傳輸線的方法，該納米結構材料具有低介電常數并且能夠在該低介電常數下減小損耗正切值，以減小由電介質引起的傳輸線損耗。根據本專利技術的一個方面，提供了一種使用納米結構材料的傳輸線。所述傳輸線包括：第一納米氟隆層，其由納米氟隆形成；第一絕緣層，其定位在所述第一納米氟隆層上方；第一圖案，其通過蝕刻形成在所述第一絕緣層上的第一導電層而形成；以及第一接地層，其定位在所述第一納米氟隆層下方。這里，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。所述第一圖案可以包括通過蝕刻所述第一導電層形成的接地線和信號線。所述傳輸線可進一步包括：第二納米氟隆層，其定位在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上，并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及第二接地層，其定位在所述第二納米氟隆層上。所述傳輸線可以進一步包括：第二納米氟隆層，其定位在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上，并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；第二接地層，其定位在所述第二納米氟隆層上；第三納米氟龍層，其定位在所述第二接地層上；第二絕緣層，其定位在所述第三納米氟龍層上；以及第二圖案，其通過蝕刻形成在所述第二絕緣層上的第二導電層而形成，并且所述傳輸線發送信號。所述第二圖案可以包括通過蝕刻所述第二導電層形成的接地線和被配置為發送信號的信號線。所述傳輸線可進一步包括：第四納米氟隆層，其定位在形成于所述第二絕緣層上的所述第二圖案上，并且所述第二絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及第三接地層，其定位在所述第四納米氟隆層上。所述第一絕緣層和所述第二絕緣層可以由聚酰亞胺(PI)形成，導電層可以由銅(Cu)形成。根據本專利技術的另一個方面，提供了一種使用納米結構材料制造傳輸線的方法。該方法包括：在第一絕緣層上形成第一導電層；通過蝕刻所述第一導電層來形成發送和接收信號的第一圖案；在由納米氟隆形成的第一納米氟隆層上方定位所述第一絕緣層；以及在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層。這里，納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。形成所述第一圖案可以包括通過蝕刻所述第一導電層形成接地線和信號傳輸線。所述方法可進一步包括：在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上定位第二納米氟隆層并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及在所述第二納米氟隆層上定位第二接地層。所述方法可進一步包括：在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上定位第二納米氟隆層并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；在所述第二納米氟隆層上定位第二接地層；在所述第二接地層上定位第三納米氟隆層；在所述第三納米氟隆層上定位第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成第二導電層；以及通過蝕刻所述第二導電層形成發送和接收信號的第二圖案。所述方法可進一步包括：在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上定位第二納米氟隆層并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；在所述第二納米氟隆層上定位第二接地層；在所述第二接地層上定位第三納米氟隆層；在第二絕緣層上形成第二導電層；通過蝕刻所述第二導電層形成發送和接收信號的第二圖案；以及在所述第三納米氟隆層上定位所述第二絕緣層。形成所述第二圖案可以包括通過蝕刻所述第二導電層形成信號傳輸線和接地線。所述方法可進一步包括：在形成于所述第二絕緣層上的所述第二圖案上定位第四納米氟隆層并且所述第二絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及將第三接地層結合到所述第四納米氟隆層。可通過使用粘合帶或粘合劑或使用其中將熱施加到粘合帶上的熱粘合的粘合來進行定位。附圖說明通過參照附圖詳細描述本專利技術的示例性實施例，本專利技術的上述和其它目的、特征和優點對于本領域普通技術人員將變得更加明顯，其中：圖1示出了一種通過靜電紡絲制造納米氟隆的設備的示例；圖2示出了帶狀線傳輸線的示例；圖3是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第一實施例的橫截面視圖；圖4是示出根據本專利技術的與第一納米氟隆層的粘合的傳輸線的橫截面視圖；圖5是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第二實施例的橫截面視圖；圖6是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第三實施例的橫截面視圖；圖7是示出根據本專利技術的與第二納米氟隆層610的粘合的傳輸線的橫截面視圖；圖8是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第四實施例的橫截面視圖；圖9是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第五實施例的橫截面視圖；圖10是示出根據本專利技術的使用納米結構材料的傳輸線的第六實施例的橫截面視圖；圖11示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第一實施例；圖12示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第二實施例；圖13示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第三實施例；圖14示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第四實施例；圖15a、圖15b和圖15c示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第五實施例；圖16a、圖16b、圖16c、圖16d和圖16e示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第六實施例；圖17a和圖17b示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第七實施例；圖18a、圖18b、18c和圖18d示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第八實施例；以及圖19a和圖19b示出了根據本專利技術的使用納米結構材料制造傳輸線的方法的第九實施例。具體實施方式在下文中，將參考所附附圖詳細描述本專利技術的示例性實施方式。由于說明書中公開的實施例和附圖中示出的部件僅僅是本專利技術的示例性實施例，并且不表示本專利技術的技術概念的整體，應當理解，在本本文檔來自技高網...
【技術保護點】
1.一種使用納米結構材料的傳輸線，該傳輸線包括：/n第一納米氟隆層，其由納米氟隆形成；/n第一絕緣層，其定位在所述第一納米氟隆層上方；/n第一圖案，其通過蝕刻形成在所述第一絕緣層上的第一導電層而形成；以及/n第一接地層，其定位在所述第一納米氟隆層下方，/n其中，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。/n
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】20180831 KR 10-2018-01038921.一種使用納米結構材料的傳輸線，該傳輸線包括：
第一納米氟隆層，其由納米氟隆形成；
第一絕緣層，其定位在所述第一納米氟隆層上方；
第一圖案，其通過蝕刻形成在所述第一絕緣層上的第一導電層而形成；以及
第一接地層，其定位在所述第一納米氟隆層下方，
其中，所述納米氟隆是通過在高電壓下靜電紡絲液體樹脂而形成的納米結構材料。
2.根據權利要求1所述的傳輸線，其中，所述第一圖案包括通過蝕刻所述第一導電層形成的接地線和信號線。
3.根據權利要求1所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：
第二納米氟隆層，其定位在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上，并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及
第二接地層，其定位在所述第二納米氟隆層上。
4.根據權利要求1所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：
第二納米氟隆層，其定位在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上，并且所述第一絕緣層通過所述蝕刻暴露；
第二接地層，其定位在所述第二納米氟隆層上；
第三納米氟龍層，其定位在所述第二接地層上；
第二絕緣層，其定位在所述第三納米氟龍層上；以及
第二圖案，其通過蝕刻形成在所述第二絕緣層上的第二導電層而形成，并且所述傳輸線發送信號。
5.根據權利要求4所述的傳輸線，其中，所述第二圖案包括通過蝕刻所述第二導電層形成的接地線和被配置為發送信號的信號線。
6.根據權利要求4所述的傳輸線，其中，所述第二絕緣層是通過用絕緣材料涂覆所述第三納米氟隆層的頂部而形成的第二涂覆層。
7.根據權利要求4所述的傳輸線，所述傳輸線進一步包括：
第四納米氟隆層，其定位在形成于所述第二絕緣層上的所述第二圖案上，并且所述第二絕緣層通過所述蝕刻暴露；以及
第三接地層，其定位在所述第四納米氟隆層上。
8.根據權利要求1所述的傳輸線，其中，所述第一圖案包括通過蝕刻所述第一導電層形成的接地線和信號線。
9.根據權利要求1所述的傳輸線，其中，所述第一絕緣層是通過用絕緣材料涂覆所述第一納米氟隆層的頂部而形成的第一涂覆層。
10.根據權利要求1、3、4和7中任一項所述的傳輸線，其中，通過使用粘合帶或粘合劑或使用其中將熱施加到粘合帶上的熱粘合的粘合來進行定位。
11.根據權利要求1至9中任...
【專利技術屬性】
技術研發人員：金炳南，姜敬逸，
申請(專利權)人：信思優有限公司，
類型：發明
國別省市：韓國;KR
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