本發(fā)明專利技術(shù)提供了一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板(1)，在玻璃基板(1)表面由內(nèi)向外依次地磁控濺射有第一膜層介質(zhì)層(2)；第二膜層保護(hù)層(3)；第三膜層功能層(4)；第四膜層保護(hù)層(5)；第五膜層介質(zhì)層(6)，一共五個膜層。五個膜層所構(gòu)成的HTLE膜中僅有一層銀(功能層)，可以實現(xiàn)高結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、高可見光透過率、低輻射率和隔熱性能好的高度統(tǒng)一。和隔熱性能好的高度統(tǒng)一。和隔熱性能好的高度統(tǒng)一。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種單銀層HTLE玻璃
[0001]本專利技術(shù)涉及一種低輻射玻璃，尤其是涉及一種單銀膜層的HTLE玻璃(高透光率High Transmittance、低輻射率Low Emission)。
技術(shù)介紹
[0002]近年來，為提高隔熱效果，通常一塊玻璃或兩塊玻璃基板采用低輻射(Low emission，low
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e)中空玻璃以降低輻射換熱，其low
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e膜位于兩塊玻璃相對的一側(cè)。
[0003]為實現(xiàn)玻璃的低輻射，一般采用在線low
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e玻璃或雙銀層low
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e玻璃作為玻璃基板。在線low
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e玻璃是在玻璃制備過程中，往熱的玻璃表面噴涂以錫鹽為主要成分的化學(xué)溶液，形成單層具有一定低輻射性能的氧化錫(SnO2)化合物薄膜而制成的。在線low
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e玻璃可見光透過率一般在0.7左右，膜層堅固耐用，該技術(shù)的主要不足在于：(一)在線low
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e玻璃的的膜層材料為半導(dǎo)體氧化物，其紅外發(fā)射率在0.2左右，而一般金屬膜(例如銀膜)發(fā)射率小于0.1，因此在線low
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e玻璃隔熱性能仍有進(jìn)步空間；(二)在線low
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e玻璃的鋼化過程是帶膜鋼化的，鋼化過程可能產(chǎn)生顏色變化和變形等問題，因此全鋼化中空玻璃一般不采用在線low
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e玻璃，非全鋼化中空玻璃強(qiáng)度和安全性能有一定缺陷。雙銀層low
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e中空玻璃一般采用磁控濺射鍍膜工藝，在玻璃表面鍍制雙銀多層膜結(jié)構(gòu)，其low
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e膜結(jié)構(gòu)一般為玻璃基底/介質(zhì)/銀/屏蔽層/介質(zhì)/銀/屏蔽層/介質(zhì)，這種low
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e膜發(fā)射率較低，一般為0.05～0.1，但由于膜結(jié)構(gòu)中金屬層較厚，可見光透過率較低，一般為0.4～0.5。
[0004]因此，迫切需要一種高強(qiáng)度、高可見光透過率、低輻射率、隔熱性能好的玻璃來滿足市場需要。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0005]本專利技術(shù)的目的在于提供一種高強(qiáng)度、高可見光透過率、低輻射率、隔熱性能好的單銀層HTLE玻璃。
[0006]為了解決上述技術(shù)問題，本專利技術(shù)采用的技術(shù)方案是：
[0007]一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板(1)，其特征在于玻璃基板表面由內(nèi)向外依次地磁控濺射有第一膜層介質(zhì)層(2)；第二膜層保護(hù)層(3)；第三膜層功能層(4)；第四膜層保護(hù)層(5)；第五膜層介質(zhì)層(6)，一共五個膜層。
[0008]作為對本專利技術(shù)的限定，本專利技術(shù)所述的五個膜層的第一膜層介質(zhì)層(2)是氧化鋅鋁膜層、氮化硅膜層或氧化鈦膜層，第二膜層保護(hù)層(3)是鎳鉻合金膜層或純鉻膜層，第三膜層功能層(4)是銀銅合金膜層或銀鋁合金膜層，第四膜層保護(hù)層(5)是鎳鉻合金膜層或純鉻膜層，第五膜層介質(zhì)層(6)是氧化鋅鋁膜層、氮化硅膜層或氧化鈦膜層。其中所述的氧化鋅鋁膜層中氧化鋅和氧化鋁的質(zhì)量比為98:2，銀銅合金或銀鋁合金膜層中銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90％～95％，鎳鉻合金膜層中鎳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為70％～90％。
[0009]作為對本專利技術(shù)的進(jìn)一步限定，本專利技術(shù)所述的第一膜層介質(zhì)層(2)的厚度為30～40nm，第二膜層保護(hù)層(3)的厚度為0.5～1.5nm，第三膜層功能層(4)的厚度為10～15nm，第
四膜層保護(hù)層(5)的厚度為0.5～1.5nm，第五膜層介質(zhì)層(6)的厚度為30～40nm。
[0010]采用上述技術(shù)方案后，本專利技術(shù)具有以下優(yōu)點：
[0011]1、采用鋼化玻璃作為基板，有效地提高了HTLE玻璃的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，使得玻璃不易破碎，即使破碎后也不會掉落對人造成傷害，提高了其安全性。
[0012]2、采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基板上，鍍膜層與玻璃基材間結(jié)合力強(qiáng)，鍍膜層致密、均勻。
[0013]3、氧化鋅鋁中氧化鋁的摻雜，銀銅合金或銀鋁合金中銅和鋁的摻雜，使得它們的穩(wěn)定性分別優(yōu)于純氧化鋅和銀，制備得到的膜層結(jié)構(gòu)堅固、性質(zhì)穩(wěn)定，HTLE膜中保護(hù)層也可以增強(qiáng)膜層的穩(wěn)定性，所以可以在單層玻璃情況下加以推廣應(yīng)用。
[0014]4、HTLE膜是單銀層結(jié)構(gòu)，銀合金層厚度為10nm左右，遠(yuǎn)低于雙銀層low
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e結(jié)構(gòu)(兩層銀厚度之和大于20nm)，可以提供超過90％的紅外反射率，從而實現(xiàn)低輻射率。保護(hù)層兩側(cè)的介質(zhì)層可以降低膜層的反射率，提高透過率，使得單銀層結(jié)構(gòu)可以兼具高可見光透過率和低輻射率，HTLE膜結(jié)構(gòu)的玻璃可見光透光率超過0.65，輻射率小于0.1。
[0015]5、普通玻璃在室溫環(huán)境下與室內(nèi)的輻射換熱系數(shù)約5.4W/(m2·
K)，采用HTLE玻璃后可降至0.42W/(m2·
K)。HTLE玻璃降低了輻射熱損，提高了玻璃的隔熱性能，降低了能源消耗。
[0016]因此本專利技術(shù)可以實現(xiàn)單層玻璃高強(qiáng)度、高透光率、低輻射率、隔熱性能好的統(tǒng)一。
附圖說明
[0017]圖1是單銀層HTLE玻璃的結(jié)構(gòu)示意圖，包括鋼化玻璃基板(1)；第一膜層介質(zhì)層(2)；第二膜層保護(hù)層(3)；第三膜層功能層(4)；第四膜層保護(hù)層(5)；第五膜層介質(zhì)層(6)，共五個膜層。
具體實施方式
[0018]本專利技術(shù)將就以下實施例作進(jìn)一步說明，但應(yīng)了解的是，這些實施例僅為例示說明之用，而不應(yīng)被解釋為本專利技術(shù)實施的限制。
[0019]現(xiàn)結(jié)合具體實施例對本專利技術(shù)的內(nèi)容進(jìn)行詳細(xì)的說明，但是本專利技術(shù)的技術(shù)方案不限于此。
[0020]實施例1
[0021]制備這種單銀層HTLE玻璃的方法依次是：
[0022]1.玻璃基底清洗干凈并吹干，置于真空濺射區(qū)；
[0023]2.在玻璃基底上采用磁控濺射的方式沉積氧化鋅鋁層(2)，所用靶材為氧化鋅鋁圓靶，其中氧化鋅和氧化鋁的質(zhì)量比為98:2，電源為射頻電源，功率為150～250W，工藝氣體為純氬氣，在室溫下沉積；
[0024]3.在氧化鋅鋁層(2)上面采用磁控濺射的方式沉積鎳鉻合金層(3)，所用靶材為NiCr合金圓靶，鎳鉻合金中鎳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為70％～90％，電源為直流電源，功率為150～250W，工藝氣體為純氬氣，在室溫下沉積；
[0025]4.在鎳鉻合金層(3)上采用磁控濺射的方式沉積銀銅合金層(4)，所用靶材為AgCu合金圓靶，銀銅合金中銀的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為90％～95％，電源為直流電源，功率為150～250W，工
藝氣體為純氬氣，在室溫下沉積；
[0026]5.在銀銅合金層(4)上面采用磁控濺射的方式沉積鎳鉻合金層(5)，所用靶材為NiCr合金圓靶，鎳鉻合金中鎳的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為70％～90％，電源為直流電源，功率為150～250W，工藝氣體為純氬氣，在室溫下沉積；
[0027]6.在鎳鉻合金層(5)上面采用磁控濺射的方式沉積氧化鋅鋁層(6)，所用靶材為氧化鋅鋁圓靶，其中氧化鋅和氧化鋁的質(zhì)量比為98:2，電源射頻電源，功率為150～250W，工藝氣體為純氬氣，在室溫下沉積。
[0028]上述單片五層膜HTL本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種單銀層HTLE玻璃，包括鋼化玻璃基板(1)，其特征在于玻璃基板表面由內(nèi)向外依次地磁控濺射有第一膜層介質(zhì)層(2)；第二膜層保護(hù)層(3)；第三膜層功能層(4)；第四膜層保護(hù)層(5)；第五膜層介質(zhì)層(6)，一共五個膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種單銀層HTLE玻璃，其特征在于所述的五個膜層的第一膜層介質(zhì)層(2)是氧化鋅鋁膜層、氮化硅膜層或氧化鈦膜層，第二膜層保護(hù)層(3)是鎳鉻合金膜層或純鉻膜層，第三膜層功能層(4)是銀銅合金膜層或銀鋁合金膜層，第四膜層保護(hù)層(5)是鎳鉻合金膜層或純鉻膜層，第五膜層介質(zhì)層(6)是氧化鋅鋁膜層、氮...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：葉宏，
申請(專利權(quán))人：鄧凱，
類型：發(fā)明
國別省市：
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