電平轉換模塊制造技術

本實用新型專利技術公開一種電平轉換模塊，包括發射單元，發射單元包括第一電平轉換電路和第二電平轉換電路，第一電平轉換電路包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管和第三電阻，第一電阻的第一端與第一電平轉換電路的信號輸入端連接，第一電阻的第二端分別與第二電阻的第一端和第一NMOS管的柵極連接，第二電阻的第二端接地，第一NMOS管的源極接地，第一NMOS管的漏極與第三電阻的第一端連接；第二電平轉換電路包括第二NMOS管和第四電阻，第二NMOS管的柵極分別與第三電阻的第一端和第一NMOS管的漏極連接，第二NMOS管的源極接地，第二NMOS管的漏極分別與第四電阻的第一端和第二電平轉換電路的信號輸出端連接。的信號輸出端連接。的信號輸出端連接。

【技術實現步驟摘要】
電平轉換模塊


[0001]本技術涉及集成電路領域，特別涉及一種電平轉換模塊。

技術介紹

[0002]電平轉換電路用于實現電平的邏輯轉換，其被廣泛應用于各種接口電路及輸入輸出單元中。目前，大部分使用單個的NMOS管進行電平轉換，以實現不同電平的電路模塊之間的通訊。而實際使用時，會存在因外接設備電源電壓不穩定或接錯線而導致電平轉換電路中串出高壓，導致MOS管及系統IC被燒毀。

技術實現思路

[0003]本技術的主要目的在于提出一種電平轉換模塊，旨在解決現有的電平轉換模塊會因電壓不穩定或接錯線而導致MOS管及系統IC燒毀。
[0004]為實現上述目的，本技術提出一種電平轉換模塊，該電平轉換模塊包括發射單元，所述發射單元包括第一電平轉換電路和第二電平轉換電路，所述第一電平轉換電路的信號輸出端與所述第二電平轉換電路的信號輸入端連接；所述第一電平轉換電路包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管和第三電阻，所述第一電阻的第一端與所述第一電平轉換電路的信號輸入端連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第二電阻的第一端和第一NMOS管的柵極連接，所述第二電阻的第二端接地，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的漏極與所述第三電阻的第一端連接，所述第三電阻的第二端與電源連接；所述第二電平轉換電路包括第二NMOS管和第四電阻，所述第二NMOS管的柵極分別與第三電阻的第一端和第一NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的漏極分別與所述第四電阻的第一端和所述第二電平轉換電路的信號輸出端連接，所述第四電阻的第二端與電源連接。
[0005]優選地，所述第二電平轉換電路還包括用于短路和過載保護的熔斷電阻，所述熔斷電阻的第一端分別與所述第四電阻的第一端和第二NMOS管的漏極連接，所述熔斷電阻的第二端與所述第二電平轉換電路的信號輸出端連接。
[0006]優選地，所述第二電平轉換電路還包括用于穩壓的第一電容，所述第一電容的第一端與所述電源連接，所述第一電容的第二端接地。
[0007]優選地，所述電平轉換模塊還包括接收單元，所述接收單元包括第三電平轉換電路和第四電平轉換電路，所述第三電平轉換電路的信號輸出端與所述第四電平轉換電路的信號輸入端連接；所述第三電平轉換電路包括第五電阻、第六電阻、第三NMOS管和第七電阻，所述第五電阻的第一端與所述第三電平轉換電路的信號輸入端連接，所述第五電阻的第二端分別與第六電阻的第一端和第三NMOS管的柵極連接，所述第六電阻的第二端接地，所述第三NMOS管的源極接地，所述第三NMOS管的漏極與所述第七電阻的第一端連接，所述第七電阻的第二端與電源連接；所述第四電平轉換電路包括第四NMOS管和第八電阻，所述第四NMOS管的柵極分別與所述第七電阻的第一端和第三NMOS管的漏極連接，所述第四NMOS
管的漏極分別與所述第八電阻的第一端和所述第四電平轉換電路的信號輸出端連接，所述第八電阻的第二端與電源連接。
[0008]優選地，所述第四電平轉換電路還包括用于穩壓的第二電容，所述第二電容的第一端與電源連接，所述第二電容的第二端接地。
[0009]與現有技術相比，本技術實施例的有益技術效果在于：通過兩個NMOS管進行電平轉換，可防止因外部設備電壓不穩或不小心接錯線而燒毀系統IC，因為即使出現電壓不穩或接錯線的情況，也只是損壞NMOS管，而不會對后端的系統IC造成損壞，從而起到保護系統IC的作用。
附圖說明
[0010]圖1為本技術電平轉換模塊的發射單元的電路圖；
[0011]圖2為本技術電平轉換模塊的接收單元的電路圖。
具體實施方式
[0012]下面詳細描述本技術的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本技術，而不能理解為對本技術的限制，基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0013]本技術提出一種電平轉換模塊，在一實施方式中，參見圖1，該電平轉換模塊包括發射單元10，發射單元10包括第一電平轉換電路11和第二電平轉換電路12，第一電平轉換電路11的信號輸出端與第二電平轉換電路12的信號輸入端連接；第一電平轉換電路11包括第一電阻R1、第二電阻R2、第一NMOS管11A和第三電阻R3，第一電阻R1的第一端與第一電平轉換電路11的信號輸入端連接，第一電阻R1的第二端分別與第二電阻R2的第一端和第一NMOS管11A的柵極連接，第二電阻R2的第二端接地，第一NMOS管11A的源極接地，第一NMOS管11A的漏極與第三電阻R3的第一端連接，第三電阻R3的第二端與電源連接；第二電平轉換電路12包括第二NMOS管12A和第四電阻R4，第二NMOS管12A的柵極分別與第三電阻R3的第一端和第一NMOS管11A的漏極連接，第二NMOS管12A的源極接地，第二NMOS管12A的漏極分別與第四電阻R4的第一端和第二電平轉換電路12的信號輸出端連接，第四電阻R4的第二端與電源連接。
[0014]本實施例中，NMOS管的柵極為G，NMOS管的漏極為D，NMOS管的源極為S。第二電阻R2為下拉電阻，第三電阻R3為上拉電阻，第四電阻R4也為上拉電阻。當第一電阻R1為高電平時(第一NMOS管11A V
GS
＞0.8V導通)，第一NMOS管11A的柵極為高電平，第一NMOS管11A導通，第一NMOS管11A的漏極為低電平，第二NMOS管12A的柵極為低電平，第二NMOS管12A截止，第二NMOS管12A的漏極被上拉為高電平，從而實現電平轉換。
[0015]本技術實施例通過兩個NMOS管進行電平轉換，可防止因外部設備電壓不穩或不小心接錯線而燒毀系統IC，因為即使出現電壓不穩或接錯線的情況，也只是損壞NMOS管，而不會對后端的系統IC造成損壞，從而起到保護系統IC的作用。
[0016]在一實施例中，本技術實施例所提出的第二電平轉換電路12還包括用于短路
和過載保護的熔斷電阻R9，熔斷電阻R9的第一端分別與第四電阻R4的第一端和第二NMOS管12A的漏極連接，熔斷電阻R9的第二端與第二電平轉換電路12的信號輸出端連接。
[0017]在另一實施例中，本技術實施例所提出的第二電平轉換電路12還包括用于穩壓的第一電容C1，第一電容C1的第一端與所述電源連接，第一電容C1的第二端接地。
[0018]在又一實施例中，本技術實施例所提出的電平轉換模塊還包括接收單元20，接收單元20包括第三電平轉換電路21和第四電平轉換電路22，第三電平轉換電路21的信號輸出端與第四電平轉換電路22的信號輸入端連接；第三電平轉換電路21包括第五電阻R5、第六電阻R6、第三NMOS管21A和第七電阻R7，第五電阻R5的第一端與第三電平轉換電路21的信號輸本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種電平轉換模塊，其特征在于，包括發射單元，所述發射單元包括第一電平轉換電路和第二電平轉換電路，所述第一電平轉換電路的信號輸出端與所述第二電平轉換電路的信號輸入端連接；所述第一電平轉換電路包括第一電阻、第二電阻、第一NMOS管和第三電阻，所述第一電阻的第一端與所述第一電平轉換電路的信號輸入端連接，所述第一電阻的第二端分別與所述第二電阻的第一端和第一NMOS管的柵極連接，所述第二電阻的第二端接地，所述第一NMOS管的源極接地，所述第一NMOS管的漏極與所述第三電阻的第一端連接，所述第三電阻的第二端與電源連接；所述第二電平轉換電路包括第二NMOS管和第四電阻，所述第二NMOS管的柵極分別與第三電阻的第一端和第一NMOS管的漏極連接，所述第二NMOS管的源極接地，所述第二NMOS管的漏極分別與所述第四電阻的第一端和所述第二電平轉換電路的信號輸出端連接，所述第四電阻的第二端與電源連接。2.根據權利要求1所述的電平轉換模塊，其特征在于，所述第二電平轉換電路還包括用于短路和過載保護的熔斷電阻，所述熔斷電阻的第一端分別與所述第四電阻的第一端和第二NMOS管的漏極連接，所述熔斷電阻的第二端與所述第二電平轉換電路的信號輸出端連接。3.根據權利要求1所述的電平轉換模塊，其特征...

【專利技術屬性】
技術研發人員：劉威，張學成，
申請(專利權)人：深圳市云智易聯科技有限公司，
類型：新型
國別省市：