根據本發明專利技術的一實施例，提供在粉末顆粒形態的材料形成薄膜層的化學氣相沉積設備。本發明專利技術的一實施例的化學氣相沉積設備包括：反應管，裝入材料以執行沉積；加熱部，對反應管施加熱；隔熱部，位于反應管及加熱部的外側；氣體供應管，向反應管內供應氣體；氣體排放管，向外部排放反應管內部的氣體；其中，反應管構成為可旋轉地配置在工作臺上以在旋轉的同時執行沉積；反應管可構成為具備在中心部具有擴張的容納空間的腔室部，在腔室部裝入材料以執行沉積。積。積。
【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】用于在粉末顆粒形態的材料沉積薄膜層的化學氣相沉積設備
[0001]本專利技術涉及利用于在材料形成薄膜的涂層的化學氣相沉積設備，更詳細地說，涉及為使更均勻且均質的薄膜層可沉積于多個粉末顆粒材料而構成的化學氣相沉積設備。
技術介紹
[0002]化學氣相沉積設備(具體地說，熱化學氣相沉積設備)為利用于將原料氣體供應于被加熱的材料而形成薄膜層的設備，具有在高溫下嚴密地形成薄膜層可形成純度高的優質薄膜層的優點，因此正在多量利用于各種領域。
[0003]然而，以往的化學氣相沉積設備主要是以為了在半導體晶片或者玻璃基板等的板表面沉積想要的物質的薄膜層為目的而設計的，因此在以小尺寸的粉末顆粒形態形成的粉末材料的表面均勻地形成薄膜層方面存在局限性。
[0004]例如，與在板的一側表面形成沉積層的常規的沉積工藝不同，粉末顆粒形態的粉末材料應該在顆粒的整體表面形成沉積層而且在多個顆粒層疊并裝入的狀態下執行沉積，因此與在晶片等的板表面沉積薄膜層的情況不同，存在很難在需要沉積的所有粉末顆粒表面形成均質的薄膜層的問題。
[0005]關于這一點，參照專利文獻1，公開了用于在粉末顆粒形態的材料形成薄膜層的化學氣相沉積設備。如圖1所示，在專利文獻1公開的化學氣相沉積設備10如下：將圓柱形結構的真空腔室20可旋轉地安裝在工作臺上，之后旋轉真空腔室20，同時將熱和原料氣體等供應于真空腔室20，以執行沉積。具體地說，在圖1示出的現有的化學氣相沉積設備10如下：通過配置在真空腔室20周圍的加熱部30對真空腔室20施加熱，同時通過連接于真空腔室20的入口部的氣體供應部40向真空腔室20內部注入原料氣體等，進而可在裝入真空腔室20內的粉末顆粒形態的材料沉積想要的薄膜層。
[0006]然而，這種現有的化學氣相沉積設備10構成為執行沉積的真空腔室20由簡單的圓柱形結構形成，并且在真空腔室20的外周面一部分配置加熱部30使熱施加于真空腔室20，因此對于裝入于真空腔室20內部的多個粉末顆粒難以均勻地施加熱(即，以真空腔室的中心部和兩側端部之間存在溫度差的狀態執行沉積工藝)，由此在裝入真空腔室20內部的粉末顆粒形成均質的薄膜層方面存在困難。另外，裝入簡單的圓柱形結構的真空腔室20內的粉末顆粒形態的粉末材料難以均勻地分配并保持在真空腔室20內，因此每個粉末顆粒形成不同的沉積層，存在可出現降低沉積質量的問題的顧慮。
[0007](現有技術文獻)
[0008](專利文獻1)韓國專利第10
?
1637980號(授權日：2016.7.4.)
技術實現思路
[0009]要解決的問題
[0010]本專利技術是用于解決上述的現有化學氣相沉積設備的問題的，目的在于提供一種可將整體均勻且高品質的薄膜層有效地沉積于粉末顆粒形態的多個粉末材料的化學氣相沉
積設備。
[0011]解決問題的手段
[0012]用于達成上述目的的本專利技術的代表性結構如下：
[0013]根據本專利技術的一實施例，提供在粉末顆粒形態的材料形成薄膜層的化學氣相沉積設備。本專利技術的一實施例的化學氣相沉積設備包括：反應管，裝入材料以執行沉積；加熱部，對反應管施加熱；隔熱部，位于反應管及加熱部的外側；氣體供應管，向反應管內供應氣體；氣體排放管，向外部排放反應管內部的氣體；其中，反應管構成為可旋轉地配置在工作臺上以在旋轉的同時執行沉積；反應管構成為包括：位于中心部的腔室部、位于腔室部一側的第一圓柱部、位于腔室部另一側的第二圓柱部。根據本專利技術的一實施例，腔室部構成為包括具有比第一圓柱部及第二圓柱部更加擴張的內徑的直徑擴張部、位于直徑擴張部端部的傾斜部，進而構成為在形成在腔室部內的擴張的容納空間裝入材料可執行沉積；加熱部構成為包括位于腔室部的半徑方向外側的中心加熱部和位于中心加熱部的兩側端部側面加熱部，以徑方向及軸方向包圍裝入材料執行沉積的反應管的腔室部。
[0014]根據本專利技術的一實施例，在直徑擴張部的一側端部具備第一傾斜部，在直徑擴張部的另一側端部可具備第二傾斜部。
[0015]根據本專利技術的一實施例，加熱部可構成為被區劃成多個區域，獨立控制各個區域的加熱部，以對腔室部施加熱。
[0016]根據本專利技術的一實施例，加熱部包括：針對腔室部的直徑擴張部所在的第一區域施加熱的第一加熱部；針對腔室部的第一傾斜部所在的第二區域施加熱的第二加熱部；針對腔室部的第二傾斜部所在的第三區域施加熱的第三加熱部；第一加熱部、第二加熱部及第三加熱部可構成為基于各個區域的溫度被獨立控制。
[0017]根據本專利技術的一實施例，隔熱部可形成為從外側包圍反應管的腔室部及加熱部的形態。
[0018]根據本專利技術的一實施例，在反應管的腔室部內周面可具有向半徑方向內側凸出形成并且沿著腔室部的長度方向延伸的刀片，所述刀片為沿著腔室部的圓周方向可具備一個以上。
[0019]根據本專利技術的一實施例，在反應管的兩側端部可具有蓋部。
[0020]根據本專利技術的一實施例，蓋部形成為包括位于一側的塞部和從塞部沿著長度方向延伸的延伸部，蓋部的延伸部可構成為插入到反應管內進行安裝。
[0021]根據本專利技術的一實施例，蓋部可形成為在內部具有空置空間部。
[0022]根據本專利技術的一實施例，在蓋部可具有一個以上的排氣孔，所述排氣孔將內部的空置空間部與外部連通。
[0023]根據本專利技術的一實施例，在蓋部的延伸部和反應管的內周面之間可介入并結合O型圈。
[0024]根據本專利技術的一實施例，所述化學氣相沉積設備還可包括沖擊施加部，所述沖擊施加部在執行沉積的期間按照提前設定的時間間隔對反應管施加沖擊。
[0025]根據本專利技術的一實施例，沖擊施加部可由液壓執行器構成，液壓執行器由活塞和氣缸形成。
[0026]根據本專利技術的一實施例，工作臺包括安裝反應管的上部板和在下側支撐上部板的
下部支撐部；工作臺的上部板可構成為通過鉸鏈部結合于下部支撐部，以對下部支撐部能夠進行樞軸旋轉。
[0027]根據本專利技術的一實施例，在工作臺的上部板和下部支撐部之間具有執行器，通過運行執行器使上部板在水平狀態和傾斜狀態之間進行位置移動。
[0028]根據本專利技術的一實施例，具備在工作臺的上部板和下部支撐部之間的執行器可由液壓執行器構成，所述液壓執行器由活塞和氣缸形成。
[0029]除此之外，本專利技術的化學氣相沉積設備在未侵犯本專利技術的技術思想的范圍內還可包括其他附加結構。
[0030]專利技術的效果
[0031]本專利技術的一實施例的化學氣相沉積設備構成為形成腔室部，所述腔室部具有在執行沉積的反應管擴張的容納空間，以在腔室部的擴張的容納空間(嵌入形態的容納空間)內穩定地容納多個粉末顆粒材料的狀態執行沉積，因此可在多個粉末材料形成整體均勻的膜質的沉積層。
[0032]另外，本專利技術的一實施例的化學氣相沉積設備構成為以裝入粉末顆粒材料執行沉積的反應管的腔室部被加熱部(及隔熱部)完全包圍配置狀態使熱施加于腔室部，因此能夠以在執行沉積的反本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種化學氣相沉積設備，是在粉末顆粒形態的材料形成薄膜層的化學氣相沉積設備(100)，包括：反應管(200)，裝入材料以執行沉積；加熱部(300)，對所述反應管(200)施加熱；隔熱部(400)，位于所述反應管(200)及加熱部(300)的外側；氣體供應管(600)，向所述反應管(200)內供應氣體；氣體排放管(700)，向外部排放所述反應管(200)內部的氣體；其中，所述反應管(200)構成為可旋轉地配置在工作臺(500)上以在進行旋轉的同時執行沉積；所述反應管(200)構成為具備在中心部具有擴張的容納空間的腔室部(230)，以在所述腔室部(230)裝入材料執行沉積。2.根據權利要求1所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述反應管(200)構成為包括：位于中心部的腔室部(230)、位于所述腔室部(230)一側的第一圓柱部(210)、位于所述腔室部(230)另一側的第二圓柱部(220)。3.根據權利要求2所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述腔室部(230)構成為包括：具有比第一圓柱部(210)及第二圓柱部(220)更加擴張的內徑的直徑擴張部(240)、位于直徑擴張部(240)的兩側端部的第一傾斜部(250)及第二傾斜部(260)。4.根據權利要求1至3中的任意一項所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述加熱部(300)形成為從外側包圍裝入材料的反應管(200)的腔室部(230)的形態。5.根據權利要求4所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述加熱部(300)構成為被區劃成多個區域，獨立控制各個區域的加熱部以對腔室部(230)施加熱。6.根據權利要求5所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述加熱部(300)包括：針對腔室部(230)的直徑擴張部(240)所在的第一區域(Z1)施加熱的第一加熱部(310)；針對腔室部(230)的第一傾斜部(250)所在的第二區域(Z2)施加熱的第二加熱部(320)；針對腔室部(230)的第二傾斜部(260)所在的第三區域(Z3)施加熱的第三加熱部(330)；所述第一加熱部(310)、第二加熱部(320)及第三加熱部(330)構成為基于各個區域的溫度被獨立控制。7.根據權利要求1至6中的任意一項所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，所述隔熱部(400)形成為從外側包圍所述反應管(200)的腔室部(230)及加熱部(300)的形態。8.根據權利要求1至7中的任意一項所述的化學氣相沉積設備，其特征在于，...
【專利技術屬性】
技術研發人員：秦洪秀，
申請(專利權)人：LIV能源株式會社，
類型：發明
國別省市：
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