【技術實現步驟摘要】
一種氧化鈰顆粒及含其的拋光漿料
本專利技術涉及一種氧化鈰顆粒及含其的拋光漿料。
技術介紹
在集成電路及其它電子器件的制造中，多個導電、半導電及介電的材料層沉積至基板表面上或自基板表面移除。隨著材料層依序地沉積至基板上及自基板移除，基板的最上部表面可變得非平坦且需要進行平坦化。對表面進行平坦化或對表面進行“拋光”是這樣的工藝，其中，自基板的表面移除材料以形成總體上均勻平坦的表面。平坦化可用于移除不合乎期望的表面形貌及表面缺陷，諸如粗糙表面、經團聚的材料、晶格損傷、刮痕、以及受污染的層或材料。平坦化也可用于通過移除過量的沉積材料而在基板上形成特征，該沉積材料用于填充所述特征并提供用于后續的加工及金屬化水平的均勻表面。用于對基板表面進行平坦化或拋光的組合物及方法在本領域中是公知的。化學機械平坦化或化學機械拋光(CMP)是用于使基板平坦化的常用技術。CMP采用被稱為CMP組合物或更簡單地被稱為拋光組合物(也被稱作拋光漿料)的化學組合物以用于自基板選擇性地移除材料。典型地，通過使基板的表面與飽含拋光組合物的拋光墊(例如，拋光布或拋光盤)接觸而將拋光組合物施加至基板。典型地，通過拋光組合物的化學活性和/或懸浮于拋光組合物中或結合到拋光墊(例如，固定研磨劑式拋光墊)中的研磨劑的機械活性而進一步輔助基板的拋光。拋光漿料的種類按其所要處理對象大致可分為氧化物拋光漿料、金屬拋光漿料和多硅晶片拋光漿料等三種。氧化物拋光漿料適用于拋光淺槽隔離(STI，shallowtrenchisolation)工藝中中間層絕緣膜的表面以及...
【技術保護點】
1.一種氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸為200-500μm，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為1％的粒徑；所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜包含在458cm
【技術特征摘要】
1.一種氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸為200-500μm，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為1％的粒徑；所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜包含在458cm-1處的峰和583cm-1處的峰，且其中在458cm-1處的峰的強度與在583cm-1處的峰的強度的比率為峰比率，所述氧化鈰顆粒的峰比率為70-90。
2.如權利要求1所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第一顆粒尺寸為220-450μm，例如為226μm、289μm、330μm或410μm；
和/或，所述氧化鈰顆粒的峰比率為75-90，例如為79、83、85或88；
和/或，使用532nm激光收集所述氧化鈰顆粒的拉曼光譜；
和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第二顆粒尺寸為30-180μm，例如為60-180μm，再例如為98μm、110μm、120μm或176μm；所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第二顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為50％的粒徑；
和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第三顆粒尺寸為0.5-3.5μm，例如為1-2.5μm，再例如為1.5μm、1.9μm、2.2μm或2.3μm；所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的第三顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的顆粒累計分布為99％的粒徑；
和/或，所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸為20-60nm，例如為40-60nm，再例如為42nm、45nm、50nm或55nm；所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的顆粒尺寸是所述氧化鈰顆粒的顆粒累計分布為90％的粒徑；
和/或，所述氧化鈰顆粒的前驅體材料包含碳酸鈰；
和/或，所述氧化鈰顆粒為非濕法工藝制得；
和/或，所述氧化鈰顆粒用于拋光工藝中作為拋光漿料的拋光粒子。
3.如權利要求1所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述氧化鈰顆粒由以下制備方法制得，所述制備方法包括以下步驟：所述氧化鈰顆粒的前驅體材料經固體生成步驟制得二氧化鈰粉末，將所述二氧化鈰粉末與水混合，研磨，得含所述氧化鈰顆粒的漿料。
4.如權利要求3所述的氧化鈰顆粒，其特征在于，所述制備方法還包括在所述固體生成步驟之前對所述氧化鈰顆粒的前驅體材料的預處理步驟，例如所述預處理步驟包括對所述氧化鈰顆粒的前驅體材料進行干燥；
和/或，所述混合...
【專利技術屬性】
技術研發人員：王溯，蔣闖，馬麗，寇浩東，孫濤，章玲然，張德賀，秦長春，
申請(專利權)人：上海暉研材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：上海;31
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