【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用
本專利技術(shù)屬于化學(xué)機(jī)械拋光用磨料
，具體涉及一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用。
技術(shù)介紹
氧化鈰作為拋光磨料用于精密玻璃拋光和超大規(guī)模集成電路二氧化硅介質(zhì)層的拋光已經(jīng)有了很悠久的歷史，氧化鈰磨料由于其可與氧化硅發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，在相同條件下，氧化鈰的拋光速率大約是氧化硅的三倍，尤其是在中性拋光液中保持較高的去除率，且在氧化硅與氮化硅之間的拋光選擇比較高。但納米氧化鈰拋光性能的發(fā)揮依賴于其分散狀況，納米氧化鈰同其其它納米粒子一樣由于其極高的表面能而易于團(tuán)聚，導(dǎo)致拋光后工件表面的損傷，具體表現(xiàn)為拋光后表面粗糙度大，劃痕等眾多缺陷。所以目前氧化鈰的分散成為氧化鈰拋光液制備的最關(guān)鍵技術(shù)之一，采用表面改性的方法進(jìn)行分散是提升其拋光性能的方法之一。本專利技術(shù)旨在提升氧化鈰拋光液在表面粗糙度，拋光選擇性及減少拋光缺陷方面的性能。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本專利技術(shù)所要解決的問題為針對(duì)現(xiàn)有氧化鈰磨粒易于團(tuán)聚，導(dǎo)致拋光后工件表面的損傷，具體表現(xiàn)為拋光后表面粗糙度大的缺陷，提供了一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用。本專利技術(shù)的拋光液其能選擇性拋光氧化硅膜，且拋光后表面粗糙度小。本專利技術(shù)提供了一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用，所述的表面改性的氧化鈰顆粒由氧化鈰經(jīng)如式I所示的改性劑改性得到，其中，各R獨(dú)立地為C1-C8烷基、氨基、羥基、縮水甘油基、“被一個(gè)或多個(gè)R1取代的C1-C6烷基”、C2-C6烯基、“被一個(gè)或多個(gè)R4取...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用，其特征在于，所述的表面改性的氧化鈰顆粒由氧化鈰經(jīng)如式I所示的改性劑改性得到，/n
【技術(shù)特征摘要】
1.一種表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用，其特征在于，所述的表面改性的氧化鈰顆粒由氧化鈰經(jīng)如式I所示的改性劑改性得到，
其中，各R獨(dú)立地為C1-C8烷基、氨基、羥基、縮水甘油基、“被一個(gè)或多個(gè)R1取代的C1-C6烷基”、C2-C6烯基、“被一個(gè)或多個(gè)R4取代的硅基”、C3-C8環(huán)烷基、“被一個(gè)或多個(gè)R2取代的C3-C8環(huán)烷基”、“被一個(gè)或兩個(gè)R3取代的丙烯酰基”、“被一個(gè)或多個(gè)R5取代的硅氧基”、C6-C10芳基、3-丙氧基、(2,3-丙二醇)丙氧基、1-丙基異丁烯酸、3-甲苯磺酰基氧丙基或3-縮水甘油基)丙氧基；
各R1獨(dú)立地為鹵素、羥基、氨基、巰基、2-(氨乙基)氨基、(氯甲基)苯基、3,4-環(huán)氧環(huán)己基、C2-C6烯基、丙氧基、丙基甲基丙烯酰基、反式-3,4-環(huán)己二醇基、氯二甲基硅烷基或三氯甲硅烷基；
各R2獨(dú)立地為C1-C6烷基或C2-C6烯基；
各R3獨(dú)立地為C1-C6烷基；
各R4獨(dú)立地為C1-C6烷基；
各R5獨(dú)立地為C1-C6烷基、C2-C6烯基、1,2-環(huán)氧-4-乙基環(huán)己基、3-氧化縮水甘油丙基、環(huán)己烯基、2-(4-環(huán)己烯基)乙基、羥丙基、聯(lián)苯基或氰基丙基。
2.如權(quán)利要求1所述的表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用，其特征在于，當(dāng)各R獨(dú)立地為C1-C8烷基時(shí)，所述C1-C8烷基為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、辛基、異辛基、伯丁基、異丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基、異辛基、異丁基或正丙基；
和/或，當(dāng)各R獨(dú)立地為“被一個(gè)或多個(gè)R1取代的C1-C6烷基”時(shí)，所述的C1-C6烷基為C1-C4烷基；例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、伯丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基、乙基或正丙基；
和/或，當(dāng)各R獨(dú)立地為C2-C6烯基時(shí)，所述的C2-C6烯基為C2-C4烯基；例如優(yōu)選為
和/或，各R獨(dú)立地為C3-C8環(huán)烷基時(shí)，所述的C3-C8環(huán)烷基為C3-C6環(huán)烷基，例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基或環(huán)己基，優(yōu)選為環(huán)戊基或環(huán)己基；
和/或，當(dāng)各R獨(dú)立地為“被一個(gè)或多個(gè)R2取代的C3-C8環(huán)烷基”時(shí)，所述的C3-C8環(huán)烷基為C3-C6環(huán)烷基，例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基或環(huán)己基，優(yōu)選為環(huán)己基；
和/或，當(dāng)各R獨(dú)立地為“C6-C10芳基”時(shí)，所述的C6-C10芳基為苯基；
和/或，當(dāng)各R1獨(dú)立地為鹵素時(shí)，所述的鹵素為氟、氯、溴或碘；優(yōu)選為氯；
和/或，當(dāng)各R1為C2-C6烯基時(shí)，所述的C2-C6烯基為C2-C4烯基；例如優(yōu)選為
和/或，當(dāng)各R2獨(dú)立地為C1-C6烷基時(shí)，所述的C1-C6烷基為C1-C4烷基；例如甲基、正丁基、異丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基、乙基、正丙基或異丙基；
和/或，當(dāng)各R2獨(dú)立地為C2-C6烯基時(shí)，所述的C2-C6烯基為C2-C4烯基；例如優(yōu)選為
和/或，當(dāng)各R4獨(dú)立地為C1-C6烷基時(shí)，所述的C1-C6烷基為C1-C4烷基；例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、伯丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基；
和/或，當(dāng)各R3獨(dú)立地為C1-C6烷基時(shí)，所述的C1-C6烷基為C1-C4烷基；例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、伯丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基；
和/或，當(dāng)各R5獨(dú)立地為C1-C6烷基時(shí)，所述的C1-C6烷基為C1-C4烷基；例如甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、伯丁基或叔丁基，優(yōu)選為甲基；
和/或，當(dāng)各R5獨(dú)立地為C2-C6烯基時(shí)，所述的C2-C6烯基為C2-C4烯基；例如優(yōu)選為
和/或，所述的多個(gè)為2、3、4或5個(gè)；優(yōu)選為2或3個(gè)。
3.如權(quán)利要求2所述的表面改性的氧化鈰顆粒作為拋光液磨粒的應(yīng)用，其特征在于，各R獨(dú)立地為氨基、羥基、甲基、乙烯基、丙基、異辛基、苯基、氯丙基、烯丙基、環(huán)己基、環(huán)戊基、異丁基、3-羥丙基、二甲基硅烷基、3-丙氧基、丙基甲基丙烯酰基、2-[(氯甲基)苯基]乙基、2-(3,4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基、[3-(2-氨乙基)氨基]丙基、1-丙基異丁烯酸、(2,3-丙二醇)丙氧基、2-(反式-3,4-環(huán)...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王溯，馬麗，蔣闖，秦長(zhǎng)春，章玲然，孫濤，張德賀，寇浩東，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：上海暉研材料科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：上海;31
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