本申請?zhí)峁┝艘环N數(shù)據(jù)自毀電路，其中，該電路包括：供電電源、電源芯片、第一二極管、單片機、自毀電路、多個并聯(lián)連接的存儲器、每個存儲器分別與對應(yīng)的保險絲連接；供電電源為電源芯片和自毀電路供電；電源芯片用于降低供電電源的電壓后對存儲器和單片機供電；第一二極管用于阻止供電電源的電流通過自毀電路反向流至電源芯片；自毀電路在接收到單片機發(fā)送的觸發(fā)電平后導(dǎo)通，使供電電源的電流分別經(jīng)過自毀電路和保險絲流向存儲器；保險絲用于在存儲器短路時斷開。本申請實施例采用同一個供電電源為存儲器和自毀電路供電，當(dāng)供電電源的電壓通過自毀電路流向存儲器后導(dǎo)致數(shù)據(jù)自毀，實現(xiàn)在一個供電條件下，多個存儲器同時進行物理自毀的目的。的目的。的目的。
【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
一種數(shù)據(jù)自毀電路
[0001]本申請涉及電路
，尤其是涉及一種數(shù)據(jù)自毀電路。
技術(shù)介紹
[0002]數(shù)據(jù)自毀是將存儲器通過物理自毀的方式進行數(shù)據(jù)銷毀，使存儲的數(shù)據(jù)無法恢復(fù)，避免數(shù)據(jù)通過非法途徑泄露，實現(xiàn)數(shù)據(jù)保護的方法。
[0003]目前的數(shù)據(jù)自毀方式大多都是將一個存儲器與一個自毀電源單獨連接，通過對存儲器供電端口接入高壓，使存儲器供電端短路進行自毀。若直接將多個存儲器的供電端口與自毀電源連接，數(shù)據(jù)自毀時會出現(xiàn)多個存儲器中其中一個存儲器的供電端口對地短路，之后拉低電壓，使其他存儲器中通過低電壓而不能進行數(shù)據(jù)自毀。
[0004]因此，現(xiàn)有的數(shù)據(jù)自毀方式難以實現(xiàn)多個存儲器在一個供電電源供電的條件下同時進行物理自毀。
技術(shù)實現(xiàn)思路
[0005]有鑒于此，本申請的目的在于提供一種數(shù)據(jù)自毀電路，以實現(xiàn)在一個供電條件下，多個存儲器同時進行物理自毀。
[0006]第一方面，本申請實施例提供了一種數(shù)據(jù)自毀電路，包括：供電電源、電源芯片、第一二極管、單片機、自毀電路、多個并聯(lián)連接的存儲器、每個所述存儲器分別與對應(yīng)的保險絲連接；所述供電電源分別與所述電源芯片和所述自毀電路連接；每個所述存儲器分別通過所述保險絲與所述第一二極管和所述自毀電路連接；所述電源芯片分別與所述第一二極管和所述單片機連接；所述單片機分別與所述存儲器和所述自毀電路連接；
[0007]所述電源芯片用于降低所述供電電源的電壓，并利用降低后的電壓對所述存儲器和所述單片機供電；
[0008]所述單片機用于向所述自毀電路發(fā)送觸發(fā)電平；
[0009]所述第一二極管用于在所述自毀電路接收到所述觸發(fā)電平后，阻止所述供電電源的電流反向流至所述電源芯片；
[0010]所述自毀電路用于在接收到所述觸發(fā)電平后導(dǎo)通，所述供電電源的電流分別經(jīng)過所述自毀電路和所述保險絲流向所述存儲器；
[0011]所述保險絲用于在所述存儲器短路時斷開。
[0012]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第一種可能的實施方式，其中，所述自毀電路包括：MOS管；
[0013]所述MOS管用于在接收到所述觸發(fā)電平后導(dǎo)通。
[0014]結(jié)合第一方面的第一種可能的實施方式，本申請實施例提供了第一方面的第二種可能的實施方式，其中，所述自毀電路還包括：第二二極管；
[0015]所述第二二極管用于阻止所述供電電源的電流經(jīng)過所述電源芯片和所述第一二極管反向流至所述MOS管。
[0016]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第三種可能的實施方式，其中，所述單片機還用于在向所述自毀電路發(fā)送觸發(fā)電平之后的預(yù)設(shè)時間內(nèi)，向所述自毀電路發(fā)送關(guān)閉信號；
[0017]所述自毀電路用于接收到所述關(guān)閉信號時斷開。
[0018]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第四種可能的實施方式，其中，還包括：壓力傳感器；所述壓力傳感器與所述單片機連接；
[0019]所述壓力傳感器用于將檢測到的氣壓信號轉(zhuǎn)換成電壓信號，并且將所述電壓信號發(fā)送給所述單片機；
[0020]所述單片機用于接收所述電壓信號，并判斷所述電壓信號的電壓值是否大于預(yù)設(shè)電壓值；
[0021]所述電壓信號的電壓值大于所述預(yù)設(shè)電壓值時，向所述自毀電路發(fā)送觸發(fā)電平。
[0022]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第五種可能的實施方式，其中，所述存儲器包括以下任意一種或多種：安全數(shù)碼卡、Micro SD卡、固態(tài)存儲器、硬盤和閃存驅(qū)動器。
[0023]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第六種可能的實施方式，其中，所述供電電源包括以下任意一種或多種：原電池、堿電池、鋰電池和蓄電池。
[0024]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第七種可能的實施方式，其中，所述供電電源提供的電壓值大于15V且小于50V。
[0025]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第八種可能的實施方式，其中，所述單片機還用于將外部模擬信號轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號；將所述數(shù)字信號發(fā)送至所述存儲器中進行數(shù)據(jù)存儲。
[0026]結(jié)合第一方面，本申請實施例提供了第一方面的第九種可能的實施方式，其中，所述降低后的電壓大于3.3V且小于3.9V。
[0027]本申請實施例提供的一種數(shù)據(jù)自毀電路，所述數(shù)據(jù)自毀電路包括：供電電源、電源芯片、第一二極管、單片機、自毀電路、多個并聯(lián)連接的存儲器、每個存儲器分別與對應(yīng)的保險絲連接；供電電源分別與電源芯片和自毀電路連接；每個存儲器分別通過保險絲與第一二極管和自毀電路連接；電源芯片分別與第一二極管和單片機連接；單片機分別與存儲器和自毀電路連接；電源芯片用于降低供電電源的電壓，并利用降低后的電壓對存儲器和單片機供電；單片機用于向自毀電路發(fā)送觸發(fā)電平；第一二極管用于在自毀電路接收到觸發(fā)電平后，阻止供電電源的電流反向流至電源芯片；自毀電路用于在接收到觸發(fā)電平后導(dǎo)通，供電電源的電流分別經(jīng)過自毀電路和保險絲流向存儲器；保險絲用于在存儲器短路時斷開。本申請實施例采用同一個供電電源為單片機、存儲器和自毀電路供電，當(dāng)供電電源的電壓通過自毀電路和保險絲同時流向多個存儲器后導(dǎo)致數(shù)據(jù)自毀并使保險絲斷開，同時電源芯片受到第一二極管的反向保護使得電源芯片和單片機正常工作，從而實現(xiàn)在一個供電條件下，多個存儲器同時進行物理自毀，同時保持單片機一直正常工作的目的。
[0028]為使本申請的上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合所附附圖，作詳細說明如下。
附圖說明
[0029]為了更清楚地說明本申請實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本申請的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。
[0030]圖1示出了本申請實施例所提供的一種數(shù)據(jù)自毀電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2示出了本申請實施例所提供的第二種數(shù)據(jù)自毀電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖3示出了本申請實施例所提供的第三種數(shù)據(jù)自毀電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖4示出了本申請實施例所提供的第四種數(shù)據(jù)自毀電路的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
[0034]為使本申請實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本申請實施例中附圖，對本申請實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本申請一部分實施例，而不是全部的實施例。通常在此處附圖中描述和示出的本申請實施例的組件可以以各種不同的配置來布置和設(shè)計。因此，以下對在附圖中提供的本申請的實施例的詳細描述并非旨在限制要求保護的本申請的范圍，而是僅僅表示本申請的選定實施例。基于本申請的實施例，本領(lǐng)域技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本申請保護的范圍。
[0035]近年來，受單個存儲器容量限制，一些存儲設(shè)備開始采用矩陣控制器接至多個存儲器進行容量本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護點】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種數(shù)據(jù)自毀電路，其特征在于，包括：供電電源、電源芯片、第一二極管、單片機、自毀電路、多個并聯(lián)連接的存儲器、每個所述存儲器分別與對應(yīng)的保險絲連接；所述供電電源分別與所述電源芯片和所述自毀電路連接；每個所述存儲器分別通過所述保險絲與所述第一二極管和所述自毀電路連接；所述電源芯片分別與所述第一二極管和所述單片機連接；所述單片機分別與所述存儲器和所述自毀電路連接；所述電源芯片用于降低所述供電電源的電壓，并利用降低后的電壓對所述存儲器和所述單片機供電；所述單片機用于向所述自毀電路發(fā)送觸發(fā)電平；所述第一二極管用于在所述自毀電路接收到所述觸發(fā)電平后，阻止所述供電電源的電流反向流至所述電源芯片；所述自毀電路用于在接收到所述觸發(fā)電平后導(dǎo)通，所述供電電源的電流分別經(jīng)過所述自毀電路和所述保險絲流向所述存儲器；所述保險絲用于在所述存儲器短路時斷開。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)自毀電路，其特征在于，所述自毀電路包括：MOS管；所述MOS管用于在接收到所述觸發(fā)電平后導(dǎo)通。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)自毀電路，其特征在于，所述自毀電路還包括：第二二極管；所述第二二極管用于阻止所述供電電源的電流經(jīng)過所述電源芯片和所述第一二極管反向流至所述MOS管。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)自毀電路，其特征在于，所述...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：吳忠勛，馮海泓，朱冬青，薛強，王力，
申請(專利權(quán))人：嘉興中科聲學(xué)科技有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：
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