【技術實現步驟摘要】
一種常溫氫氦分離儲存一體化裝置及方法
本專利技術屬于氣體分離領域,具體涉及一種常溫氫氦分離儲存一體化裝置及方法。
技術介紹
聚變堆中產氚包層載氣提取以及氚儲存容器長期存放后都涉及到氫氦分離。產氚包層載氣提取采用0.1%H2/He吹掃輻照后的增殖劑小球,將其產生的氚從表面帶走,為了獲得氫同位素氣體以及氦氣的重復利用,必須將氫氦氣體進行分離。對于氚儲存容器而言,由于氚衰變會產生3He,每年的衰變量約為5%,因此長期存放后也必須進行氫氦分離,將衰變產生的3He去除。目前,氫氦分離一般采用低溫吸附分離或鈀膜分離技術。低溫吸附分離技術是在77K下采用分子篩床吸附氫,去除氦,隨后再升溫解吸得到氫。但是該工藝需在液氮溫度下分離,常溫下解吸,能耗較高。此外,盡管低溫吸附分離尾氣的氦濃度很高,可達99.99%,但其解吸再生的氫氣一般含有10%甚至更高的氦氣,往往還需要通過串聯鈀膜進行深度分離,增加了工藝的復雜程度以及能耗。鈀膜分離一般用于高濃氫的氫氦分離,但鈀膜本身價格昂貴,且分離使用溫度和壓力較高(>623K,2bar),存在氚滲透風險,從經濟性和安全性角度考并不是好的選擇。此外,鈀膜分離無法獲取純凈的氦氣,分離的氦氣中還有一定量的氫氣。專利201810308806.5提出了一種從含氫的氦氣中提取純氦的工藝,具體包含壓縮單元、甲烷化單元、第一氣體分離單元、催化氧化脫氫單元、第二氣體分離單元等,該工藝可以獲得高純氦,但無法獲得純氫,且過程繁瑣。專利201410612052.4提出了一種氫氦混合氣體分離與 ...
【技術保護點】
1.一種常溫氫氦分離儲存一體化裝置,其特征在于,所述的常溫氫氦分離儲存一體化裝置包括依次連接的增壓泵I(1),流量計(3),第一儲氫床(5),第二儲氫床(8),四級桿質譜(12),增壓泵II(14),氦氣儲存罐(15)和儲氫儲存罐(16);其中,增壓泵I(1)通過背壓閥(2)與流量計(3)相連,第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)的進口端分別通過閥門I(4)、閥門III(7)與流量計(3)相連;第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)的出口端分別通過閥門II(6)、閥門IV(9)連接至閥門VII(13),閥門VII(13)后端連接有氦氣儲存罐(15),閥門VII(13)前端設有支路I,支路I連接有四極桿質譜(12);第一儲氫床(5)和閥門II(6)的連接管路設有支路II,支路II通過閥門V(10)與增壓泵II(14)相連;第二儲氫床(8)和閥門IV(9)的連接管路設有支路III,支路III通過閥門VI(11)與增壓泵II(14)相連;增壓泵II(14)后端連接有氫氣儲存罐(16),前端設有支路IV,支路IV連接四極桿質譜(12);所述第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)內部裝填有儲氫材料。/n
【技術特征摘要】
1.一種常溫氫氦分離儲存一體化裝置,其特征在于,所述的常溫氫氦分離儲存一體化裝置包括依次連接的增壓泵I(1),流量計(3),第一儲氫床(5),第二儲氫床(8),四級桿質譜(12),增壓泵II(14),氦氣儲存罐(15)和儲氫儲存罐(16);其中,增壓泵I(1)通過背壓閥(2)與流量計(3)相連,第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)的進口端分別通過閥門I(4)、閥門III(7)與流量計(3)相連;第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)的出口端分別通過閥門II(6)、閥門IV(9)連接至閥門VII(13),閥門VII(13)后端連接有氦氣儲存罐(15),閥門VII(13)前端設有支路I,支路I連接有四極桿質譜(12);第一儲氫床(5)和閥門II(6)的連接管路設有支路II,支路II通過閥門V(10)與增壓泵II(14)相連;第二儲氫床(8)和閥門IV(9)的連接管路設有支路III,支路III通過閥門VI(11)與增壓泵II(14)相連;增壓泵II(14)后端連接有氫氣儲存罐(16),前端設有支路IV,支路IV連接四極桿質譜(12);所述第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)內部裝填有儲氫材料。
2.如權利要求1所述的常溫氫氦分離儲存一體化裝置,其特征在于,所述裝置還包括加熱組件和制冷組件,其中加熱組件為分別纏繞在第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8外周的彈簧加熱器,制冷組件為裝有可流動冷水的容器,所述第一儲氫床(5)和第二儲氫床(8)放置于所述容器內。
3.如權利要求1所述的常溫氫氦分離儲存一體化裝置,其特征在于,所述第一儲氫床(5)、第二儲氫床(8)均為U型結構,二者內部儲氫材料為鋯鈷合金、海綿鈀或碳納米管中的一種。
4.一種基于權利要求1-3任一項所述的常溫氫氦分離儲存一體化裝置的常溫氫氦分離儲存一體化方法,其特征在于,該方法具體包括如下步驟:
S1.打開增壓泵I(1),將背壓閥(2)的進料壓力設定為P,打開閥門I(4)、閥門II(6)和閥門VII(13),將氫氦混合氣通入第一儲氫床(5)中,同時控制氫氦混合氣通入流量為0~400mL/min,此時第一儲氫床(5)處于工作狀態,第二儲氫床(8)處于閑置狀態;
S2.當四級桿質譜(12)出現氫氣信號時,關閉閥門I(4)和閥門...
【專利技術屬性】
技術研發人員:岳磊,彭述明,王和義,肖成建,李佳懋,陳超,龔宇,侯京偉,趙林杰,
申請(專利權)人:中國工程物理研究院核物理與化學研究所,
類型:發明
國別省市:四川;51
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