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    氣敏材料及其制備方法、氣敏裝置及其制備方法制造方法及圖紙

    技術(shù)編號:28939395 閱讀:33 留言:0更新日期:2021-06-18 21:41
    本發(fā)明專利技術(shù)公開一種氣敏材料及其制備方法、氣敏裝置及其制備方法,涉及功能材料技術(shù)領(lǐng)域。所述微納米復(fù)合銀膏包括碳氮化合物。碳氮化合物中存在sp

    【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
    氣敏材料及其制備方法、氣敏裝置及其制備方法
    本專利技術(shù)涉及功能材料
    ,特別涉及一種氣敏材料及其制備方法、氣敏裝置及其制備方法。
    技術(shù)介紹
    氣敏材料用來檢測氣體濃度和成分,它對于環(huán)境保護和安全監(jiān)督方面起著極重要的作用。氣敏材料是暴露在各種成分的氣體中使用的,由于檢測現(xiàn)場溫度、濕度的變化很大,又存在大量粉塵和油霧等,所以其工作條件較惡劣,而且氣體對傳感元件的材料會產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)物,附著在元件表面,往往會使其性能變差。所以對氣敏傳材料有下列要求:能夠檢測報警氣體的允許濃度和其他標(biāo)準(zhǔn)數(shù)值的氣體濃度,能長期穩(wěn)定工作,重復(fù)性好,響應(yīng)速度快,共存物質(zhì)所產(chǎn)生的影響小等。常見的氣敏材料有半導(dǎo)體氧化物,如ZnO、CuO等,然而上述氣敏材料的靈敏度不夠。
    技術(shù)實現(xiàn)思路
    本專利技術(shù)的主要目的是提出一種氣敏材料及其制備方法、氣敏裝置及其制備方法,旨在提出一種靈敏度高的氣敏材料。為實現(xiàn)上述目的,本專利技術(shù)提出一種氣敏材料,所述氣敏材料包括碳氮化合物。可選地,所述碳氮化合物包括具有如下結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)和(Ⅱ)所示的化合物中的至少一種:可選地,所述碳氮化合物包括具有如下結(jié)構(gòu)式(Ⅱ)所示的化合物:本專利技術(shù)進一步提出一種氣敏材料的制備方法,包括以下步驟:將二氰酰胺在500~600℃下加熱3~5h后,冷卻至室溫得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)所示的化合物;本專利技術(shù)進一步提出一種氣敏材料的制備方法,包括以下步驟:S10、將二氰酰胺在500~600℃下加熱3~5h后,冷卻至室溫得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)所示的化合物Ⅰ;S20、將化合物Ⅰ與氯化鉀及氯化鋰混合研磨后,在500~600℃下加熱3~5h,得到混合固體;S30、將所述混合固體用水沖洗后,真空干燥,得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅱ)所示的化合物Ⅱ;其中,所述氣敏材料包括所述化合物Ⅱ或所述化合物Ⅰ與所述化合物Ⅱ中的混合物。可選地,在步驟S10中,所述二氰酰胺的加熱溫度為550℃,加熱時間為4h;和/或,在步驟S10中,加熱所述二氰酰胺時,升溫速率為2.2℃/min;和/或,在步驟S20中,加熱溫度為550℃,加熱時間為4h;和/或,在步驟S20中,加熱時的升溫速率為5℃/min。本專利技術(shù)進一步提出一種氣敏裝置,包括:基板;陶瓷片,設(shè)于所述基板上;電極,設(shè)于所述陶瓷片背離所述基板的一側(cè),所述電極的表面涂覆有氣敏材料,所述氣敏材料為如上所述的氣敏材料。可選地,所述氣敏裝置用于檢測氣體C2H5OH、CH3OH、H2、N2、NO、丙酮、甲苯。可選地,所述氣敏裝置用于檢測氣體甲苯。可選地,所述基板的材質(zhì)包括玻璃;和/或,所述氣敏裝置為氣敏傳感器。本專利技術(shù)進一步提出一種如上所述的氣敏裝置的制備方法,包括以下步驟:S100、提供電極、陶瓷片和基板,將電極固定在陶瓷片上,將陶瓷片固定在基板上;S200、將氣敏材料分散在乙醇中形成分散液,將所述分散液滴加到所述電極上,使所述分散液完全覆蓋所述電極;S300、除去所述分散液中的乙醇,得到氣敏裝置。本專利技術(shù)提供的技術(shù)方案中,提出一種氣敏材料,氣敏材料包括碳氮化合物,碳氮化合物中存在sp2雜化的氮原子,使得碳氮化合物中存在孤對電子,這有利于靶氣體的吸附,從而提高氣敏靈敏度,此外,一般情況下,碳氮化合物具有較大的比表面積和良好的化學(xué)穩(wěn)定性,提高了氣敏性能,使得其作為氣敏材料性能穩(wěn)定。本專利技術(shù)提出的氣敏材料,靈敏度高,可廣泛應(yīng)用于氣敏檢測中。附圖說明為了更清楚地說明本專利技術(shù)實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本專利技術(shù)的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。圖1為本專利技術(shù)提出的氣敏裝置的一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖;圖2為圖1所示的氣敏裝置的制備方法的流程圖;圖3為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的XRD圖和SAED圖像;圖4為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的TEM圖;圖5為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的N2等溫吸附解吸曲線及孔徑測試;圖6為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的光譜分析;圖7為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的XPS高分辨率模型;圖8為實施例1制備的PCN和實施例2制備的CCN的紅外光譜和ESR譜;圖9為實施例6制備的PCN氣敏傳感器和實施例7制備CCN氣敏傳感器的氣體傳感性能測試;圖10為實施例6制備的PCN氣敏傳感器和實施例7制備CCN氣敏傳感器的氣敏性測定;圖11實施例7制備CCN氣敏傳感器的響應(yīng)恢復(fù)性能測定。附圖標(biāo)號說明:1基板4氣敏材料2陶瓷片5銀膏3電極本專利技術(shù)目的的實現(xiàn)、功能特點及優(yōu)點將結(jié)合實施例,參照附圖做進一步說明。具體實施方式下面將結(jié)合本專利技術(shù)實施例中的附圖,對本專利技術(shù)實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本專利技術(shù)的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本專利技術(shù)中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本專利技術(shù)保護的范圍。需要說明,若本專利技術(shù)實施例中有涉及方向性指示(諸如上、下、左、右、前、后、外、內(nèi)……),則該方向性指示僅用于解釋在某一特定姿態(tài)(如附圖所示)下各部件之間的相對位置關(guān)系、運動情況等,如果該特定姿態(tài)發(fā)生改變時,則該方向性指示也相應(yīng)地隨之改變。另外,若本專利技術(shù)實施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述,則該“第一”、“第二”等的描述僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示其相對重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。另外,全文中出現(xiàn)的“和/或”的含義,包括三個并列的方案,以“A和/或B”為例,包括A方案、或B方案、或A和B同時滿足的方案。另外,各個實施例之間的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域普通技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實現(xiàn)時應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本專利技術(shù)要求的保護范圍之內(nèi)。常見的氣敏材料有半導(dǎo)體氧化物,如ZnO、CuO等,然而上述氣敏材料的靈敏度不夠。鑒于此,本專利技術(shù)提出一種氣敏材料,旨在提出一種靈敏度高的氣敏材料。本專利技術(shù)提出的氣敏材料,包括碳氮化合物。本專利技術(shù)提出一種氣敏材料,氣敏材料包括碳氮化合物,碳氮化合物中存在sp2雜化的氮原子,使得碳氮化合物中存在孤對電子,這有利于靶氣體的吸附,從而提高氣敏靈敏度,本文檔來自技高網(wǎng)...

    【技術(shù)保護點】
    1.一種氣敏材料,其特征在于,所述氣敏材料包括碳氮化合物。/n

    【技術(shù)特征摘要】
    1.一種氣敏材料,其特征在于,所述氣敏材料包括碳氮化合物。


    2.如權(quán)利要求1所述的氣敏材料,其特征在于,所述碳氮化合物包括具有如下結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)和(Ⅱ)所示的化合物中的至少一種:





    3.如權(quán)利要求2所述的氣敏材料,其特征在于,所述碳氮化合物包括具有如下結(jié)構(gòu)式(Ⅱ)所示的化合物:





    4.一種氣敏材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
    將二氰酰胺在500~600℃下加熱3~5h后,冷卻至室溫得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)所示的化合物;





    5.一種氣敏材料的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
    S10、將二氰酰胺在500~600℃下加熱3~5h后,冷卻至室溫得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅰ)所示的化合物Ⅰ;
    S20、將所述化合物Ⅰ與氯化鉀及氯化鋰混合研磨后,在500~600℃下加熱3~5h,得到混合固體;
    S30、將所述混合固體用水沖洗后,真空干燥,得到具有結(jié)構(gòu)式(Ⅱ)所示的化合物Ⅱ;



    其中,所述氣敏材料包括所述化合物Ⅱ或所...

    【專利技術(shù)屬性】
    技術(shù)研發(fā)人員:谷占勇
    申請(專利權(quán))人:谷占勇
    類型:發(fā)明
    國別省市:河北;13

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