本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)涉及一種使用納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法。該使用納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法包括：在由納米氟隆形成的第一納米氟隆層上方定位第一絕緣層；在所述第一絕緣層上方形成第一導(dǎo)電層；蝕刻所述第一導(dǎo)電層以形成發(fā)送或接收信號(hào)的第一圖案；以及在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地(GND)層，其中，納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。根據(jù)本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)，通過(guò)在高電壓下靜電紡絲樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料被用作傳輸線(xiàn)的電介質(zhì)，使得傳輸線(xiàn)的電介質(zhì)具有低介電常數(shù)并且能夠在低介電常數(shù)狀態(tài)下減小損耗正切值。此外，根據(jù)本發(fā)明專(zhuān)利技術(shù)的使用納米結(jié)構(gòu)材料的傳輸線(xiàn)可以用作低損耗扁平電纜，用于降低在五代移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)(5G Network)中使用的從3.5GHz頻帶到28GHz頻帶中超高頻信號(hào)的傳輸損耗。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法
本專(zhuān)利技術(shù)涉及一種傳輸線(xiàn)，更具體地，涉及一種使用通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料來(lái)制造傳輸線(xiàn)的方法。
技術(shù)介紹
為了以低損耗傳輸或處理超高頻信號(hào)，低損耗和高性能傳輸線(xiàn)是必要的。通常，傳輸線(xiàn)處的損耗大致分為由金屬引起的導(dǎo)體損耗和由電介質(zhì)引起的介電損耗。特別地，當(dāng)電介質(zhì)的介電常數(shù)較高時(shí)，由電介質(zhì)引起的損耗增加，并且當(dāng)電阻較大時(shí)，功率損耗增加。因此，為了制造用于傳輸超高頻信號(hào)的低損耗和高性能傳輸線(xiàn)，必須使用具有低介電常數(shù)和小損耗正切的材料。特別地，為了有效地發(fā)送在5G移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中使用的具有3.5GHz頻帶到28GHz頻帶中的頻率的信號(hào)，甚至在超高頻帶中具有低損耗的傳輸線(xiàn)和天線(xiàn)的重要性也越來(lái)越增加。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
技術(shù)問(wèn)題本專(zhuān)利技術(shù)旨在提供一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法，該納米結(jié)構(gòu)材料具有低介電常數(shù)并且能夠在該低介電常數(shù)下減小損耗正切值，以減小由電介質(zhì)引起的傳輸線(xiàn)損耗，從而滿(mǎn)足低損耗和高性能傳輸線(xiàn)的需要。技術(shù)方案根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的一個(gè)方面，提供了一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法。該方法包括：在包括納米氟隆的第一納米氟隆層上方定位第一絕緣層；在所述第一絕緣層上方形成第一導(dǎo)電層；通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第一圖案；以及在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層。這里，納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的另一個(gè)方面，提供了一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法。該方法包括：在第一絕緣層上形成第一導(dǎo)電層；在包括納米氟隆的第一納米氟隆層上方定位所述第一絕緣層；通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第一圖案；以及在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層。這里，納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。形成所述第一圖案可以包括通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成接地線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)。所述方法可進(jìn)一步包括：在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上定位第二納米氟隆層并且所述第一絕緣層通過(guò)所述蝕刻暴露；以及在所述第二納米氟隆層上定位第二接地層。所述方法可進(jìn)一步包括：在形成于所述第一絕緣層上的所述第一圖案上定位第二納米氟隆層并且所述第一絕緣層通過(guò)所述蝕刻暴露；在所述第二納米氟隆層上定位第二接地層；在所述第二接地層上定位第三納米氟隆層；在所述第三納米氟隆層上定位第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成第二導(dǎo)電層；以及通過(guò)蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第二圖案。形成所述第二圖案可以包括通過(guò)蝕刻所述第二導(dǎo)電層形成信號(hào)傳輸線(xiàn)和接地端子。所述方法可進(jìn)一步包括：在形成于所述第二絕緣層上的所述第二圖案上定位第四納米氟隆層并且所述第二絕緣層通過(guò)所述蝕刻暴露；以及在所述第四納米氟隆層上定位第三接地層。可通過(guò)使用粘合帶或粘合劑或使用其中將熱施加到粘合帶上的熱粘合的粘合來(lái)進(jìn)行定位。有益效果根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例，在使用納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法中，通過(guò)將在高電壓下靜電紡絲樹(shù)脂形成的納米結(jié)構(gòu)材料用作傳輸線(xiàn)的電介質(zhì)，可以使得作為傳輸線(xiàn)的電介質(zhì)的介電常數(shù)低，并且損耗正切值可以在低介電常數(shù)下減小。特別地，根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的實(shí)施例的根據(jù)制造傳輸線(xiàn)的方法制造的傳輸線(xiàn)可以用作低損耗扁平電纜，用于降低五代(5G)移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)中使用的從3.5GHz到28GHz的頻帶中高頻信號(hào)的傳輸損耗。附圖說(shuō)明圖1示出了一種通過(guò)靜電紡絲制造納米氟隆的設(shè)備的示例；圖2示出了帶狀線(xiàn)傳輸線(xiàn)的示例；圖3是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第一實(shí)施例的橫截面視圖；圖4是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的根據(jù)傳輸線(xiàn)制造方法的與第一納米氟隆層的粘合的傳輸線(xiàn)的橫截面視圖；圖5是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第二實(shí)施例的橫截面視圖；圖6是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第三實(shí)施例的橫截面視圖；圖7是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的根據(jù)傳輸線(xiàn)制造方法的與第二納米氟隆層610的粘合的傳輸線(xiàn)的橫截面視圖；圖8是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第四實(shí)施例的橫截面視圖；圖9是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第五實(shí)施例的橫截面視圖；圖10是示出根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用傳輸線(xiàn)制造方法制造的傳輸線(xiàn)的第六實(shí)施例的橫截面視圖；圖11示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第一實(shí)施例；圖12示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第二實(shí)施例；圖13示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第三實(shí)施例；圖14示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第四實(shí)施例；圖15示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第五實(shí)施例；圖16示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第六實(shí)施例；圖17a、圖17b和圖17c示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第七實(shí)施例；圖18a、圖18b、18c和圖18d示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第八實(shí)施例；圖19a和圖19b示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第九實(shí)施例；以及圖20a和圖20b示出了根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法的第十實(shí)施例。具體實(shí)施方式在下文中，將參考所附附圖詳細(xì)描述本專(zhuān)利技術(shù)的示例性實(shí)施方式。由于說(shuō)明書(shū)中公開(kāi)的實(shí)施例和附圖中示出的部件僅僅是本專(zhuān)利技術(shù)的示例性實(shí)施例，并且不表示本專(zhuān)利技術(shù)的技術(shù)概念的整體，應(yīng)當(dāng)理解，在本申請(qǐng)?zhí)峤粫r(shí)可以存在能夠替代實(shí)施例和部件的各種等同物和修改。首先，將描述在根據(jù)本專(zhuān)利技術(shù)的使用納米結(jié)構(gòu)材料的傳輸線(xiàn)中使用的納米結(jié)構(gòu)材料。納米結(jié)構(gòu)材料是指通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的材料，在本文中將其稱(chēng)為納米氟隆。圖1示出了一種通過(guò)靜電紡絲制造納米氟隆的設(shè)備的示例。當(dāng)將包括聚合物的聚合物溶液注入注射器中并且施加高電壓并且聚合物溶液以一定速度流入注射器和在其上進(jìn)行紡絲的基板之間時(shí)，由于表面張力將電施加到從毛細(xì)管末端懸浮的液體上，納米尺寸的線(xiàn)形成，并且隨著時(shí)間的推移，作為納米結(jié)構(gòu)材料的非織造納米纖維累積。通過(guò)如上所述累積納米纖維形成的材料是納米氟隆。作為用于靜電紡絲的聚合物材料，例如有聚氨酯(PU)、聚偏二氟乙烯(PVDF)、尼龍(聚酰胺)、聚丙烯腈(PAN)等。由于低介電常數(shù)和大量空氣，納米氟隆可以用作傳輸線(xiàn)的電介質(zhì)。圖2示出了帶狀線(xiàn)傳輸線(xiàn)200的示例。參照?qǐng)D2，帶狀線(xiàn)傳輸線(xiàn)200可以包括發(fā)送信號(hào)的信號(hào)線(xiàn)210、圍繞信號(hào)線(xiàn)210的電介質(zhì)220以及用作外屏蔽的導(dǎo)體230。圖本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法，該方法包括：/n在包括納米氟隆的第一納米氟隆層上方定位第一絕緣層；/n在所述第一絕緣層上方形成第一導(dǎo)電層；/n通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第一圖案；以及/n在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層，/n其中，所述納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。/n
【技術(shù)特征摘要】
【國(guó)外來(lái)華專(zhuān)利技術(shù)】20180831 KR 10-2018-01039231.一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法，該方法包括：
在包括納米氟隆的第一納米氟隆層上方定位第一絕緣層；
在所述第一絕緣層上方形成第一導(dǎo)電層；
通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第一圖案；以及
在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層，
其中，所述納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。
2.一種使用通過(guò)靜電紡絲形成的納米結(jié)構(gòu)材料制造傳輸線(xiàn)的方法，該方法包括：
在第一絕緣層上方形成第一導(dǎo)電層；
在包括納米氟隆的第一納米氟隆層上方定位所述第一絕緣層；
通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成發(fā)送和接收信號(hào)的第一圖案；以及
在所述第一納米氟隆層下方定位第一接地層，
其中，所述納米氟隆是通過(guò)在高電壓下靜電紡絲液體樹(shù)脂而形成的納米結(jié)構(gòu)材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任一項(xiàng)所述的方法，其中，形成所述第一圖案包括通過(guò)蝕刻所述第一導(dǎo)電層形成接地線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1和2中任一項(xiàng)所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括：
【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：金炳南，姜敬逸，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：信思優(yōu)有限公司，
類(lèi)型：發(fā)明
國(guó)別省市：韓國(guó);KR
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