一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，該吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內(nèi)貫穿罐體、并延伸至罐體的內(nèi)部，在罐體內(nèi)的吸雜管與罐體的內(nèi)壁之間形成有便于盛裝雜質(zhì)底料的吸雜腔室，在罐體內(nèi)的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質(zhì)底料進(jìn)入吸雜腔室的吸雜間隙。該吸雜罐設(shè)計合理、簡單實(shí)用，能夠?qū)尉t內(nèi)拉棒后剩余的高雜質(zhì)含量的堝底料吸出，既增加了單晶爐的單次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒間的質(zhì)量差異性。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐
本技術(shù)涉及單晶拉晶
，特別是一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐。
技術(shù)介紹
目前，單晶拉棒由于采用了二次加料的方式，較傳統(tǒng)的拉制一根棒停爐一次有顯著改善，現(xiàn)有技術(shù)一般可達(dá)到多根棒才停爐一次。但是，由于多次加料導(dǎo)致雜質(zhì)富集在坩堝底部，因而拉制多根單晶棒后即無法再通過二次加料的方式進(jìn)行繼續(xù)拉棒，需停爐清理，造成了無形的成本增加；并且，由于雜質(zhì)的富集，拉制晶棒到三根以后，晶棒質(zhì)量也會呈現(xiàn)明顯的降低趨勢。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種能夠?qū)尉t內(nèi)拉棒后剩余的高雜質(zhì)含量的堝底料吸出，有效增加拉棒量，并且顯著降低多次拉棒晶棒間質(zhì)量差異性的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題是通過以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。本技術(shù)是一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，該吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內(nèi)貫穿罐體、并延伸至罐體的內(nèi)部，在罐體內(nèi)的吸雜管與罐體的內(nèi)壁之間形成有便于盛裝雜質(zhì)底料的吸雜腔室，在罐體內(nèi)的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質(zhì)底料進(jìn)入吸雜腔室的吸雜間隙。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，對于以上所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，所述吸雜管垂直插裝在罐體上。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，對于以上所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，所述罐體呈圓柱狀，密封板呈圓盤狀，吸雜管呈圓管狀。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，對于以上所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，所述罐體的直徑為200-400mm，罐體的高度為250-400mm，罐體的厚度為8-20mm；密封板的厚度為10-40mm；吸雜管的總長度為280-400mm，罐體外的吸雜管的長度為70-150mm，吸雜管的內(nèi)徑為10-20mm，吸雜管的厚度為8-30mm。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，對于以上所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，吸雜管側(cè)的罐體的端部均設(shè)置有倒圓角。本技術(shù)所要解決的技術(shù)問題還可以通過以下的技術(shù)方案來進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)，對于以上所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，所述罐體、密封板、吸雜管均采用高純二氧化硅或氧化鋁制成。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)是針對單晶爐拉棒多次加料后，雜質(zhì)富集無法拉制更多晶棒和后期晶棒質(zhì)量降低的問題而設(shè)計的，通過此吸雜罐將拉棒后剩余的高雜質(zhì)含量的堝底料吸出，從而達(dá)到增加拉棒量的拉制目的，并且由于高雜質(zhì)堝底料被吸出，多次拉棒晶棒間質(zhì)量差異性顯著降低，綜合達(dá)到了降低拉晶成本和提高產(chǎn)品質(zhì)量的目標(biāo)；使用時，先將罐體抽成負(fù)壓，然后將吸雜罐伸入單晶爐，利用氣壓差將單晶爐內(nèi)的雜質(zhì)底料吸入罐體內(nèi)，從而完成單晶爐的快速除雜，便于繼續(xù)拉棒。該吸雜罐設(shè)計合理、簡單實(shí)用，能夠?qū)尉t內(nèi)拉棒后剩余的高雜質(zhì)含量的堝底料吸出，既增加了單晶爐的單次拉棒量，又降低了多次拉棒晶棒間的質(zhì)量差異性。附圖說明圖1為本技術(shù)的一種結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式為使本技術(shù)實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本技術(shù)附圖，對本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本技術(shù)一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本技術(shù)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。參照圖1，一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，該吸雜罐包括罐體1，罐體1的一端采用密封板2密封，罐體1的另一端插裝有吸雜管3，吸雜管3的一端由外至內(nèi)貫穿罐體1、并延伸至罐體1的內(nèi)部，在罐體1內(nèi)的吸雜管3與罐體1的內(nèi)壁之間形成有便于盛裝雜質(zhì)底料的吸雜腔室4，在罐體1內(nèi)的吸雜管3的端部與密封板2之間形成有便于雜質(zhì)底料進(jìn)入吸雜腔室4的吸雜間隙5。罐體1的一端通過密封板2密封，另一端插裝吸雜管3，從而在罐體1內(nèi)形成封閉的空間，只有吸雜管3一個進(jìn)出口，從而便于利用吸雜管3伸入單晶爐內(nèi)，利用壓力差，將單晶爐內(nèi)的雜質(zhì)底料從吸雜管3吸入，經(jīng)過吸雜間隙5，進(jìn)入吸雜腔室4內(nèi)，從而實(shí)現(xiàn)對單晶爐的不停爐，提高單晶爐的拉棒量，保證單晶爐的拉棒質(zhì)量；吸雜腔室4的設(shè)置，用于防止在吸雜管3拉出單晶爐時，雜質(zhì)底料從罐體1內(nèi)掉落，保證吸雜效果。所述吸雜管3垂直插裝在罐體1上，方便將吸雜管3與罐體1進(jìn)行固定連接，也便于吸雜管3的使用，在將吸雜管3伸入單晶爐時，罐體1不容易與單晶爐發(fā)生碰撞。所述罐體1呈圓柱狀，密封板2呈圓盤狀，吸雜管3呈圓管狀，方便設(shè)計和制作，同時，便于將吸雜管3插入單晶爐內(nèi)，對單晶爐內(nèi)的雜質(zhì)底料進(jìn)行吸取。所述罐體1的直徑為200-400mm，罐體1的高度為250-400mm，罐體1的厚度為8-20mm；密封板2的厚度為10-40mm；吸雜管3的總長度為280-400mm，罐體1外的吸雜管3的長度為70-150mm，吸雜管3的內(nèi)徑為10-20mm，吸雜管3的厚度為8-30mm；優(yōu)選的，所述罐體1的直徑為300mm，罐體1的高度為300mm，罐體1的厚度為15mm；密封板2的厚度為30mm；吸雜管3的總長度為300mm，罐體1外的吸雜管3的長度為100mm，吸雜管3的內(nèi)徑為15mm，吸雜管3的厚度為15mm。吸雜管3側(cè)的罐體1的端部均設(shè)置有倒圓角6，便于吸雜管3更好的插裝到單晶爐內(nèi)，避免在將吸雜管3插入單晶爐內(nèi)時，罐體1的端部與單晶爐發(fā)生碰撞，影響吸雜操作。所述罐體1、密封板2、吸雜管3均采用高純二氧化硅或氧化鋁制成。高純二氧化硅通常指二氧化硅中含有的金屬雜質(zhì)總量小于十萬分之一，單個非金屬雜質(zhì)含量小于十萬分之一，其用途主要是作集成電路封裝劑的填料和制造高純石英玻璃的原料。耐高溫：二氧化硅玻璃的軟化點(diǎn)溫度約1730℃，可在1180℃下長時間使用,短時間最高使用溫度可達(dá)1450℃；氧化鋁氧化鋁是一種無機(jī)物，是一種高硬度的化合物，熔點(diǎn)為2054℃，沸點(diǎn)為2980℃，在高溫下可電離的離子晶體，常用于制造耐火材料。采用高純二氧化硅或氧化鋁制作罐體1、密封板2、吸雜管3可有效適用于單晶爐的高溫環(huán)境，實(shí)際應(yīng)用時，可在吸雜罐外加裝石墨外殼加以保護(hù)，進(jìn)一步保證吸雜的可靠性。本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
1.一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，其特征在于：該吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內(nèi)貫穿罐體、并延伸至罐體的內(nèi)部，在罐體內(nèi)的吸雜管與罐體的內(nèi)壁之間形成有便于盛裝雜質(zhì)底料的吸雜腔室，在罐體內(nèi)的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質(zhì)底料進(jìn)入吸雜腔室的吸雜間隙。/n
【技術(shù)特征摘要】
1.一種用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，其特征在于：該吸雜罐包括罐體，罐體的一端采用密封板密封，罐體的另一端插裝有吸雜管，吸雜管的一端由外至內(nèi)貫穿罐體、并延伸至罐體的內(nèi)部，在罐體內(nèi)的吸雜管與罐體的內(nèi)壁之間形成有便于盛裝雜質(zhì)底料的吸雜腔室，在罐體內(nèi)的吸雜管的端部與密封板之間形成有便于雜質(zhì)底料進(jìn)入吸雜腔室的吸雜間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，其特征在于：所述吸雜管垂直插裝在罐體上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于清理單晶爐內(nèi)雜質(zhì)底料的吸雜罐，其特征在于：所述罐體呈圓柱狀，密封板呈圓盤狀，吸雜管呈圓管狀。
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：陳夢楠，
申請(專利權(quán))人：江蘇神匯新材料科技有限公司，
類型：新型
國別省市：江蘇;32
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