IC測試探針結構及其制作方法技術

本發明專利技術提供一種IC測試探針結構及其制作方法，涉及芯片技術，其中，IC測試探針結構，包括基板，以及連接于所述基板上的探針；所述基板表面設有多個機械定位孔，當所述基板基于多個所述機械定位孔封裝到硅片上后，所述探針與所述硅片的待測點對齊。本發明專利技術僅需在芯片設計時匹配硅片和基板的尺寸及漲縮對位，然后制作一整片相對應的探針板，以便使其可以一次性完成所有芯片單元的測試，極大地提高了芯片的測試效率，是對當前芯片尺寸進入50μm以下甚至10μm以下的封裝制程時的測試方法的一種提升。

【技術實現步驟摘要】
IC測試探針結構及其制作方法
本專利技術涉及芯片技術，尤其涉及一種IC測試探針結構及其制作方法。
技術介紹
芯片的制作流程流程大致可分為單晶硅片的制作，在硅片上制作電極然后切割成單顆芯片。為了保證芯片的功能性滿足要求，一般均需要對單顆芯片進行點對點的測試。傳統的測試方法為采用特定數量的探針逐芯片進行測試確認，目前產業中普遍產能水準是40K/h。然而，隨著科技的發展，芯片越來越小，當芯片越來越小，需要測試芯片的數量越來越多時，現有技術的方法難以避免地陷入了效率低下的挑戰。
技術實現思路
本專利技術實施例提供一種IC測試探針結構及其制作方法，極大地提高了芯片的測試效率。本專利技術實施例的第一方面，提供一種IC測試探針結構，包括基板，以及連接于所述基板上的探針；所述基板表面設有多個機械定位孔，當所述基板基于多個所述機械定位孔封裝到硅片上后，所述探針與所述硅片的待測點對齊。可選地，在第一方面的一種可能實現方式中，所述基板表面設有多個光學對位識別點。可選地，在第一方面的一種可能實現方式中，所述基板與硅片尺寸匹配；所述基板尺寸包括6英寸、8英寸和12英寸。本專利技術實施例的第二方面，提供一種IC測試探針結構的制作方法，包括：在載體的兩側均貼敷一層第一銅箔層，所述載體為可分離式材料制成；在第一銅箔層的外側均增設一層半固化層；在半固化層的外側均高溫壓合有第二銅箔層，所述第二銅箔層與所述半固化層之間設有絕緣層；依據需求開設穿透所述第二銅箔層、所述絕緣層和所述半固化層的沉孔；在沉孔內填充導體材料，并在所述銅箔層表面形成線路；去除所述載體和所述第二銅箔層，形成兩個探針結構；去除半固化層；在漏出來的焊盤上鍍上一層保護層。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述半固化層為油墨層、干膜層或pp層。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述半固化層的厚度為30μm-200μm。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述絕緣層為PI層或環氧樹脂層。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述沉孔為倒喇叭圓錐孔或圓柱孔。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述保護層為鎳金層、鎳鈀金層、鎳銀金層、鎳銀層、OSP層或錫層。可選地，在第二方面的一種可能實現方式中，所述載體的厚度為30μm-200μm。本專利技術可以最大程度地利用當前的晶圓和的制程，僅需在芯片設計時匹配硅片和基板的尺寸及漲縮對位，然后制作一整片相對應的探針板，以便使其可以一次性完成所有芯片單元的測試，極大地提高了芯片的測試效率，是對當前芯片尺寸進入50μm以下甚至10μm以下的封裝制程時的測試方法的一種提升。附圖說明圖1是本專利技術實施例用于體現機械定位孔的結構示意圖；圖2是本專利技術實施例用于體現光學對位識別點的結構示意圖；圖3是本專利技術實施例用于體現載體的結構示意圖；圖4是本專利技術實施例用于體現半固化層的結構示意圖；圖5是本專利技術實施例用于體現沉孔的結構示意圖；圖6是本專利技術實施例用于體現探針的結構示意圖；圖7是本專利技術實施例用于體現載體分離的結構示意圖；圖8是本專利技術實施例用于體現探針的結構示意圖；圖9是本專利技術實施例用于體現探針的另一種結構示意圖；圖10是本專利技術實施例用于體現保護層的結構示意圖；1、基板；11、機械定位孔；12、光學對位識別點；2、探針；3、載體；4、第一銅箔層；5、半固化層；6、第二銅箔層；7、絕緣層；8、沉孔；9、保護層。具體實施方式為使本專利技術實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。實施例一種IC測試探針結構，參見圖1、2、3和10，包括基板1，以及連接于所述基板1上的探針2，可以理解的是，基板1作為探針2的載體3，探針2用于測試待測點。其中，為了對基板1和探針2進行定位，在基板1表面設有多個機械定位孔11，當所述基板1基于多個所述機械定位孔11封裝到硅片上后，所述探針2與所述硅片的待測點對齊。可以理解的是，在機械定位孔11的作用下，探針2可以精準的與待測點對齊，從而完成對待測點精準的測試。參見圖2，在實際應用中，基板1可以是圓形，而機械定位孔11可以是分布在靠近基板1周邊的位置，可以設有多個，例如可以設有8個，8個機械定位孔11均勻分布，可以實現對基板1的精準定位。另外，參見圖2，為了更加精準的對探針2進行定位，在基板1表面還設有多個光學對位識別點12，光學識別點與機械定位孔11相互配合，可以精準的完成硅片與基板1的定位。在實際應用中，光學識別點可以設有9個，其中一個可以設置在基板1的正中心，其余8個可以均勻設置在靠近基板1的周邊位置處。在一些實施例中，基板1與硅片尺寸匹配，例如，一些主流的硅片尺寸為6英寸、8英寸和12英寸，那么基板1尺寸可以包括對應的6英寸、8英寸和12英寸。本實施例還提供一種IC測試探針結構的制作方法，包括步驟S1-S8，具體如下：S1，參見圖3，在載體3的兩側均貼敷一層第一銅箔層4，所述載體3為可分離式材料制成；具體地，可分離式材料的厚度為30μm-200μm，例如可以是30μm，可以是100μm，也可以是200μm，使其具有穩定承載性。需要說明的是，載體3的形狀可以與基板1的形狀相同，例如可以是相同的圓形，具體例如可以包括對應硅片的6英寸、8英寸和12英寸，使得形成的探針2結構形狀與硅片匹配。在實際應用中，載體3可以是由內部的玻纖層和外部的導體組成。S2，參見圖4，在第一銅箔層4的外側均增設一層半固化層5；其中，半固化層5為油墨層、干膜層或pp層，厚度可以為30μm-200μm，例如可以是30μm，可以是100μm，也可以是200μm。S3，參見圖4，在半固化層5的外側均高溫壓合有第二銅箔層6，所述第二銅箔層6與所述半固化層5之間設有絕緣層7；其中，絕緣層7可以是為PI層或環氧樹脂層，可以起到穩定的絕緣效果，其位于第二銅箔層6與所述半固化層5之間，用于隔離第二銅箔層6與半固化層5。S4，參見圖5，依據需求開設穿透所述第二銅箔層6、所述絕緣層7和所述半固化層5的沉孔8；其中，沉孔8可以為倒喇叭圓錐孔或圓柱孔，可以理解的是，當沉孔8形狀是倒喇叭圓錐孔時，那么形成的探針2形狀可以是倒喇叭圓錐孔，當沉孔8形狀是圓柱孔時，那么形成的探針2形狀為圓柱。即沉孔8的形狀決定探針2的形狀。S5，參見圖6，在沉孔8內填充導體材料，并在所述銅箔層表面形成線路；可以理解的是，在本文檔來自技高網...

【技術保護點】
1.一種IC測試探針結構，其特征在于，包括基板（1），以及連接于所述基板（1）上的探針（2）；/n所述基板（1）表面設有多個機械定位孔（11），當所述基板（1）基于多個所述機械定位孔（11）封裝到硅片上后，所述探針（2）與所述硅片的待測點對齊。/n

【技術特征摘要】
1.一種IC測試探針結構，其特征在于，包括基板（1），以及連接于所述基板（1）上的探針（2）；
所述基板（1）表面設有多個機械定位孔（11），當所述基板（1）基于多個所述機械定位孔（11）封裝到硅片上后，所述探針（2）與所述硅片的待測點對齊。


2.根據權利要求1所述的IC測試探針結構，其特征在于，所述基板（1）表面設有多個光學對位識別點（12）。


3.根據權利要求1所述的IC測試探針結構，其特征在于，所述基板（1）與硅片尺寸匹配；所述基板（1）尺寸包括6英寸、8英寸和12英寸。


4.一種IC測試探針結構的制作方法，其特征在于，包括：
在載體（3）的兩側均貼敷一層第一銅箔層（4），所述載體（3）為可分離式材料制成；
在第一銅箔層（4）的外側均增設一層半固化層（5）；
在半固化層（5）的外側均高溫壓合有第二銅箔層（6），所述第二銅箔層（6）與所述半固化層（5）之間設有絕緣層（7）；
依據需求開設穿透所述第二銅箔層（6）、所述絕...

【專利技術屬性】
技術研發人員：康孝恒，蔡克林，
申請(專利權)人：深圳市志金電子有限公司，
類型：發明
國別省市：廣東;44