一種MOSFET器件制造技術(shù)

本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)公開(kāi)了一種MOSFET器件，包括：殼體、晶體芯片、S引腳、D引腳、G引腳、加強(qiáng)筋和插槽，所述晶體芯片安裝于所述殼體內(nèi)，所述插槽開(kāi)設(shè)于所述殼體側(cè)端，且所述插槽槽底端連通于所述殼體內(nèi)，所述S引腳、D引腳以及G引腳均自所述插槽伸入殼體內(nèi)，且所述S引腳和G引腳焊接于所述晶體芯片上，所述S引腳靠近插槽端、所述D引腳靠近插槽端以及所述G引腳靠近插槽端均固定連接有加強(qiáng)筋。本實(shí)用新型專(zhuān)利技術(shù)提供的一種MOSFET器件的引腳在被折彎時(shí)，能得到加強(qiáng)筋的保護(hù)，不易將晶體殼擠壓變形，造成晶體管損壞，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便。操作方便。操作方便。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種MOSFET器件


[0001]本技術(shù)涉及晶體管
，更具體地說(shuō)，本技術(shù)涉及一種MOSFET 器件。

技術(shù)介紹

[0002]在集成電路工業(yè)應(yīng)用中會(huì)涉及到電子元器件三極管的封裝，尤其是場(chǎng)效應(yīng)三極管MOSFET器件的封裝。MOSFET器件輸入阻抗高，反應(yīng)速度快，熱穩(wěn)定性好，驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單，通態(tài)電壓低，耐壓高，承受電路大，已經(jīng)得到廣泛普遍應(yīng)用。
[0003]目前的晶體管在使用時(shí)需要對(duì)其引腳折彎，以方便插接PCB板，然而在折彎時(shí)由于引腳受力較大，形成對(duì)晶體管殼體的擠壓，容易致使晶體管損壞。同時(shí)在晶體管長(zhǎng)期使用過(guò)程中，又因震動(dòng)、碰撞等原因，容易造成引腳松動(dòng)，致使于晶體芯片接觸不良，散熱性較低，導(dǎo)致整個(gè)MOSFET器件損壞。
[0004]因此，為方便、可靠地將引腳固定于其封裝的殼體上，增強(qiáng)其折彎性能，以及抗外接設(shè)備的震動(dòng)、碰撞和跌落性，有必要改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)，解決克服現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0005]本技術(shù)所要解決的技術(shù)問(wèn)題是現(xiàn)有MOSFET器件引腳抗折彎性能差，經(jīng)折彎后容易損壞MOSFET器件的問(wèn)題。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本技術(shù)提供如下技術(shù)方案：一種MOSFET器件，包括：殼體、晶體芯片、S引腳、D引腳、G引腳、加強(qiáng)筋和插槽，所述晶體芯片安裝于所述殼體內(nèi)，所述插槽開(kāi)設(shè)于所述殼體側(cè)端，且所述插槽槽底端連通于所述殼體內(nèi)，所述S引腳、D引腳以及G引腳均自所述插槽伸入殼體內(nèi)，且所述S引腳和G引腳焊接于所述晶體芯片上，所述S引腳靠近插槽端、所述D引腳靠近插槽端以及所述G引腳靠近插槽端均固定連接有加強(qiáng)筋。
[0007]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，所述加強(qiáng)筋對(duì)向設(shè)置在所述S引腳、D引腳和 G引腳厚度方向的兩側(cè)。
[0008]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，所述加強(qiáng)筋包括細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件和梯形構(gòu)件，所述細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件插接于所述插槽內(nèi)，所述梯形構(gòu)件緊貼所述殼體外表面設(shè)置。
[0009]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，所述S引腳、D引腳和G引腳與所述加強(qiáng)筋梯形構(gòu)件焊接，所述插槽與所述細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件焊接。
[0010]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，還包括焊線，三條所述焊線一端與所述S引腳連接，另一端與所述晶體芯片焊接；一條所述焊線一端與所述G引腳連接，另一端與所述晶體芯片焊接。
[0011]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，還包括散熱片，所述散熱片位于所述殼體內(nèi)，所述散熱片緊貼所述晶體芯片。
[0012]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，所述散熱片包括第一散熱片體和第二散熱片體，所述第一散熱片體與所述晶體芯片焊接，所述第二散熱片體與所述S引腳焊接。
[0013]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，還包括鋁銻合金薄片，所述鋁銻合金薄片位于所述殼體內(nèi)，所述鋁銻合金薄片一端連接在所述S引腳靠近所述晶體芯片的位置，所述鋁銻合金薄片的另一端伸向所述G引腳并靠近所述G引腳的表面。
[0014]作為本技術(shù)的一種改進(jìn)，所述鋁銻合金薄片與所述S引腳的連接方式為焊接。
[0015]相比現(xiàn)有技術(shù)，本技術(shù)至少包括以下有益效果：
[0016]1.引腳在被折彎時(shí)，能得到加強(qiáng)筋的保護(hù)，不易將晶體殼擠壓變形，造成晶體管損壞，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，操作方便；
[0017]2.通過(guò)設(shè)置一塊散熱片，增強(qiáng)了散熱性能；
[0018]3.通過(guò)設(shè)置鋁銻金屬薄片，保護(hù)晶體芯片，能夠有效避免電路的過(guò)載損壞，提高電路的可靠性。
[0019]本技術(shù)的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分通過(guò)下面的說(shuō)明書(shū)詳細(xì)闡述，部分地通過(guò)說(shuō)明書(shū)中變得顯而易見(jiàn)，或者通過(guò)實(shí)施實(shí)踐而為本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解。
附圖說(shuō)明
[0020]附圖用來(lái)提供對(duì)本技術(shù)的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書(shū)的一部分，與本技術(shù)的實(shí)施例一起用于解釋本技術(shù)，并不構(gòu)成對(duì)本技術(shù)的限制。
[0021]在附圖中：
[0022]圖1為本技術(shù)實(shí)施例中MOSFET器件的主視圖；
[0023]圖2為本技術(shù)實(shí)施例中MOSFET器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0024]圖3為本技術(shù)實(shí)施例中MOSFET器件的側(cè)視圖；
[0025]圖4為圖3中標(biāo)號(hào)A部分的放大結(jié)構(gòu)；
[0026]圖5為本技術(shù)實(shí)施例中MOSFET器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0027]圖6為圖1中的仰視圖；
[0028]其中，1、殼體；21、S引腳；22、D引腳；23、G引腳；3、加強(qiáng)筋；31、細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件；32、梯形構(gòu)件；4、晶體芯片；5、焊線；6、插槽；7、散熱片； 71、第一散熱片體；72、第二散熱片體；8、鋁銻合金薄片。
具體實(shí)施方式
[0029]以下結(jié)合附圖對(duì)本技術(shù)的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明，其所說(shuō)明和解釋的技術(shù)方案僅僅是本技術(shù)的一部分實(shí)施例，并不用于限定本實(shí)用性新型。基于以下實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。
[0030]結(jié)合附圖1至附圖4，本技術(shù)提供了一種MOSFET器件，包括：殼體1、晶體芯片4、S引腳21、D引腳22、G引腳23、加強(qiáng)筋3和插槽6，所述晶體芯片4安裝于所述殼體1內(nèi)，所述插槽6開(kāi)設(shè)于所述殼體1側(cè)端，且所述插槽6 槽底端連通于所述殼體1內(nèi)，所述S引腳21、D引腳22以及G引腳23均自所述插槽6伸入殼體1內(nèi)，且所述S引腳21和G引腳23焊接于所述晶體芯片4 上，所述S引腳21靠近插槽6端、所述D引腳22靠近插槽6端以及所述G引腳23靠近插槽6端均固定連接有加強(qiáng)筋3。
[0031]在上述技術(shù)方案中，S引腳21、D引腳22以及G引腳23通過(guò)殼體1上的插槽6伸入殼體
1內(nèi)，設(shè)置的加強(qiáng)筋3可以在S引腳21、D引腳22以及G引腳23 受力折彎、對(duì)殼體1形成擠壓時(shí)，形成有效保護(hù)，使MOSFET器件的不易損壞。
[0032]結(jié)合附圖3和附圖4，具體的，本技術(shù)所述加強(qiáng)筋3對(duì)向設(shè)置在所述S 引腳21、D引腳22和G引腳23厚度方向的兩側(cè)。
[0033]結(jié)合附圖4，具體的，本技術(shù)所述加強(qiáng)筋3包括細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件31和梯形構(gòu)件32，所述細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件31插接于所述插槽6內(nèi)，所述梯形構(gòu)件32緊貼所述殼體1外表面設(shè)置。
[0034]結(jié)合附圖4，具體的，本技術(shù)所述S引腳21、D引腳22和G引腳23與所述加強(qiáng)筋梯形構(gòu)件32焊接，所述插槽6與所述細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件31焊接。
[0035]結(jié)合附圖2，具體的，本技術(shù)還包括焊線5，三條所述焊線5一端與所述S引腳21連接，另一端與所述晶體芯片4焊接；一條所述焊線5一端與所述 G引腳23連接，另一端與所述晶體芯片4焊接。
[0036]結(jié)合附圖5，具體的，本技術(shù)還包括散熱片7，所述散熱片7位于所述殼體1內(nèi)，所述散熱片7緊貼所述晶體芯片4。
[0037]結(jié)合附圖5，具體的，本技術(shù)所述散熱片7包括第一散熱片體71和第二散熱片體72，所述第一散熱片體71與所述晶體芯片4焊接，所述第二散熱片體72與所述S引腳21焊接。
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【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種MOSFET器件，其特征在于，包括：殼體(1)、晶體芯片(4)、S引腳(21)、D引腳(22)、G引腳(23)、加強(qiáng)筋(3)和插槽(6)，所述晶體芯片(4)安裝于所述殼體(1)內(nèi)，所述插槽(6)開(kāi)設(shè)于所述殼體(1)側(cè)端，且所述插槽(6)槽底端連通于所述殼體(1)內(nèi)，所述S引腳(21)、D引腳(22)以及G引腳(23)均自所述插槽(6)伸入殼體(1)內(nèi)，且所述S引腳(21)和G引腳(23)焊接于所述晶體芯片(4)上，所述S引腳(21)靠近插槽(6)端、所述D引腳(22)靠近插槽(6)端以及所述G引腳(23)靠近插槽(6)端均固定連接有加強(qiáng)筋(3)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種MOSFET器件，其特征在于，所述加強(qiáng)筋(3)對(duì)向設(shè)置在所述S引腳(21)、D引腳(22)和G引腳(23)厚度方向的兩側(cè)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種MOSFET器件，其特征在于，所述加強(qiáng)筋(3)包括細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件(31)和梯形構(gòu)件(32)，所述細(xì)長(zhǎng)型構(gòu)件(31)插接于所述插槽(6)內(nèi)，所述梯形構(gòu)件(32)緊貼所述殼體(1)外表面設(shè)置。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種MOSFET器件，其特征在于，所述S引腳(21)、D引腳(22)和G引腳(23)與所述梯形構(gòu)件(32)焊接，所述插槽(6...

【專(zhuān)利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王禮選，
申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人：江蘇晟華半導(dǎo)體有限公司，
類(lèi)型：新型
國(guó)別省市：