光源組件、光傳感器組件及制造其單元的方法技術(shù)

一種光源組件包括多個(gè)單元及驅(qū)動(dòng)電路。所述單元當(dāng)中的每一者包括：晶體管，包括汲區(qū)；及光源，其中所述晶體管的所述汲區(qū)用作所述光源的陰極。所述驅(qū)動(dòng)電路配置來(lái)驅(qū)動(dòng)所述單元。所述驅(qū)動(dòng)電路配置來(lái)驅(qū)動(dòng)所述單元。所述驅(qū)動(dòng)電路配置來(lái)驅(qū)動(dòng)所述單元。

【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
光源組件、光傳感器組件及制造其單元的方法


[0001]本申請(qǐng)要求于2020年03月27日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?6/831,840及2020年08月28日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)?zhí)?7/005,343的優(yōu)先權(quán)，其通過(guò)引用并入本文，并且成為說(shuō)明書(shū)的一部分。
[0002]本公開(kāi)涉及光源組件，尤其涉及具備晶體管的光源組件。

技術(shù)介紹

[0003]一種發(fā)光二極管(light
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emitting diode,LED)組件，包括多個(gè)發(fā)光二極管單元和驅(qū)動(dòng)電路。每個(gè)發(fā)光二極管單元包括發(fā)光二極管和晶體管。該發(fā)光二極管包括p型半導(dǎo)體層，連接到該p型半導(dǎo)體層的p型發(fā)光二極管電極(或陽(yáng)極端子)，n型半導(dǎo)體層和連接到n型半導(dǎo)體層的n型發(fā)光二極管電極(或陰極端子)。驅(qū)動(dòng)電路被配置為驅(qū)動(dòng)發(fā)光二極管單元，例如以控制發(fā)光二極管的開(kāi)
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關(guān)狀態(tài)和亮度。傳統(tǒng)的LED尺寸大且制造工藝復(fù)雜。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

[0004]本公開(kāi)的一個(gè)方面提供了一種光源組件，包括多個(gè)單元，每個(gè)所述單元包括晶體管、光源、和驅(qū)動(dòng)電路。所述晶體管包括用作所述光源的陰極的汲區(qū)。所述驅(qū)動(dòng)電路被配置為驅(qū)動(dòng)所述單元。
[0005]本公開(kāi)的一個(gè)方面提供了一種光傳感器單元，包括晶體管，在基板上且包括汲區(qū)；光源，在所述基板上且耦合于所述晶體管，并配置來(lái)發(fā)光，其中所述晶體管的所述汲區(qū)用作所述光源的陰極；及光傳感器，在所述基板上且配置來(lái)檢測(cè)所述光線。
[0006]本公開(kāi)的一個(gè)方面提供了一種制造光傳感器組件的光傳感器單元的方法，包括：在基板上方形成光源；以及在形成所述光源之后，在基板上方形成光傳感器。
[0007]綜上所述，本公開(kāi)的光源組件具有相對(duì)緊湊的尺寸并且制造相對(duì)簡(jiǎn)單。
附圖說(shuō)明
[0008]為可仔細(xì)理解本案以上記載之特征，參照實(shí)施態(tài)樣可提供簡(jiǎn)述如上之本案的更特定描述，一些實(shí)施態(tài)樣系說(shuō)明于隨附圖式中。然而，要注意的是，隨附圖式僅說(shuō)明本案的典型實(shí)施態(tài)樣并且因此不被視為限制本案的范圍，因?yàn)楸景缚沙姓J(rèn)其他等效實(shí)施態(tài)樣。
[0009]圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的示例性發(fā)光二極管組件的示意圖；
[0010]圖2是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的制造發(fā)光二極管組件的發(fā)光二極管單元的示例性方法的流程圖；
[0011]圖3
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28是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的發(fā)光二極管單元的制造中的各個(gè)階段的示意性截面圖；
[0012]圖29是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的示例性光傳感器組件的示意圖；
[0013]圖30是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的制造光傳感器組件的光傳感器單元的示例性方法的流程圖；
[0014]圖31
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58是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的光傳感器單元的制造中的各個(gè)階段的示意性截面圖；和
[0015]圖59
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61是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的示例性光傳感器單元的示意性截面圖。
[0016]然而，應(yīng)當(dāng)注意，附圖僅示出了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例，并且因此不應(yīng)被認(rèn)為是對(duì)其范圍的限制，因?yàn)楸竟_(kāi)可以允許其他等效的實(shí)施例。
[0017]應(yīng)該注意的是，這些附圖旨在說(shuō)明在某些示例實(shí)施例中使用的方法，結(jié)構(gòu)和/或材料的一般特性，并補(bǔ)充下面提供的書(shū)面描述。然而，這些附圖不是按比例繪制的，并且可能不能精確地反映任何給定實(shí)施例的精確的結(jié)構(gòu)或性能特征，并且不應(yīng)被解釋為定義或限制示例實(shí)施例所涵蓋的值或特性的范圍。例如，為了清楚起見(jiàn)，可以減小或放大層，區(qū)域和/或結(jié)構(gòu)元件的相對(duì)厚度和位置。在各個(gè)附圖中使用相似或相同的附圖標(biāo)記旨在指示相似或相同的元件或特征的存在。主要元件符號(hào)說(shuō)明
具體實(shí)施方式
[0018]如下具體實(shí)施方式將結(jié)合上述附圖進(jìn)一步說(shuō)明本專利技術(shù)。
[0019]現(xiàn)在將在下文中參考附圖更全面地描述本公開(kāi)，在附圖中示出了本公開(kāi)的示例性實(shí)施例。然而，本公開(kāi)可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文闡述的示例性實(shí)施例。相反，提供這些示例性實(shí)施例使得本公開(kāi)將是透徹和完整的，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本公開(kāi)的范圍。貫穿全文，相似的參考標(biāo)號(hào)指代相似的元件。
[0020]本文使用的術(shù)語(yǔ)僅用于描述特定示例性實(shí)施例的目的，而不意圖限制本公開(kāi)。如本文所使用的，除非上下文另外清楚地指出，否則單數(shù)形式“一”，“一個(gè)”和“所述”旨在也包括復(fù)數(shù)形式。此外，當(dāng)在本文中使用時(shí)，“包括”和/或“包含”或“包括”和/或“包括”或“具有”和/或“具有”，整數(shù)，步驟，操作，組件和/或組件，但不排除存在或添加一個(gè)或多個(gè)其它特征，區(qū)域，整數(shù)，步驟，操作，組件，組件和/或其群組。
[0021]除非另外定義，否則本文使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ))具有與本公開(kāi)所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員通常理解的相同的含義。此外，除非文中明確定義，諸如在通用字典中定義的那些術(shù)語(yǔ)應(yīng)所述被解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)和本公開(kāi)內(nèi)容中的含義一致的含義，并且將不被解釋為理想化或過(guò)于正式的含義。
[0022]本文描述的系統(tǒng)和方法包括發(fā)光二極管(light
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emitting diode,LED)組件，例如圖1中的LED組件100，其包括發(fā)光二極管單元(LED單元)，例如LED單元110。LED單元110包括發(fā)光二極管(LED)，例如，LED 140和晶體管，例如晶體管150。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管150包括汲極端子(例如，汲極端子180)，其用作(serve as)LED 140的陰極端子或n型LED電極。因此，在這樣的實(shí)施例中，LED 140不具有(free of)陰極端子或n型LED電極。圖1是示出根據(jù)本公開(kāi)的一些實(shí)施例的示例性LED組件100的示意圖。
[0023]更詳細(xì)地，圖1的示例包括多個(gè)LED單元，例如LED單元110，行解碼器120a，列解碼器120b和驅(qū)動(dòng)電路130。如圖1所示，LED單元以行和列的陣列布置。由于所述多個(gè)LED單元在結(jié)構(gòu)和操作上相似，故以下僅描述LED單元110。LED單元110包括LED 140和晶體管150。LED140包括陽(yáng)極端子160或p型LED電極，其被配置為接收電源電壓(Vcc)。晶體管150包括源極端子170，其被配置為接收小于電源電壓(Vcc)的參考電壓(例如，0V)。在一個(gè)實(shí)施例中，晶體管150還包括汲極端子180，其用作LED 140的陰極端子或n型LED電極。因此，在這樣的實(shí)施例中，LED 140不具有(freeof)陰極端子或n型LED電極。
[0024]所述行、列解碼器120a，120b連接到所述多個(gè)LED單元，并且被配置來(lái)選取所述多個(gè)LED單元的其中一者，例如LED單元110。驅(qū)動(dòng)電路130連接到行、列解碼器120a，120b，并且被配置來(lái)驅(qū)動(dòng)，即控制由行、列解碼器120a，120b所選取的LED單元110的LED 140的開(kāi)/關(guān)狀態(tài)和亮度。
[0025]在LED組件100的示例性操作中，在初始狀態(tài)下，例如0V的柵極電壓(Vg)被施加到晶體管150的柵極端子190。這使晶體管150在關(guān)本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】

【技術(shù)特征摘要】
1.一種光源組件，其特征在于，包括：多個(gè)單元，所述單元當(dāng)中的每一者包括：晶體管，包括汲區(qū)；及光源，其中所述晶體管的所述汲區(qū)用作所述光源的陰極；及驅(qū)動(dòng)電路，配置來(lái)驅(qū)動(dòng)所述單元。2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管組件，其特征在于，其中所述光源包括光源層且所述晶體管的所述汲區(qū)在所述光源層的側(cè)壁上。3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管組件，其特征在于，其中所述晶體管進(jìn)一步包括源區(qū)及在所述源區(qū)上的電極且其中所述晶體管的所述汲區(qū)沒(méi)有電極。4.一種光傳感器單元，其特征在于，包括：晶體管，在基板上且包括汲區(qū)；光源，在所述基板上且耦合于所述晶體管，并配置來(lái)發(fā)光，其中所述晶體管的所述汲區(qū)用作所述光源的陰極；及光傳感器，在所述基板上且配置來(lái)檢測(cè)所述光線。5.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，其中所述基板包括第一井區(qū)和第二井區(qū)且所述晶體管及所述光源位于所述基板的所述第一井區(qū)上。6.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，其中所述基板包括第一井區(qū)和第二井區(qū)且所述晶體管位于所述基板的所述第一井區(qū)上，且所述光傳感器位于所述基板的所述第二井區(qū)上。7.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，其中所述基板包括第一井區(qū)和第二井區(qū)，所述光源位于所述基板的所述第一井區(qū)上，且所述光傳感器位于所述基板的所述第二井區(qū)上。8.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，所述光源在所述晶體管及所述光傳感器之間。9.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，其中所述光傳感器包括第一光傳感器區(qū)，及在所述光源和所述第一光傳感器區(qū)之間的第二光傳感器區(qū)。10.如權(quán)利要求9所述的光傳感器單元，其特征在于，其中所述光傳感器進(jìn)一步包括在基板上的本質(zhì)光傳感器區(qū)且所述第二光傳感器區(qū)位于所述本質(zhì)光傳感器區(qū)。11.如權(quán)利要求4所述的光傳感器單元，其特征在于，還包括所述晶體管的源區(qū)；鈍化層，在所述源區(qū)的頂表面...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王明宗，潘錫明，汪秉龍，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：宏齊科技股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：