本實用新型專利技術公開了一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，包括設于爐蓋上方的紅外高溫計、連通在爐蓋上方的且內部開設有測溫腔的第一主體、設于第一主體頂部的玻璃板、開設于第一主體側部的進氣口；紅外高溫計位于玻璃板正上方，進氣口位于玻璃板和爐蓋之間；進氣口用于在進氣的同時吹掃玻璃板下表面。本實用新型專利技術一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，在碳化硅單晶生長過程中，將需要持續通入的工藝氣體從進氣口通入，工藝氣體在進氣的同時持續吹掃玻璃板下表面，以對玻璃板下表面的揮發物進行驅除，從而使玻璃板維持潔凈透亮，以保證紅外高溫計對石墨坩堝頂部測溫的精準度，從而保證碳化硅單晶的穩定生長。晶的穩定生長。晶的穩定生長。
【技術實現步驟摘要】
一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構
[0001]本技術涉及人工晶體生長
，特別涉及一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構。
技術介紹
[0002]目前，物理氣相輸運法（PVT法）已成為生長碳化硅單晶的主流工藝技術，此技術的特點是在流動的工藝氣體環境下，將碳化硅籽晶片粘接在石墨籽晶座上，并將石墨籽晶座安裝在石墨坩堝上部，通過加熱坩堝底部的原料并使其升華，從而在碳化硅籽晶上生長碳化硅單晶；而碳化硅單晶的生長主要以紅外高溫計通過測溫口測量石墨坩堝上部的溫度來控制加熱功率，從而實現碳化硅單晶的生長，因此，測溫口玻璃的潔凈透光度是保證測量溫度精準、加熱溫度穩定、晶體生長可靠的關鍵。
[0003]現有技術中，石墨坩堝和保溫系統在加熱過程產生的揮發物會聚集附著在溫度相對較低的測溫口玻璃內表面，遮擋住紅外高溫計的測量通道，影響了測溫的精準度，從而影響了碳化硅單晶的穩定生長。
技術實現思路
[0004]本技術的目的是提供一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，能夠保證紅外高溫計對石墨坩堝頂部測溫的精準度，從而保證碳化硅單晶的穩定生長。
[0005]為達到上述目的，本技術采用的技術方案是：
[0006]一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，包括設于爐蓋上方的紅外高溫計、連通在所述爐蓋上方的且內部開設有測溫腔的第一主體、設于所述第一主體頂部的玻璃板、開設于所述第一主體側部的進氣口；
[0007]所述紅外高溫計位于所述玻璃板正上方，所述進氣口位于所述玻璃板和所述爐蓋之間；
[0008]所述進氣口，用于在進氣的同時吹掃所述玻璃板下表面。
[0009]優選地，所述進氣口的出氣方向傾斜朝向所述玻璃板或垂直朝向所述玻璃板。
[0010]優選地，所述爐蓋上開設有位于所述第一主體底部的且與所述測溫腔連通的連通口。
[0011]更優選地，所述玻璃板和所述紅外高溫計均位于所述連通口的正上方。
[0012]優選地，所述測溫結構還包括設于所述爐蓋和所述紅外高溫計之間的連接組件。
[0013]更優選地，所述連接組件包括縱向延伸的且底部連接在所述爐蓋上的第一連接桿、橫向延伸的且一端連接在所述第一連接桿頂部的第二連接桿，所述紅外高溫計設于所述第二連接桿另一端。
[0014]優選地，所述測溫結構還包括用于將所述玻璃板固定的罩設于所述第一主體頂部的法蘭連接件。
[0015]優選地，所述測溫結構還包括與所述進氣口連通的且外凸于所述第一主體側部的
進氣管。
[0016]由于上述技術方案的運用，本技術與現有技術相比具有下列優點：本技術一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，在碳化硅單晶生長過程中，將需要持續通入的工藝氣體從進氣口通入，工藝氣體在進氣的同時持續吹掃玻璃板下表面，以對玻璃板下表面的揮發物進行驅除，從而使玻璃板維持潔凈透亮，以保證紅外高溫計對石墨坩堝頂部測溫的精準度，從而保證碳化硅單晶的穩定生長。
附圖說明
[0017]附圖1為根據本技術具體實施例的碳化硅單晶爐頂部測溫結構的結構示意圖。
[0018]其中：1、爐蓋；2、紅外高溫計；3、第一主體；4、測溫腔；5、玻璃板；6、進氣口；7、連通口；8、第一連接桿；9、第二連接桿；10、法蘭連接件；11、進氣管；12、爐底；13、抽氣口；14、石英管爐筒；15、坩堝軸；16、保溫罩；17、石墨坩堝；18、感應線圈。
具體實施方式
[0019]下面結合具體實施例和附圖來對本技術的技術方案作進一步的闡述。
[0020]參見圖1所示，本實施例提供一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，設于爐蓋1上。
[0021]爐蓋1與位于其下方的爐底12、以及位于兩者之間的石英管爐筒14組成一個帶有密閉爐腔的整體，即碳化硅單晶爐。爐底12中開設有用于對密閉爐腔抽真空的抽氣口13。坩堝軸15可升降的穿設于爐底12中，爐腔中設有位于坩堝軸15頂部的石墨坩堝17，石英管爐筒14外部環設有用于加熱的感應線圈18。
[0022]上述一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，包括設于爐蓋1上方的紅外高溫計2、連通在爐蓋1上方的且內部開設有測溫腔4的第一主體3、設于第一主體3頂部的玻璃板5、開設于第一主體3側部的進氣口6。
[0023]該進氣口6用于通入工藝氣體，該進氣過程包括加熱升溫階段、晶體生長階段、以及降溫至常溫階段。也就是說，在碳化硅單晶生長的整個工藝過程中，均能夠通過進氣口6向第一主體3以及爐腔中通入工藝氣體。
[0024]上述紅外高溫計2位于玻璃板5正上方，進氣口6位于玻璃板5和爐蓋1之間；該進氣口6用于在進氣的同時吹掃玻璃板5下表面。進氣口6的出氣方向傾斜朝向玻璃板5或垂直朝向玻璃板5。
[0025]上述爐蓋1上開設有位于第一主體3底部的且與測溫腔4連通的連通口7。在本實施例中，玻璃板5和紅外高溫計2均位于該連通口7的正上方。通過這個設置，紅外高溫計2向下直射時，能夠透過玻璃板5直接照射石墨坩堝17上部。
[0026]紅外高溫計2通過玻璃板5向下直射并測量石墨坩堝17上部的溫度，以控制感應線圈18的加熱功率，從而實現碳化硅單晶的穩定生長。通過使進氣口6的出氣方向傾斜或垂直朝向玻璃板5下表面，再將需要持續通入的工藝氣體從進氣口6通入，工藝氣體在進氣的同時持續吹掃玻璃板5下表面，以對玻璃板5下表面的揮發物進行驅除，從而使玻璃板5維持潔凈透亮，以保證紅外高溫計2對石墨坩堝17頂部測溫的精準度，從而保證碳化硅單晶的穩定生長。
[0027]一般情況下，直接在第一主體3側部開設的進氣口6，其出氣方向僅能傾斜朝向玻璃板5下表面。為了實現其出氣方向能夠垂直朝向玻璃板5下表面，只需在進氣口6的出氣端連接一個導氣管即可，該導氣管可以是L形。L形導氣管的豎直段垂直朝向玻璃板5，L形導氣管的水平段與進氣口6的出氣端連通。
[0028]在本實施例中，上述一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，還包括與進氣口6連通的且外凸于第一主體3側部的進氣管11。參見圖1所示，該進氣管11與進氣口6具有相同的軸心線，用于配合工藝氣體通入。
[0029]上述一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，還包括設于爐蓋1和紅外高溫計2之間的連接組件。
[0030]在本實施例中，上述連接組件包括縱向延伸的且底部連接在爐蓋1上的第一連接桿8、橫向延伸的且一端連接在第一連接桿8頂部的第二連接桿9，紅外高溫計2設于第二連接桿9另一端。參見圖1所示，第二連接桿9另一端位于玻璃板5正上方；第一連接桿8高于第一主體3。
[0031]上述一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，還包括用于將玻璃板5固定的罩設于第一主體3頂部的法蘭連接件10。在本實施例中，該法蘭連接件10呈頂部開口的帽形，該玻璃板5呈圓形，兩者同軸排列。
[0032]上述實施例只為說明本技術的技術構思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術的人士能夠了解本技術的內容并據以實施，并不能以此限制本技術的保護范圍。凡根據本技術精神實質所作的等效變化或修飾，都應涵本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，其特征在于：包括設于爐蓋上方的紅外高溫計、連通在所述爐蓋上方的且內部開設有測溫腔的第一主體、設于所述第一主體頂部的玻璃板、開設于所述第一主體側部的進氣口；所述紅外高溫計位于所述玻璃板正上方，所述進氣口位于所述玻璃板和所述爐蓋之間；所述進氣口，用于在進氣的同時吹掃所述玻璃板下表面。2.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，其特征在于：所述進氣口的出氣方向傾斜朝向所述玻璃板或垂直朝向所述玻璃板。3.根據權利要求1所述的一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，其特征在于：所述爐蓋上開設有位于所述第一主體底部的且與所述測溫腔連通的連通口。4.根據權利要求3所述的一種碳化硅單晶爐頂部測溫結構，其特征在于：所述玻璃板和所述紅外高溫計均...
【專利技術屬性】
技術研發人員：李留臣，周潔，程緒高，周正星，
申請(專利權)人：江蘇星特亮科技有限公司，
類型：新型
國別省市：
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