一種等離子體真空鍍膜室制造技術

本實用新型專利技術提供了一種等離子體真空鍍膜室，包括鍍膜室，鍍膜室的頂部設有密封蓋，底部設有出氣口；鍍膜室的側壁上設有進氣口，進氣口的內側設有分流板；鍍膜室的底部安裝有轉動盤，轉動盤的轉軸通過聯軸器與旋轉電機的輸出軸固定連接；物料架放置在轉動盤上，物料架的外圍安裝有兩個相對設置的弧形電極板；利用分流板使反應氣體盡可能均勻的分布在鍍膜室內，利用轉動盤驅動物料架旋轉，使反應物質能均勻的沉積在工件表面，保證了鍍膜質量。保證了鍍膜質量。保證了鍍膜質量。

【技術實現步驟摘要】
一種等離子體真空鍍膜室


[0001]本技術涉及真空鍍膜領域，具體涉及一種等離子體真空鍍膜室。

技術介紹

[0002]等離子體鍍膜一般都是在真空鍍膜室內設置兩個相對的平板電極結構，在兩個電極之間加正負電壓以使得兩個平板電極之間輝光放電產生等離子體，等離子體在電場的作用下進行高速運動并與中性反應氣體發生碰撞，從而使得中性反應氣體分子變成離子狀態或者處于激活狀態，這些具有高活性的反應物質很容易被吸附于被鍍基板表面發生非平衡的化學反應而沉積到基板表面而生成薄膜。但是由于等離子體與反應氣體的高速碰撞存在著一定程度的不可控制性，現有的等離子體鍍膜裝置在鍍膜時很難保證薄膜的均勻性和一致性。

技術實現思路

[0003]針對上述技術問題，本技術提供了一種等離子體真空鍍膜室。
[0004]一種等離子體真空鍍膜室，包括鍍膜室以及設于鍍膜室內的物料架；所述鍍膜室的頂部設有密封蓋，鍍膜室的底部設有出氣口，鍍膜室的側壁上設有進氣口，進氣口的內側設有弧形的分流板；所述鍍膜室的底部安裝有轉動盤，所述轉動盤的轉軸通過聯軸器與一旋轉電機的輸出軸固定連接；所述物料架放置在所述轉動盤上，物料架的外圍安裝有兩個相對設置的弧形電極板。
[0005]優選的，所述弧形電極板的頂部均設有沿其弧線方向延伸的連接桿；所述鍍膜室的側壁上設有安裝板，兩根接線桿穿過所述安裝板分別與兩根連接桿固定連接。
[0006]優選的，所述分流板與所述鍍膜室的內側壁固定連接，分流板內設有與所述進氣口相連通的分流腔，分流腔的兩側由上至下均勻的設置有多個分流孔。
[0007]本技術的有益效果是：利用分流板使反應氣體盡可能均勻的分布在鍍膜室內，同時利用轉動盤驅動弧形電極板之間的物料架旋轉，使反應物質能均勻的沉積在工件表面，從而提高了鍍膜的均勻性和一致性，保證了鍍膜質量。
附圖說明
[0008]下面結合附圖對本技術作進一步的說明。
[0009]圖1為本技術實施例的外部結構示意圖；
[0010]圖2為本技術實施例的內部結構示意圖；
[0011]圖3為本技術實施例中鍍膜室的俯視圖；
[0012]圖中數字表示：
[0013]1、鍍膜室2、密封蓋3、出氣口4、進氣口5、分流板6、分流孔
[0014]7、轉動盤8、旋轉電機9、物料架10、弧形電極板11、連接桿
[0015]12、安裝板13、接線桿。
具體實施方式
[0016]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例，基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0017]本技術的描述中，需要理解的是，術語中“上”、“下”、“內”、“外”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了方便描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位，以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。
[0018]如圖1
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圖3所示，一種等離子體真空鍍膜室，包括鍍膜室1，鍍膜室1的頂部設有密封蓋2，底部設有出氣口3。鍍膜室1的側壁上設有進氣口4，進氣口4的內側設有弧形的分流板5。分流板5與鍍膜室1的內側壁固定連接，分流板5內設有與進氣口4相連通的分流腔，分流腔的兩側由上至下均勻的設置有多個分流孔6，能使反應氣體(氧氣和氬氣，比例可調)盡可能均勻的分布在鍍膜室1內，方便對其進行碰撞激活。
[0019]鍍膜室1的底部安裝有轉動盤7，轉動盤7的轉軸通過聯軸器與旋轉電機8的輸出軸固定連接。物料架9放置在轉動盤7上，物料架9的外圍安裝有兩個相對設置的弧形電極板10。弧形電極板10的頂部均設有沿其弧線方向延伸的連接桿11，鍍膜室1的側壁上設有安裝板12，兩根接線桿13穿過安裝板12分別與兩根連接桿11固定連接，對弧形電極板10進行固定的同時，還能分別將兩個弧形電極板10與等離子體放電源連接。鍍膜時，物料架9能隨轉動盤7同步旋轉，使反應物質能均勻的沉積在工件表面，從而提高了鍍膜的均勻性和一致性，保證了鍍膜質量。
[0020]對這些實施例的多種修改對本領域的專業技術人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本技術的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現。
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【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種等離子體真空鍍膜室，其特征在于：包括鍍膜室以及設于鍍膜室內的物料架；所述鍍膜室的頂部設有密封蓋，鍍膜室的底部設有出氣口，鍍膜室的側壁上設有進氣口，進氣口的內側設有弧形的分流板；所述鍍膜室的底部安裝有轉動盤，所述轉動盤的轉軸通過聯軸器與一旋轉電機的輸出軸固定連接；所述物料架放置在所述轉動盤上，物料架的外圍安裝有兩個相對設置的弧形電極板。2.根據權利要求1所述...

【專利技術屬性】
技術研發人員：渠艷良，李雷，
申請(專利權)人：派珂納米科技蘇州有限公司，
類型：新型
國別省市：