光學記錄盤制造技術

本發明專利技術的目的是提供一種光學記錄盤，包括：襯底（２），第三介電層（３），光吸收層（４），第二介電層（５），含有氧化鉑作為主要成分的分解反應層（６），第一介電層（７），和光透射層（８），其中第二介電層具有２０ｎｍ至１００ｎｍ的厚度，并且構成該光學記錄盤，使得在從光透射層（８）這一側用激光束（２０）照射光學記錄盤時，在分解反應層（６）中作為主要成分所含的氧化鉑被分解成鉑和氧，因此通過由此產生的氧氣在分解反應層（６）中形成泡狀凹坑，并且貴金屬的細小顆粒沉淀在泡狀凹坑內，由此在分解反應層（６）中形成了記錄標志。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種光學記錄盤，具體而言，涉及一種光學記錄盤，其能夠記錄由包括記錄標志和與記錄標志相鄰的空白區域的記錄標志鏈所構成的數據，并且即使在記錄標志和相鄰記錄標志之間的空白區域的長度比分辨率限度還短的情況下也能夠從其上再現數據，由此顯著增加了該光學記錄盤的存儲容量，并能夠提高再現信號的C/N比。
技術介紹
例如CD、DVD等的光學記錄盤已經被廣泛用作記錄數字數據的記錄媒體，并且最近已經開發了具有提高的記錄密度和極高的數據傳輸率的光學記錄盤。在這樣的光學記錄盤中，通過減小用于記錄和再現數據的激光束的波長λ并增加物鏡的數值孔徑NA來提高光學記錄盤的存儲容量，由此減小了激光束光斑的直徑。
技術實現思路
在光學記錄盤中，在光學記錄盤中形成的記錄標志的長度以及相鄰記錄標志之間的長度(即，沒有形成記錄標志的區域(以下稱作空白區域)的長度)比分辨率限度還短的情況下，不能從該光學記錄盤再現數據。分辨率限度由激光束的波長λ和用于會聚激光束的物鏡的數值孔徑NA所確定，在記錄標志和空白區域的重復頻率(即，空間頻率)等于或大于2NA/λ的情況下，不能夠讀取記錄標志和空白區域中所記錄的數據。因此，對應于能夠被讀取的空間頻率的記錄標志和空白區域的長度都應等于或大于λ/4NA，在使用數值孔徑為NA的物鏡將波長為λ的激光束會聚到光學記錄盤表面的情況下，長度為λ/4NA的記錄標志和長度為λ/4NA的空白區域是能夠被讀取的最短的記錄標志和最短的空白區域。因此，當要再現記錄在光學記錄盤中的數據時，存在分辨率限度，在分辨率限度內能夠讀取數據，并且限制了能夠被讀取的記錄標志的長度和空白區域的長度。因此，如果在光學記錄盤中形成了長度小于分辨率限度的記錄標志和長度小于分辨率限度的空白區域由此在其中記錄數據時，則不能夠再現如此記錄的數據，因此不可避免地限制了能夠用于在光學記錄盤中記錄數據的記錄標志的長度和空白區域的長度，并且通常不能在光學記錄盤中形成長度小于分辨率限度的記錄標志和長度小于分辨率限度的空白區域來記錄數據。因此，為了增加光學記錄盤的存儲容量，需要縮短用于再現數據的激光束的波長λ，或者增加物鏡的數值孔徑NA，由此降低分辨率限度，使得能夠再現由長度較短的記錄標志和長度較短的空白區域所構成的數據。然而，對于再現數據的激光束的波長λ能夠被縮短到什么程度以及物鏡的數值孔徑NA能夠被增加到什么程度存在限制，因此通過降低分辨率限度所能獲得的光學記錄盤的存儲容量的增加是有限的。此外，必須構成光學記錄盤，使得在通過一些手段或其它方式增加其存儲容量的情況下，當再現記錄在光學記錄盤中的數據時，能夠獲得具有高C/N比的再現信號。因此，本專利技術的目的是提供一種光學記錄盤，其能夠記錄由包括記錄標志和與記錄標志相鄰的空白區域的記錄標志鏈所構成的數據，并且即使在記錄標志和相鄰記錄標志之間的空白區域的長度比分辨率限度還短的情況下也能夠從其上再現數據，由此顯著增加了該光學記錄盤的存儲容量，并能夠提高再現信號的C/N比。 通過構成一種光學記錄盤，使得通過使用數值孔徑為0.7至0.9的物鏡將波長λ為390nm至420nm的激光束會聚在該光學記錄盤上，能夠在其上記錄數據并從其上再現數據，從而實現本專利技術的上述目的，其中該光學記錄盤包括襯底；形成在該襯底上的并具有10nm至140nm厚度的第三介電層；形成在第三介電層上的并具有5nm至100nm厚度的光吸收層；形成在光吸收層上的并具有20nm至100nm厚度的第二介電層；形成在第二介電層上的分解反應層，其具有2nm至50nm厚度并含有貴金屬氧化物作為主要成分；形成在分解反應層上的第一介電層；和形成在第一介電層上的并具有10μm至200μm厚度的光透射層，并且構成該光學記錄盤，使得在從光透射層這一側用激光束照射光學記錄盤時，在分解反應層中作為主要成分所含的貴金屬氧化物被分解成貴金屬和氧，因此通過由此產生的氧氣在分解反應層中形成泡狀凹坑，并且貴金屬的細小顆粒沉淀在泡狀凹坑內，由此在分解反應層中形成了記錄標志。本專利技術的專利技術人在研究中發現，當使用數值孔徑為0.7至0.9的物鏡將波長λ為390nm至420nm的激光束從光透射層這一側照射到包括含有貴金屬氧化物作為主要成分的分解反應層的光盤時，在分解反應層中作為主要成分所含的貴金屬氧化物被分解成貴金屬和氧，因此通過由此產生的氧氣在分解反應層中形成泡狀凹坑，并且貴金屬的細小顆粒沉淀在泡狀凹坑內，由此在分解反應層中形成了記錄標志，并且在光學記錄盤中記錄了數據，在以此方式在光學記錄盤中記錄了數據的情況下，即使記錄標志和構成記錄標志鏈的相鄰記錄標志之間的空白區域的長度比分辨率限度還短，也能夠通過使用數值孔徑為0.7至0.9的物鏡將波長λ為390nm至420nm的激光束從光透射層這一側會聚到光學記錄盤上而再現數據。盡管沒有完全清楚其原因，但是在分解反應層中作為主要成分所含有的貴金屬氧化物被分解成貴金屬和氧的情況下，在分解反應層中形成了泡狀凹坑，并且貴金屬的細小顆粒沉淀在泡狀凹坑中，由此在分解反應層中形成了記錄標志，并在光學記錄盤中記錄了數據，因此即使在記錄標志的長度或構成記錄標志鏈的相鄰記錄標志之間的空白區域的長度小于分辨率限度的情況下，也能夠再現記錄在光學記錄盤中的數據，可以合理的得出以下結論，通過用于再現數據的激光束來照射貴金屬的細小顆粒而產生了近場光線并且分辨率限度消失，或者由于沉淀在泡狀凹坑中的貴金屬的細小顆粒與照射到貴金屬的細小顆粒的激光束之間的相互作用而導致分辨率限度變得更小。本專利技術的專利技術人在進一步研究中發現，在第二介電層的厚度與再現通過在分解反應層中形成記錄標志而在光學記錄盤中記錄的數據時所獲得的信號的C/N比之間存在緊密的關系，在形成第二介電層使其具有20nm至100nm厚度的情況下，能夠進一步提高當再現通過在分解反應層中形成記錄標志而在光學記錄盤中記錄的數據時所獲得的信號的C/N比。因此，按照本專利技術，由于第二介電層具有20nm至100nm的厚度，所以當再現通過在分解反應層中形成泡狀凹坑來形成記錄標志而記錄的數據時，能夠獲得具有高C/N比的再現信號。因此，按照本專利技術，通過在分解反應層中形成泡狀凹坑并且使貴金屬的細小顆粒沉淀在泡狀凹坑中，由此在分解反應層中形成記錄標志，即使記錄標志和構成記錄標志鏈的相鄰記錄標志之間的空白區域的長度小于分辨率限度，也能夠再現數據。因此，能夠在光學記錄盤中記錄數據，由此顯著地增加了光學記錄盤的存儲容量。此外，由于第二介電層具有20nm至100nm的厚度，所以當再現通過在分解反應層中形成泡狀凹坑來形成記錄標志而記錄的數據時，能夠獲得具有高C/N比的再現信號。在本專利技術中，分解反應層中作為主要成分所含有的貴金屬氧化物沒有特別地限制，但是從容易形成氧化物以及產生近場光線的效率方面來看，含有選自于Ag、Pt或Pd的至少一種貴金屬的氧化物是優選的，并且氧化鉑PtOx是特別優選的，因為其分解溫度較高。氧化鉑PtOx比其它貴金屬氧化物具有更高的分解溫度。因此，當功率被設定為用于記錄數據的激光束照射到光學記錄盤由此形成記錄標志時，由于能夠防止熱量從受到激光束照射的分解反應層的區域擴散到其周圍的分解反應層的其它區域，并能夠防止在激光束照射區域之外的區域中發生氧化本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種光學記錄盤，其被構成使得通過使用數值孔徑為０．７至０．９的物鏡將波長λ為３９０ｎｍ至４２０ｎｍ的激光束會聚在該光學記錄盤上，能夠在其上記錄數據并從其上再現數據，該光學記錄盤包括：襯底；形成在該襯底上的并具有１０ｎｍ至１４０ｎｍ厚度的第三介電層；形成在該第三介電層上的并具有５ｎｍ至１００ｎｍ厚度的光吸收層；形成在該光吸收層上的并具有２０ｎｍ至１００ｎｍ厚度的第二介電層；形成在該第二介電層上的分解反應層，其具有２ｎｍ至５０ｎｍ厚度并含有貴金屬氧化物作為主要成分；形成在該分解反應層上的第一介電層；和形成在該第一介電層上的并具有１０μｍ至２００μｍ厚度的光透射層，并且構成該光學記錄盤使其在受到來自光透射層這一側的激光束照射時，在分解反應層中作為主要成分所含的貴金屬氧化物被分解成貴金屬和氧，使得通過由此產生的氧氣在分解反應層中形成泡狀凹坑，并且貴金屬的細小顆粒沉淀在該泡狀凹坑內，由此在分解反應層中形成記錄標志。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】JP 2003-7-1 189274/20031.一種光學記錄盤，其被構成使得通過使用數值孔徑為0.7至0.9的物鏡將波長λ為390nm至420nm的激光束會聚在該光學記錄盤上，能夠在其上記錄數據并從其上再現數據，該光學記錄盤包括襯底；形成在該襯底上的并具有10nm至140nm厚度的第三介電層；形成在該第三介電層上的并具有5nm至100nm厚度的光吸收層；形成在該光吸收層上的并具有20nm至100nm厚度的第二介電層；形成在該第二介電層上的分解反應層，其具有2nm至50nm厚度并含有貴金屬氧化物作為主要成分；形成在該分解反應層上的第一介電層；和形成在該第一介電層上的并具有10μm至200μm厚度的光透射層，并且構成該光學記錄盤使其在受到來自光透射層這一側的激光束照射時，在分解反應層中作為主要成分所含的貴金屬氧化物被分解成貴金屬和氧，使得通過由此產生的氧氣在分解...

【專利技術屬性】
技術研發人員：菊川隆，福澤成敏，小林龍弘，
申請(專利權)人：TDK株式會社，
類型：發明
國別省市：JP[日本]