光盤裝置和制造光盤介質的方法制造方法及圖紙

地址段中的格式調制區域的長度被限定為地址段長度的２５％或更少，且格式調制區域的位置為可選擇的兩個可能位置。由此，當ＣＬＶ光盤介質被使用時，鄰近記錄軌跡中的擺動調制區域在半徑方向上彼此不重疊。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及一種具有用于記錄和再現信息的光點的光盤介質，以及用于執行記錄和再現的光盤裝置。
技術介紹
圖1為已知的記錄型光盤介質的示意圖。光盤4具有形成作為記錄軌跡3的導引的螺旋凹槽。該記錄軌跡3被分成多個具有預定長度的地址段5。表示地址等的格式信息存儲在每個地址段5中。迄今，格式信息作為壓紋預置凹坑形成在地址段5的前面。然而，近來，記錄軌跡3的凹槽發生少量彎曲，從而記錄軌跡3的彎曲周期被調制用于在其中嵌入格式信息。該方法被稱作擺動調制法。根據上述的結構，格式信息可存儲在與存儲在記錄軌跡3上的數據交疊的位置。由于存儲的數據的中斷被消除，所以由于格式信息的容量損失減小了。例如，可讀取/可重寫致密盤(CD-R/RW)使用具有變化擺動周期的調制信號，和+R/RW使用具有恒定頻率和變化擺動相位的調制信號。圖2A表示帶有調制擺動相位的記錄軌跡的例子。記錄軌跡3以預定的周期彎曲。存儲格式信息的調制區域中的預定部分的相位反相180度。該部分用作數據。擺動信號從這些彎曲凹槽中檢出，作為用于檢測跟蹤誤差信號的推挽信號的高頻分量。圖2B為在圖2A中所示上部的記錄軌跡的一個凹槽檢測的擺動信號的例子，其中沒有發生與其鄰近的其它凹槽的干擾。圖2B清楚地示出與彎曲凹槽相應的信號被檢測出。然而，在圖2A所示下部的凹槽中，也就是與上部凹槽鄰近的凹槽中，形成與其它地址段相應的格式信息。在這種情況下，如果記錄密度增加并且出現了由鄰近凹槽的擺動信號引起的干擾，則從記錄軌跡3檢測的擺動信號彼此變得不同。圖2C表示產生的擺動信號的例子，其中由于反相調制波形而產生了干擾。在圖2A所示的一個凹槽的預定調制區域與鄰近凹槽的調制區域相應的情況下產生該反相調制波形。那也就是說，在圖2A中，當從徑向看光盤介質時，凹槽之一的預定調制區域與鄰近凹槽的調制區域重疊。當記錄軌跡3的預定凹槽上的至少一個調制區域以上述方式與鄰近預定凹槽的凹槽上的調制區域重疊時，在此之后，描述該狀態為“在徑向上彼此重疊”。此外，當從半徑方向觀看光盤介質時，在記錄軌跡3的預定凹槽上如果沒有調制區域與鄰近預定凹槽的凹槽上的調制區域重疊時，在此之后，描述該狀態為“在徑向上彼此沒有重疊”。在圖2C中，在上述預定區域中的擺動信號的幅度大幅度減小。因此，要想正確讀取格式信息變得困難。當記錄軌跡3的密度增加時，將在記錄軌跡3的30％至40％的區域上發生由記錄軌跡3的由鄰近凹槽引起的干擾。當具有穩定線密度的記錄軌跡的恒定線速度(CLV)光盤介質被使用時，記錄軌跡的鄰近凹槽中的地址段的位置之間的關系連續發生變化。因此，避免出現上述的干擾變得困難。
技術實現思路
因此，本專利技術的一個目的是提供一種用于再現良好的格式信息而不會產生上述問題的光盤介質和光盤裝置。根據本專利技術的光盤介質具有螺旋記錄軌跡。所述記錄軌跡被分成多個具有預定地址段長度的地址段。在每個地址段中的預定位置處形成有格式調制區域，使得其與記錄軌跡重疊。按照本專利技術的第一方面，格式調制區域的長度為地址段長度的25％或更少。地址段中的格式調制區域的位置為第一調制區域和第二調制區域這兩個可選擇的位置。第二調制區域與第一調制區域隔開一個距離該距離是調制區域的長度的兩倍或更多，并且短于通過從地址段長度減去調制區域長度的兩倍所獲得的距離，鄰近記錄軌跡中的格式調制區域被選擇在使得在光盤介質的半徑方向中彼此不重疊的位置。根據本專利技術的第二方面，每個地址段被分成多個具有恒定子單元長度的子單元。格式調制區域形成在子單元中并且格式調制區域的長度為子單元的恒定子單元長度的25％或更少。子單元中的格式調制區域的位置為第一調制區域和第二調制區域這兩個可選擇的位置。第二調制區域與第一調制區域隔開一個距離該距離是調制區域的長度的兩倍或更多并且短于通過從恒定子單元長度減去調制區域長度的兩倍所獲得的距離。鄰近記錄軌跡中的格式調制區域被選擇在使得在光盤介質的半徑方向中彼此不重疊的位置。在本專利技術的第一和第二方面中，優選地記錄軌跡具有以基本恒定的周期彎曲的凹槽，其是在格式調制區域之外的部分上提供的。用于格式調制區域的調制方法為擺動調制方法，其是通過調制記錄軌跡的彎曲凹槽進行的。在本專利技術的第二方面中，優選地每個地址段具有多個沒有格式調制區域的空子單元，它們是在其頭部或末端以連續的方式提供的，其中空子單元的數量等于預定的整數或更多，其中所述整數是由形成地址段的子單元的數量除以二得到的(余數省略)。記錄軌跡包括至少一個第一類型地址段，其中在每個子單元而不是在空子單元中，格式調制區域被提供在第一調制區域中，和至少一個第二類型地址段，其中在每個子單元而不是空子單元中，格式調制區域被提供在第二調制區域中。在本專利技術的第二方面中，優選地每個地址段具有多個沒有格式調制區域的空子單元，它們是在其頭部或末端以連續的方式提供的，其中空子單元的數量等于預定的整數或更多，且所述整數是由形成地址段的子單元的數量k除以三得到的(余數省略)。記錄軌跡包括至少一個第一類型地址段，其中在每個子單元而不是空子單元中，格式調制區域被提供在第一調制區域中，至少一個第二類型地址段，其中在每個子單元而不是空子單元中，格式調制區域被提供在第二調制區域中，和至少一個第三類型地址段，其中連續的子單元而不是空子單元在第一調制區域中具有格式調制區域，其中連續子單元的數量等于預定的整數，該整數是通過將子單元數k除以三得到的(余數被省略或者進上一個單位)，且其中其它連續子單元在第二調制區域中具有格式調制區域，其中其它連續子單元的數量等于通過將子單元數k除以三獲得的預定整數。根據本專利技術的一種光盤裝置是用于對具有格式調制區域的光盤介質執行記錄和再現，所述格式調制區域選擇性地提供在地址段中具有恒定間距的兩個位置處，所述地址段具有預定的地址段長度或者具有多個以恒定子單元長度的子單元。所述光盤裝置包括第一單元，用于檢測兩個位置處的格式調制區域，和第二單元，用于根據通過第一單元獲得的檢測結果選擇一個檢測輸出。附圖說明圖1為已知光盤介質的示意圖；圖2A表示已知光盤介質的記錄軌跡的兩個鄰近凹槽；圖2B表示從記錄軌跡獲得的再現信號，其中沒有出現干涉； 圖2C表示從記錄軌跡獲得的再現信號，其中出現了干涉；圖3表示已知CLV光盤的特性；圖4A-4E表示用于解釋本專利技術的原理的磁跡的一部分的放大圖；圖5A-5E表示根據本專利技術第一實施例的記錄軌跡結構；圖6表示根據本專利技術第二實施例的記錄軌跡結構；圖7表示根據本專利技術第三實施例的記錄軌跡結構；圖8A和8B表示根據本專利技術第四實施例的地址段結構；圖9A和9B表示根據本專利技術第五實施例的記錄軌跡，其中所述記錄軌跡通過使用單一布局形成；圖10A-10E表示根據本專利技術第五實施例的記錄軌跡，其中所述記錄軌跡通過使用交替布局形成；圖11A-11C表示根據本專利技術第六實施例的地址段結構；圖12A和12B表示根據本專利技術第七實施例的記錄軌跡，其中所述記錄軌跡通過使用單一布局形成；圖13A-13E表示根據本專利技術第七實施例的記錄軌跡，其中所述記錄軌跡通過使用交替布局形成；圖14A和14B表示根據本專利技術第八實施例的記錄軌跡，其中所述記錄軌跡通過使用交替布局形成；圖15A-15C表示根據本專利技術第九實施例的地址段結構；圖16A和16B表示根據本專利技術第十實本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有螺旋記錄軌跡的光盤，所述記錄軌跡被分成多個具有預定地址段長度的地址段，在部分地址段的每一個中的預定位置處形成有格式調制區域，使得其與記錄軌跡重疊，其中格式調制區域的長度為地址段長度的２５％或更少，地址段中的格式調制區 域的位置為第一調制區域和第二調制區域這兩個可選擇的位置，第二調制區域與第一調制區域隔開一個距離；該距離是調制區域的長度的兩倍或更多，并且短于地址段長度減去調制區域長度的兩倍，鄰近記錄軌跡中的格式調制區域被選擇在使得在光盤介質的半徑方 向上彼此不重疊的位置。

【技術特征摘要】
JP 2003-2-18 40340/031.一種具有螺旋記錄軌跡的光盤，所述記錄軌跡被分成多個具有預定地址段長度的地址段，在部分地址段的每一個中的預定位置處形成有格式調制區域，使得其與記錄軌跡重疊，其中格式調制區域的長度為地址段長度的25％或更少，地址段中的格式調制區域的位置為第一調制區域和第二調制區域這兩個可選擇的位置，第二調制區域與第一調制區域隔開一個距離該距離是調制區域的長度的兩倍或更多，并且短于地址段長度減去調制區域長度的兩倍，鄰近記錄軌跡中的格式調制區域被選擇在使得在光盤介質的半徑方向上彼此不重疊的位置。2.一種具有螺旋記錄軌跡的光盤，所述記錄軌跡被分成多個具有預定地址段長度的地址段，在部分地址段的每一個中的預定位置處形成有格式調制區域，使得其與記錄軌跡重疊，其中每個地址段被分成多個具有恒定子單元長度的子單元，格式調制區域形成在子單元中并且格式調制區域的長度為子單元的恒定子單元長度的25％或更少，子單元中的格式調制區域的位置為第一調制區域和第二調制區域這兩個可選擇的位置，第二調制區域從第一調制區域分開一個距離該距離是調制區域的長度的兩倍或更多，并且短于子單元長度減去調制區域長度的兩倍，鄰近記錄軌跡中的格式調制區域被選擇在使得在光盤介質的半徑方向上彼此不重疊的位置。3.根據權利要求1的光盤介質，其中記錄軌跡具有以基本恒定的周期彎曲的凹槽，其是在格式調制區域之外的部分上提供的，并且用于格式調制區域的調制方法為擺動調制方法，其是通過調制記錄軌跡的彎曲凹槽進行的。4.根據權利要求2的光盤介質，其中記錄軌跡具有以基本恒定的周期彎曲的凹槽，其是在格式調制區域之外的部分上提供的，并且用于格式調制區域的調制方法為擺動調制方法，其是通過調制記錄軌跡的彎曲凹槽進行的。5.根據權利要求2的光盤介質，其中每個地址段具有多個沒有格式調制區域的空子單元，其是在其頭部或末端以連續的方式提供的，其中空子單元的數量等于預定的整數或更多，其中所述整數是通過用形成地址段的子單元的數量除以二得到的(余數省略)，所述記錄軌跡包括至少一個第一類型地址段，其中在每個子單元中...

【專利技術屬性】
技術研發人員：山中豐，萱沼金司，能彈長作，佐藤裕治，大澤英昭，
申請(專利權)人：日本電氣株式會社，株式會社東芝，
類型：發明
國別省市：JP[日本]