磁頭制造技術

本發明專利技術涉及一種適用于高頻而且要求高信噪比的高密度記錄用的磁頭。它由一對半磁芯對接而成，在鄰近磁隙處形成有頂端部分，該頂端部分具有形成在一個半磁芯上的第１倒角部分和第２倒角部分，第１倒角部分從磁隙深度位置開始以第１頂端角α沿磁隙長度倒角而形成，第２倒角部分以小于第１頂端角α的第２頂端角β倒角而成。（*該技術在2013年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術是關于將兩個具有磁性薄膜的半磁芯(即I磁芯和C磁芯)按確定的磁隙長度進行面對接而構成的磁頭，特別是關于采用Fe-Si-Al合金磁性薄膜等的軟磁性薄膜的磁頭，這種薄膜適用于高頻應用、而且要求高信噪比的高密度記錄用的磁頭(主要是視頻磁頭和計算機中用的磁頭等)。圖6示出了近年來采用在錄像機磁頭及計算機中用的磁頭等方面應用效果好的Fe-Si-Al合金磁性膜的薄膜疊層型磁頭的一個例子。下面簡單地說明一下該磁頭的構造。如圖6所示，薄膜疊層型磁頭1具有由在例如陶瓷這類基板上沉積Fe-Si-Al合金薄膜100而形成的薄膜疊層結構制成的一對半磁芯(即I磁芯2和C磁芯4)，I磁芯2和C磁芯4的對接面通過磁隙部分6接合為一體。一般地講，這時為了使磁通量集中在磁隙部分6處，往往在磁隙部分6的鄰近處通過機械加工形成倒角部分，即頂端部分8。同時，為了增強該部分的聯接強度，將該部分用頂部玻璃體10填滿。在計算機或視頻應用的場合，根據需要再進行一定的加工。以前，在計算機應用的復合型方面使用的磁頭1通常按頂端部分8的形狀大致分成二類，一類如圖7所示，該種磁頭的頂端部分的形狀是以規定的磁隙深度(D)的位置為起點，在C磁芯4上以頂端角(α)(通常α＝45°)的角度形成倒角部分12，根據需要在I磁芯2上以角度(θ)(通常θ＝45°)也形成有倒角部分14(這類磁頭以下簡稱“A型磁頭”)。另外一類如圖8所示，該種磁頭的頂端部分8的形狀是頂端角(α)實質上取為90°，沿頂端部分的長度(T)在C磁芯4上形成倒角部分16和18(這類磁頭以下簡稱“B型磁頭”)。通過圖9可理解到，上述構成的A型和B型磁頭中，對圖8所示的B型磁頭來說，由于在倒角部分16和18的接點附近而不是在磁隙部分首先產生磁通量的飽和現象，所以，即使增大磁動勢，磁隙處形成的磁場梯度大致也是一定的;而對圖7所示的A型磁頭來說，由于首先在磁隙部分開始產生磁通量的飽和現象，所以隨著磁動勢的增大，在磁隙處形成的磁場梯度逐漸下降，產生眾所周知的“特性響應跌落”(Roll-off)現象，因此，對A型磁頭來說，記錄電流增加時，產生重放功率下降的所謂記錄減磁方面的問題。圖9中所示的磁場梯度(Oe/μm)與磁動勢(AT)的曲線是以漂浮量為0.1μm、轉換場強為1600Oe及磁隙深度為4μm計算得到的。其中，磁場梯度指與放置在離磁頭的距離僅約為漂浮量的磁介質的轉換場強的大小相當的記錄磁場的梯度。另一方面，在磁隙部分讀出的重放效率η可定義為η＝ (磁隙長度×磁隙內的磁場強度)/(磁動勢(安匝))從再生效率η的方面對兩類磁頭進行比較時，從下面的表1可看出，不管磁隙深度(D)是多少，B型磁頭與A型磁頭比較，均存在重放效率低、重放輸出電壓不能充分地取出的問題。從以上所述可知，頂端部分8的形狀對磁頭1的磁特性有很大的影響。表1磁隙深度(D)A型磁頭B型磁頭1μm84.9%69.8%4μm64.9%60.1%10μm59.1%56.1%因此，本專利技術的目的是提供在記錄減磁和重放效率兩方面性能兼優的磁頭。概要地說，本專利技術的磁頭是一種將一對半磁芯的對接面通過中間介入一個磁隙部分的方式接合為一體、而且在該磁隙的鄰近部分形成一個頂端部分的磁頭，其特征是該頂端部分具有在一個上述半磁芯的一側形成的第1倒角部分和第2倒角部分，第1倒角部分是從規定的磁隙深度(D)的位置處開始，以第1頂端角(α)的角度沿所確定的頂端長度倒角加工形成，第2倒角部分與第1倒角部分相連接，它以比第1頂端角(α)小的第2頂端角(β)倒角加工而形成。上述第1倒角部分和第2倒角部分可以直線或曲線的方式形成。此外，上述第1頂端角(α)最好在70°)以上至90°以下的范圍內，上述第2頂端角(β)最好在15°以上至70°以下的范圍內。本專利技術的另一方案如下上述磁頭的頂端部分具有在另一個半磁芯上形成的第3倒角部分，第3倒角部分是從上述磁隙深度(D)之上的位置(D′)處開始，以第3頂端角(θ)倒角加工而形成的。通常，第3頂端角約為45°。附圖說明圖1是本專利技術磁頭的一個實施例的正視圖。圖2是本專利技術磁頭的另一個實施例的局部放大的正視圖。圖3是加工本專利技術磁頭的切削刀具的一個示例的正視圖。圖4是本專利技術磁頭的又一個實施例的正視圖。圖5是本專利技術磁頭的再一個實施例的正視圖。圖6是現有技術的磁頭的一個例子的斜視圖。圖7是現有技術的磁頭的一個例子的正視圖。圖8是另一例現有技術的磁頭的正視圖。圖9是本專利技術的磁頭與現有技術的磁頭的特性響應跌落曲線。圖10是本專利技術的磁頭中的頂端角(α)的大小與特性響應跌落的關系曲線。以下將按附圖更詳細地說明本專利技術的磁頭。實施例1圖1示出了本專利技術磁頭1的一個實施例。與以往的磁頭一樣，本專利技術的磁頭也具有一對半磁芯(即I磁芯2和C磁芯4)，它們是由在例如陶瓷之類的非磁性基板上沉積Fe-Si-Al合金薄膜而形成的薄膜疊層結構制成的，I磁芯2和C磁芯4的對接面通過中間介入一個磁隙部分6的方式接合為一體。按照本實施例，與磁隙6鄰接、由機械加工形成的倒角部分，即頂端部分8，是通過在C磁芯4上形成第1倒角部分22和第2倒角部分24而完成的。不必在I磁芯2上為形成頂端部分8而進行特殊的機械加工。頂端部分8中用頂部玻璃體10充填。還要說明的是，頂端部分8的第1倒角部分22是從所定的磁隙深度(D)的位置處開始，在C磁芯4上以第1倒角，即第1頂端角(α)的角度沿規定的頂端長度(T)進行倒角加工而形成的。另外，第2倒角部分24與第1倒角部分22相連接，并以第2倒角，即第2頂端角(β)的角度倒角加工而形成。如圖所示，第1與第2頂端角(α)、(β)是指以與I磁芯2和C磁芯4的對接面相平行的面作為基準面的張角，頂端長度(T)是從磁隙6所在平面開始，在與該平面相垂直的方向上測得的距離。本實施例在第1頂端角(α)為84°、頂端部分長度(T)為50μm、而第2頂角(β)為45°的情況下，可得到好的結果。圖9中示出了用圖1所示形狀的磁頭1，在磁隙深度(D)為4μm時計算得到的結果。從圖9中可了解到，對于有實施例1的結構的磁頭1，即使增大磁動勢，磁場梯度也大致保持一定，不會發生“特性響應跌落”現象。和前面說明的B型磁頭(圖8)一樣，不會產生記錄減磁的問題。換言之，即使增大記錄電流，本專利技術磁頭的重放功率也不下降。再者，計算在磁隙處的讀出(重放)效率(η)，可得出表2所示的結果。從表2以及先前示出的表1可得知，本實施例1的磁頭可達到與A型磁頭相同或更高的重放效率。表2磁隙深度實施例1實施例21μm83.1%80.6%4μm65.8%64.0%10μm59.2%57.3%本專利技術者們為了繼續更進一步對本實施例1的磁頭1中的第1頂角(α)與重放效率間的關系進行研究，將第2頂角(β)固定為45°，然后將第1頂角(α)取不同的值來進行計算。其結果示于表3。從表3可見，隨著第1頂角(α)的增加，磁頭的重放效率逐漸下降。表3磁隙深度(D)45°60°65°70°75°4μm74.169.969.268.667.810μm61.861.761.561.360.980°84°87°90°66.965.864.562.460.559.959.458.7其次，為了研究在實施例1的磁頭中第2頂端角(β)與本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種磁頭，由一對半磁芯在其對接面中間經一個磁隙部分接合為一體、而且在該磁隙的鄰近部分形成有一個頂端部分，其特征是：上述頂端部分具有在一個上述半磁芯上形成的第１倒角部分和第２倒角部分，上述第１倒角部分是從規定的磁隙深度位置（Ｄ）處開始，以第１頂端角（α）的角度沿所定的頂端長度倒角加工而形成的，上述第２倒角部分與上述第１倒角部分相連接，以比第１頂端角（α）小的第２頂端角（β）的角度倒角加工形成。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】JP 1992-11-11 326016/1992;JP 1993-2-16 5-501121.一種磁頭，由一對半磁芯在其對接面中間經一個磁隙部分接合為一體、而且在該磁隙的鄰近部分形成有一個頂端部分，其特征是上述頂端部分具有在一個上述半磁芯上形成的第1倒角部分和第2倒角部分，上述第1倒角部分是從規定的磁隙深度位置(D)處開始，以第1頂端角(α)的角度沿所定的頂端長度倒角加工而形成的，上述第2倒角部分與上述第1...

【專利技術屬性】
技術研發人員：齋藤和宏，村田修，清水達司，
申請(專利權)人：株式會社日本能源，
類型：發明
國別省市：JP[日本]