用于制造存儲介質的方法技術

本發明專利技術涉及用于制造存儲介質的方法。根據實施方式的一個方面，一種用于制造存儲介質的方法包括以下步驟：提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板組件；以及設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成基本上公共的平面。該方法還包括以下步驟：將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及。
技術介紹
在可以記錄及再現信息的存儲裝置中所使用的存儲介質各個都可以例如通過以下步驟制作在襯底(substrate)上形成磁性膜；將潤滑劑 (lubricant)涂布到所得到的疊置體(stack);以及對涂布了潤滑劑的疊 置體進行平坦化(planarize)。執行平坦化是為了提高在磁記錄裝置操作 期間的磁頭懸浮穩定性(floating stability),并且使得磁頭不會被附著到 磁記錄介質表面的異物所損害。日本技術登記申請特開昭No. 60-60014公開了這種存儲介質、存儲裝置以及。
技術實現思路
根據實施方式的一個方面， 一種包括以下 步驟提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板(mediumplate)組件； 設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導 組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成 基本上公共的平面；將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導 到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動 (slide)到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。附圖說明圖1A到IF是例示了根據本專利技術的實施方式的用于制造存儲介質的 方法的示意性截面圖2示出了在準備其具有記錄層的介質板組件的步驟中所準備的介質板組件的示例的示意性平面圖及示意性截面圖3是示出了在準備其具有記錄層的介質板組件的步驟中所準備的 介質板組件的另一示例的示意性截面圖4是示出了在排布引導組件和介質板組件的步驟中引導組件及介 質板組件的排布結構及形狀的示例的示意性平面圖5是示出了在排布引導組件和介質板組件的步驟中引導組件及介 質板組件的排布結構及形狀的另一示例的示意性平面圖6A到6C是例示了在根據本專利技術的實施方式的用于制造存儲介質 的方法中使拋光組件與引導組件相接觸的步驟的截面圖7A到7D是示出了在根據本專利技術的實施方式的用于制造存儲介質 的方法中拋光組件、引導組件與附著到介質板組件表面的異物之間的位 置關系的示意性截面圖8A到8C是示出了在根據現有技術的用于制造磁記錄介質的方法 的過程中拋光組件與附著到介質板組件表面的異物之間位置關系的示意 性截面圖9是示出了在實驗性示例1中所制作的磁記錄介質內瑕疵位置與 瑕疵數量之間關系的條形圖IOA到IOD是例示了在實驗性示例1中的最外周處的瑕疵的生成 機制的示意性截面圖IIA到11C是例示了在實驗性示例2中用于制造磁記錄介質的方 法的示意性截面圖12A到12C是例示了在對比示例1中用于制造磁記錄介質的方法 的示意性截面圖；以及圖13是示出了在對比較示例1中制作的磁記錄介質的兩個表面中的 瑕疵位置與數量之間關系的條形圖。具體實施例方式用于對存儲介質進行平坦化的典型方法是帶拋光(TB， Tape Bumishing)。帶拋光包括以下步驟將拋光帶壓靠旋轉磁記錄介質的正面及背面；然后，將拋光帶在磁記錄介質的表面上進行滑動，以去除介 質表面上的突起。為了提高磁記錄介質表面的平坦性并且去除磁記錄介 質表面上的異物，通常在磁記錄介質制造工藝的最后步驟中執行帶拋光。不利的是，帶拋光會導致磁記錄介質中的瑕疵，因而不利地影響磁 記錄及再現性能。瑕疵集中在磁記錄介質中拋光帶首先與該介質接觸的 部分。拋光帶和磁記錄介質之間的較小接觸區域將減少瑕疵數量。然而 在該情況下，會降低拋光效率。本專利技術提供了一種用于制造記錄介質的方法，該方法包括對存儲介 質進行平坦化，而不產生會不利地影響信息記錄及再現性能的瑕疵。圖1A到1F是例示了作為根據本專利技術的的 實施方式的用于制造磁記錄介質的方法的示意性截面圖。根據實施方式的用于制造磁記錄介質的方法包括以下步驟提供介 質板組件的步驟(圖1A);設置介質板組件和引導組件使得介質板組件 與引導組件彼此靠近并且介質板組件的表面與引導組件的表面形成基本 上公共的平面的步驟(圖1B);將用于對介質板組件進行拋光的拋光組 件引導到引導組件的表面上的步驟(圖1C到1D);以及將引導組件上的 拋光組件滑動到介質板組件上以對介質板組件的表面進行拋光的步驟(圖1D到1F)。下面將參照附圖來描述根據實施方式的用于制造磁記錄介質的方法 的步驟。1、準備介質板組件的步驟在該步驟中，準備在襯底上具有磁記錄層的介質板組件。在該步驟 中所準備的介質板組件經過平坦化步驟(稍后描述)，以形成磁記錄介質 而不會在介質表面上留有不規則體或異物。圖2示出了該步驟中所準備的介質板組件的示例的示意性平面圖和 示意性截面圖。介質板組件1在襯底11的各個表面上包括:軟磁底層12A 及12B，中間層13A及13B，記錄層14A及14B，以及保護層15A及15B。 保護層15A及15B的各個表面分別覆蓋有潤滑劑層16A及16B。介質板 組件1可以具有與目標磁記錄介質的形狀對應的任意形狀，并且通常為盤形。襯底ll的形狀、結構、尺寸、材料等不受具體限制，而是可以根據 用途而適當地選擇。例如，當將磁記錄介質合并到磁盤裝置中時，襯底 11為盤形。襯底11可具有單層結構或多層結構。可以由從用作磁記錄介 質的襯底的已知材料中所選擇的材料來構成襯底11。可以從鋁、玻璃、硅、石英、以及在硅表面上形成熱氧化膜的Si02/Si (/表示對在/之前及之后的襯底材料進行疊置)等中選擇所述材 料。可以單獨使用或組合使用這些材料。可適當地形成襯底11。另選的 是，市場上可獲得的襯底可以用作襯底ll。軟磁底層(SUL) 12A及12B中的每一個的形狀、結構、尺寸等不 受具體限制，而是可以根據用途而從過去已被使用的那些參數中適當地 選擇。軟磁底層12A及12B中的每一個優選地可由從Ru、Ru合金、MFe、 FeSiAl、 FeC、 FeCoB、 FeCoNiB及CoZrNb中選擇的至少一種材料構成。 可以單獨使用或組合使用這些材料。提供中間層13A及13B，以改進記錄層14A及14B的主要在垂直磁 記錄介質中的取向性(orientation)。中間層13A及13B中的每一個的形 狀、結構、尺寸等不受具體限制，而是可以根據用途而從過去已被使用 的那些參數中適當地選擇。中間層13A及13B中的每一個優選地可由從 Ni合金、Ru、 Ru合金、以及包含氧化物的CoCr合金中選擇的至少一種 材料構成。提供記錄層14A及14B，以在磁記錄介質中記錄和再現信息。用于記錄層14A及14B中的每一個的材料不受具體限制，而是可以 根據用途從己知材料中適當地選擇。例如，記錄層14A及14B中的每一 個優選地可由從Fe、 Co、 M、 FeCo、 FeNi、 CoNi、 CoNiP、 FePt、 CoPt、 及NiPt中選擇的至少一種材料構成。可以單獨使用或組合使用這些材料。記錄層14A及14B中的每一個的結構(形狀)不受具體限制，只要 將這些層都形成為由上述材料構成的磁性膜即可。可以根據用途而適當 地選擇結構(形狀)。記錄層14A及14B中的每一個的厚度不受具體限制，只要不損害本專利技術的優點即可。可以對應于記錄期間的線性記錄密度等而適當地選擇 該厚度。用于形成記錄層14A及14B的方法不受具體限制。可以由已知方法 (例如濺射(sputtering)、電淀積(electrodeposition)本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于制造存儲介質的方法，該方法包括以下步驟：　提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板組件；　設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成基本上公共的平面；　將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導到所述引導組件的表面上；以及　將所述引導組件上的所述拋光組件滑動到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。

【技術特征摘要】
JP 2007-8-27 2007-2202061、一種用于制造存儲介質的方法，該方法包括以下步驟提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板組件；設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成基本上公共的平面；將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。2、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述介質板組件具有記錄層， 以將信息記錄在所述記錄層上并且從所述記錄層再現信息。3、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述引導組件具有基本上與 所述介質板...

【專利技術屬性】
技術研發人員：奧村浩祥，山川榮進，
申請(專利權)人：富士通株式會社，
類型：發明
國別省市：JP[日本]