中子和γ-射線屏蔽材料制造技術

中子和γ－射線屏蔽材料。本發明專利技術是關于ｘ、γ輻射，微粒輻射及粒子轟擊的防護領域。材料具有質量輕，易做變形加工、耐沖擊、耐彎曲、耐拉伸等特點。適用于需要經常變形的物質和從事研制和使用放射性物質的人員的防護材料。（*該技術在2009年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】

【技術保護點】
輻射屏蔽高分子材料，特別是中子和γ－射線屏蔽材料。其特征為將中子吸收物質和γ－射線防護物質均勻分散在聚合物為聚乙稀醇或聚乙稀中，制成防中子和γ射線的板材。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】

【專利技術屬性】
技術研發人員：段瑾源，張興祥，于俊林，牛建津，金劍，王學晨，張華，
申請(專利權)人：天津紡織工學院，
類型：發明
國別省市：12[中國|天津]