本發明專利技術涉及一種電磁鐵三相高效節能控制器,它由三相主回路、延時控制高低壓轉換的觸發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管,延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管的控制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線圈。本發明專利技術的有益效果是與現有的電磁鐵控制器相比較,在體積不變的情況下,啟動電流下降了45%,從而節能節料,啟動速度提高了25%,推動力增加了30%,直流輸出電壓可以達到515V。
【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及一種電磁鐵三相高效節能控制器。
技術介紹
電磁鐵的應用廣泛,小到接觸器用電磁鐵,液壓闊用電磁鐵,管道閥用電磁鐵, 短行程制動電磁鐵,長行程制動電磁鐵,牽引電磁鐵、電磁錘等。隨著工業的飛速 發展,對電磁鐵的功率要求越來越大,對電磁鐵的啟動頻率的要求越來越高。現有的電磁鐵控制器已滿足不了上述要求,如中國專利公開的CN86206031U和 CN1737395A, 二者都采用單相整流后做為啟動電壓,利用變壓器降壓整流后做 為維持電壓,上述電磁鐵控制器提供的啟動直流電壓最高只能達到342V;利用 變壓降壓增大了體積和成本。眾所周知,電磁鐵的視在功率等于電壓乘電流,要提高電磁鐵的視在功率, 一個是提高電流,另一個是提高電壓。提高電流對電磁鐵發熱不利,因電磁鐵 發熱量和電流的平方成正比,在這種情況下,增加電磁鐵功率時就要多用銅線, 從而加大了電磁鐵的體積和成本,不但浪費資源,加大電磁容量時,還容易造 成供電不平衡,惡化供電線路。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是提供一種啟動功率大、啟動頻率高、啟動速 度快而且節能節料的電磁鐵三相高效節能控制器。 本專利技術解決其技術問題所采用的技術方案本專利技術由三相主回路、延時控制高低壓轉換的觸發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管,延時控制高低壓轉換的 觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管的控 制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線圈。本專利技術的有益效果是與現有的電磁鐵控制器相比較,在體積不變的情況下,啟動電流下降了 45%,從而節能節料,啟動速度提高了 25%,推動力增加了 30%, 直流輸出電壓可以達到515V。附圖說明圖l為本專利技術的原理框圖。圖2為實施例1的電路原理圖。 圖3為實施例2的電路原理圖。 圖4為實施例3的電路原理圖。.具體實施方式 實施例1:由圖l、 2所示的實施例可知,它由三相主回路、延時控制高低壓轉換的觸 發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管, 延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或者絕 緣柵雙極型晶體管的控制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線圈。所述三相主回路為由整流二極管D1—D3、可控硅CT1—CT3組成的三相半 控全波整流橋;所述三相半控全波整流橋的輸出端接有電磁鐵M的電磁線圈; 所述可控硅CT1CT3的觸發極分別通過限流電阻R6R8接所述延吋控制高低 壓轉換的觸發電路的輸出端。所述延時控制高低轉換的觸發電路由雙基極三極管BT、晶體管BG1、 BG2、 電阻R1R5、電容C1、 C2、直流電源Ec、開關K組成;雙基極三極管BT的 基極B2依次通過電阻R4、開關K接直流電源Ec的正極,雙基極三極管BT的 基極Bl通過電阻R5接直流電源Ec的負極;晶體管BG2的集電極依次通過電 阻R3、開關K接接直流電源Ec的正極,晶體管BG2的發射極通過電容C2接 直流電源Ec的負極,雙基極三極管BT的發射極E接晶體管BG2的發射極與電 容C2的節點;晶體管BG1的集電極依次通過電阻R2、開關K接直流電源Ec 的正極,晶體管BG1的發射極接晶體管BG2的發射極與電容C2的節點;電阻 Rl與鬼容C1串聯組成的延時控制電路通過開關K接在直流電源Ec的兩端,晶 體管BG1、 BG2的基極均接電阻R1與電容C1的節點。實施例l的工作過程如下(參見圖2):接通電源后,由于電容C1兩端的電壓不能突變,晶體管BG1截止,BG2 導通,直流電源Ec通過電阻R3、 BG2向C2充電,由于R3的阻值遠遠小于R2的阻值,C2快速充電至使雙塞極三極管BT工作,BT輸出的觸發脈沖使可控硅 CT1CT3全導通,半控全波整流橋輸出高達515V的直流電壓,供電磁鐵M啟 動。在由R1、C1組成的延時控制電路中,當電容C1上的電壓充至使BG2關斷, BG1導通時,直流電源Ec通過R2、 BG1向C2充電,由于R2的阻值遠遠大于 R3,此時雙基極三極管BT輸出的觸發脈沖使可控硅CT1一CT3的導通角變小, 這時,半控全波整流橋輸出的較低直流電壓剛好可以維持電磁鐵M的吸合。實施例2:由圖1、 3所示的實施例2可知,它與實施例1不同的是所述三相主回路為 由整流二極管D4~D9組成的三相全波整流橋、可控硅CT4組成;所述可控硅 CT4與電磁鐵M的電磁線圈串聯后與所述三相全波整流橋D4—D9的輸出端并 聯,所述可控硅CT4的觸發極接所述延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端。實施例3:由圖l、 4所示的實施例3可知,它由三相主回路、延時控制高低壓轉換的 觸發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體 管,延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或 者絕緣柵雙極型晶體管的控制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線 圈。所述三相主回路為由整流二極管D10-D15組成的三相全波整流橋,絕緣 柵雙極型晶體管BG3 (IGBT)組成;所述絕緣柵雙極型晶體管BG3與電磁鐵M 的電磁線圈串聯后與所述三相全波整流橋D10—D15的輸出端并聯,所述絕緣 柵雙極型晶體管BG3的門極G通過降壓電阻RIO接延時控制高低壓轉換的觸發 電路的輸出端。所述延時控制高低壓轉換的觸發電路由雙基極三極管BT、晶體管BG1、 BG2、電阻R1—R5、電容C1、 C2、直流電源Ec、開關K、觸發電路集成塊IC1、 電阻R9、降壓電阻R10組成;雙基極三極管BT的基極B2依次通過電阻R4、 開關K接直流電源Ec的正極,雙基極三極管BT的基極Bl通過電阻R5接直流 電源Ec的負極;晶體管BG2的集電極依次通過電阻R3、開關K接接直流電源Ec的正極,晶體管BG2的發射極通過電容C2接直流電源Ec的負極,雙基極三 極管BT的發射極E接晶體管BG2的發射極與電容C2的節點;晶體管BG1的 集電極依次通過電阻R2、開關K接直流電源Ec的正極,晶體管BG1的發射極 接晶體管BG2的發射極與電容C2的節點;電阻R1與電容C1串聯組成的延時 控制電路通過開關K接在直流電源Ec的兩端,晶體管BG1、 BG2的基極均接 電阻Rl與電容Cl的節點;觸發電路集成塊IC1的輸入端2腳經過電阻R9接 雙基極三極管BT的基極Bl ,觸發電路集成塊IC1的3腳接直流電源Ec的負極, 觸發電路集成塊IC1的輸出端6腳經降壓電阻R10接絕緣柵雙基極型晶體管 BG3的門極G,觸發電路集成塊IC1的5腳接地,絕緣柵雙基極型晶體管BG3 的發射極E接地。在圖4中。穩壓二極管DW1、 DW2串聯后組成的保護電路接在BG3的門 極G與發射極E之間。本文檔來自技高網...
【技術保護點】
電磁鐵三相高效節能控制器,其特征在于它由三相主回路、延時控制高低壓轉換的觸發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管,延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管的控制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線圈。
【技術特征摘要】
1.電磁鐵三相高效節能控制器,其特征在于它由三相主回路、延時控制高低壓轉換的觸發電路組成;三相主回路包括有整流二極管和可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管,延時控制高低壓轉換的觸發電路的輸出端接所述三相主回路中的可控硅或者絕緣柵雙極型晶體管的控制端,所述三相主回路的輸出端接電磁鐵的電磁線圈。2. 根據權利要求l所述的電磁鐵三相高效節能控制器,其特征在于所述三 相主回路為由整流二極管D1—D3、可控硅CTHT3組成的三相半控全波整流 橋;所述三相半控全波整流橋的輸出端接有電磁鐵M的電磁線圈;所述可控硅 CT1一CT3的觸發極分別通過限流電阻R6—R8接所述延時控制高低壓轉換的觸 發電路的輸出端。3. 根據權利要求l所述的電磁鐵三相高效節能控制器,其特征在于所述三 相主回路為由整流二極管D4—D9組成的三相全波整流橋、可控硅CT4組成; 所述可控硅CT4與電磁鐵M的電磁線圈串聯后與所述三相全波整流橋D4—D9 的輸出端并聯,所述可控硅CT4的觸發極接所述延時控制高低壓轉換的觸發電 路的輸出端。4. 根據權利要求2或3所述的電磁鐵三相高效節能控制器,其特征在于所 述延時控制高低轉換的觸發電路由雙基極三極管BT、晶體管BG1、 BG2、電阻 R1—R5、電容C1、 C2、直流電源Ec、開關K組成;雙基極三極管BT的基極 B2依次通過電阻R4、開關K接直流電源Ec的正極,雙基極三極管BT的基極 Bl通過電阻R5接直流電源Ec的負極;晶體管BG2的集電極依次通過電阻R3、 開關K接接直流電源Ec的正極,晶體管BG2的發射極通過電容C2接直流電源 Ec的負極,雙基極三極管BT的發射極E接晶體管BG2的發射極與電容C2的 節點;晶體管BG1的集電極依次通過電阻R2、開關K接直流電源Ec的正極, 晶體管BG1的發射極接晶體管BG2的發射極與電容C2的節點;電阻Rl與電 容Cl串聯組成的延時控...
【專利技術屬性】
技術研發人員:張利,張旗,張家政,
申請(專利權)人:張家政,
類型:發明
國別省市:13[中國|河北]
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