固化性樹脂組合物制造技術(shù)

提供：其固化物兼具優(yōu)異的耐熱性及介電特性的固化性樹脂組合物、其固化物、兼具這些性能的預(yù)浸料、電路基板、積層薄膜、半導(dǎo)體密封材料、以及半導(dǎo)體裝置。本發(fā)明專利技術(shù)的固化性樹脂組合物的特征在于，含有：具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)、及氰酸酯化合物(B)。及氰酸酯化合物(B)。及氰酸酯化合物(B)。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】
【國外來華專利技術(shù)】固化性樹脂組合物


[0001]本專利技術(shù)涉及固化性樹脂組合物、由前述固化性樹脂組合物得到的固化物、預(yù)浸料、電路基板、積層薄膜、半導(dǎo)體密封材料及半導(dǎo)體裝置。

技術(shù)介紹

[0002]作為電子設(shè)備用的電路基板的材料，正在廣泛使用：使環(huán)氧樹脂系、BT(雙馬來酰亞胺
?
三嗪)樹脂系等熱固性樹脂浸滲于玻璃布并進行加熱干燥而得到的預(yù)浸料、將該預(yù)浸料加熱固化而成的層疊板、將該層疊板和該預(yù)浸料組合并進行加熱固化而成的多層板。其中，半導(dǎo)體封裝基板正逐漸薄型化，安裝時的封裝體基板的翹曲成為問題，因此為了抑制這種情況，要求表現(xiàn)高耐熱性的材料。
[0003]另外，近年來，信號的高速化、高頻化在進展，期望提供可獲得在這些環(huán)境下維持足夠低的介電常數(shù)、并且表現(xiàn)足夠低的介電損耗角正切的固化物的熱固化性樹脂組合物。
[0004]特別是，最近在各種電子材料用途、尤其是尖端材料用途中，要求耐熱性、介電特性所代表的性能的進一步提高、及兼具所述性能的材料、組合物。
[0005]針對所述要求，馬來酰亞胺樹脂作為兼具耐熱性和低介電常數(shù)/低介電損耗角正切的材料正受到關(guān)注。但是，以往的馬來酰亞胺樹脂雖然顯示高耐熱性，但其介電常數(shù)/介電損耗角正切值未達到尖端材料用途所要求的水平，而且因難溶劑溶解性而處理性差，因此強烈希望開發(fā)維持耐熱性、并且顯示進一步的低介電常數(shù)/低介電損耗角正切、并且溶劑溶解性也優(yōu)異的樹脂。
[0006]這樣的情況下，作為兼具高度的介電特性及耐熱性的氰酸酯系材料，已知有將苯酚酚醛清漆型氰酸酯樹脂、雙酚A氰酸酯樹脂和非鹵素系環(huán)氧樹脂配混而成的樹脂組合物(參照專利文獻1)。
[0007]但是，前述專利文獻1記載的樹脂組合物雖然固化物的耐熱性和介電特性有一些程度改善，但關(guān)于耐熱性，還未達到近些年要求的水準。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0009]專利文獻
[0010]專利文獻1：日本特開2004
?
182850號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

[0011]專利技術(shù)要解決的問題
[0012]因此，本專利技術(shù)要解決的問題在于，提供其固化物兼具優(yōu)異的耐熱性及介電特性的固化性樹脂組合物及其固化物、兼具所述性能的預(yù)浸料、電路基板、積層薄膜、半導(dǎo)體密封材料、以及半導(dǎo)體裝置。
[0013]用于解決問題的方案
[0014]因此，本專利技術(shù)人等為了解決上述問題而進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，對于含有具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)及氰酸酯化合物(B)的固化性樹脂組合物，其固化物能夠具有低
介電常數(shù)及低介電損耗角正切，并且兼具優(yōu)異的耐熱性，從而完成了本專利技術(shù)。
[0015]即，本專利技術(shù)涉及一種固化性樹脂組合物，其特征在于，含有：具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)、及氰酸酯化合物(B)。
[0016]本專利技術(shù)的固化性樹脂組合物中，前述馬來酰亞胺(A)優(yōu)選由下述通式(1)表示。
[0017][0018](式(1)中，Ra各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10的環(huán)烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，q表示0～4的整數(shù)值。q為2～4時，Ra在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不同。Rb各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10的環(huán)烷基、鹵素原子、羥基或巰基，r表示0～3的整數(shù)值。r為2～3時，Rb在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不同。n為平均重復(fù)單元數(shù)，表示0.5～20的數(shù)值。)
[0019]本專利技術(shù)的固化物優(yōu)選使前述固化性樹脂組合物進行固化反應(yīng)而成。
[0020]本專利技術(shù)的預(yù)浸料優(yōu)選具有加強基材及浸滲于前述加強基材的前述固化性樹脂組合物的半固化物。
[0021]本專利技術(shù)的電路基板優(yōu)選將前述預(yù)浸料及銅箔層疊并進行加熱壓接成型而得到。
[0022]本專利技術(shù)的積層薄膜優(yōu)選含有前述固化性樹脂組合物。
[0023]本專利技術(shù)的半導(dǎo)體密封材料優(yōu)選含有前述固化性樹脂組合物。
[0024]本專利技術(shù)的半導(dǎo)體裝置優(yōu)選包含將前述半導(dǎo)體密封材料加熱固化而成的固化物。
[0025]專利技術(shù)的效果
[0026]根據(jù)本專利技術(shù)的固化性樹脂組合物，能夠提供由前述固化性樹脂組合物得到的固化物兼具優(yōu)異的耐熱性及介電特性、并兼具所述性能的固化性樹脂組合物、由前述固化性樹脂組合物得到的固化物、預(yù)浸料、電路基板、積層薄膜、半導(dǎo)體密封材料及半導(dǎo)體裝置，是有用的。
具體實施方式
[0027]以下，詳細地對本專利技術(shù)進行說明。
[0028]本專利技術(shù)涉及一種固化性樹脂組合物，其特征在于，含有：具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)、及氰酸酯化合物(B)。其中，前述馬來酰亞胺(A)優(yōu)選由下述通式(1)表示。前述馬來酰亞胺(A)具有茚滿骨架，從而與一直以來的馬來酰亞胺相比，前述馬來酰亞胺(A)的結(jié)構(gòu)中極性官能團的比例少，因此介電特性優(yōu)異，因此是優(yōu)選的。另外，使用以往的馬來酰亞胺樹脂的固化物有脆的傾向，擔心耐脆性差，但前述馬來酰亞胺(A)具有茚滿骨架，從而撓性優(yōu)異，也可期待耐脆性的改善，是優(yōu)選的。
[0029][0030]上述通式(1)中，Ra各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10(優(yōu)選5～10)的環(huán)烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，q表示0～4的整數(shù)值。q為2～4時，Ra在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不同。Rb各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10的環(huán)烷基、鹵素原子、羥基或巰基，r表示0～3的整數(shù)值。r為2～3時，Rb在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不同。n為平均重復(fù)單元數(shù)，表示0.5～20的數(shù)值。需要說明的是，前述r及前述q為0的情況下，Ra及Rb分別指氫原子。
[0031]上述通式(1)的Ra優(yōu)選為碳數(shù)1～4的烷基、碳數(shù)3～6的環(huán)烷基、碳數(shù)6～10的芳基中的任意者，通過為前述碳數(shù)1～4的烷基等，是溶劑溶解性因馬來酰亞胺基附近的平面性的降低、結(jié)晶性降低而提高、并且可在不損害馬來酰亞胺基的反應(yīng)性的情況下得到固化物的優(yōu)選的方式。
[0032]上述通式(1)中的q優(yōu)選為2～3、更優(yōu)選為2。前述q為2的情況下，立體位阻的影響小，芳香環(huán)上的電子密度提高，在馬來酰亞胺的制造(合成)中是優(yōu)選的方式。
[0033]優(yōu)選上述通式(1)中的r為0，Rb為氫原子，另外，優(yōu)選r為1～3、Rb為選自由碳數(shù)1～4的烷基、碳數(shù)3～6的環(huán)烷基、及碳數(shù)6～10的芳基組成的組中的至少1種，特別是通過使前述r為0、且Rb為氫原子，從而在馬來酰亞胺中的茚滿骨架的形成時立體位阻變少，對于馬來酰亞胺的制造(合成)有利，是優(yōu)選的方式。
[0034]<具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)的制造方法>
[0035]以下對前述馬來酰亞胺(A)的制造方法進行說明。
[0036]下述通式(2)為下述化合物：Rc各自獨立地表示選自由下述通式(3)及(4)組成的組中的一價的官能團，2個Rc中本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】

【技術(shù)特征摘要】
【國外來華專利技術(shù)】1.一種固化性樹脂組合物，其特征在于，含有：具有茚滿骨架的馬來酰亞胺(A)、及氰酸酯化合物(B)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固化性樹脂組合物，其特征在于，所述馬來酰亞胺(A)由下述通式(1)表示，式(1)中，Ra各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10的環(huán)烷基、鹵素原子、硝基、羥基或巰基，q表示0～4的整數(shù)值，q為2～4時，Ra在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不同，Rb各自獨立地表示碳數(shù)1～10的烷基、烷氧基或烷硫基、碳數(shù)6～10的芳基、芳氧基或芳硫基、碳數(shù)3～10的環(huán)烷基、鹵素原子、羥基或巰基，r表示0～3的整數(shù)值，r為2～3時，Rb在同一環(huán)內(nèi)任選相同或不...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：下野智弘，岡本竜也，
申請(專利權(quán))人：DIC株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：