電沉積金-碳化硅復合鍍層制造技術

一種用于繼電器觸點的抗電侵蝕的耐磨復合鍍層，是用電鍍方法沉積在銅合金或其他金屬基體上．復合鍍層中彌散有占鍍層體積０．１－１０％，粒徑小于０．５微米的ＳｉＣ微粒．這種金基復合鍍層具有比純金高的顯微硬度，低的摩擦系數，接觸電阻略大于金，但低于金合金，并且耐電侵蝕性、抗腐蝕及抗變色能力強．這種Ａｕ－ＳｉＣ復合鍍層可在含有ＳｉＣ微粒的，氰化物的、酸性的及亞硫酸鹽的鍍金溶液中獲得．（*該技術在2005年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
本專利技術屬于繼電器觸點材料的選用。制作弱電流、小功率、高靈敏度的繼電器的電觸點，通常采用純金(包括電鍍純金)或金合金(包括電鍍金合金)。金具有優良的導電導熱性能，非常好的耐蝕性和抗變色能力，對有機污染的敏感性也很小。但是金的硬度低，抗液橋浸蝕能力差，且摩擦系數大(約為0.94)，耐磨性差，價格昂貴。自本世紀六十年代以來，復合電沉積技術迅速發展。1969年培費爾(Peiffer)等人曾報導用電沉積方法獲得Au-WC復合鍍層用于干簧繼電器的電觸點。經檢索1961至1984年的CA未發現有記載關于Au-SiC復合鍍層用于繼電器及其電化學形成工藝的文獻或專利。本專利技術的目的在于，用復合電鍍技術在銅合金或其他金屬材料基體上形成一薄層Au-SiC復合物表層。該復合物層將金的優良導電導熱性，優異的化學穩定性與碳化硅的耐熱耐磨性結合在一起，形成一種縮合性能優良的復合鍍層，用在繼電器的觸點上，可使繼電器工作的可靠性和使用壽命大幅度提高。本專利技術的特征是采用電化學沉積的方法，在銅合金或其他金屬基體上沉積一薄層Au-SiC復合鍍層，SiC微粒的含量占鍍層體積的0.1～10%，粒徑小于0.5微米。這種復合鍍層具有硬度高，Hv達100～180，電鍍金層的Hv在90左右，電鍍金-鈷合金的Hv為140～180，耐磨性好;摩擦系數小于0.5。作為繼電器的電觸點，Au-SiC復合鍍層的接觸電阻低，在接觸壓力為10克，電流10～40毫安條件下，接觸電阻≤5mΩ，在同樣條件下，金的接觸電阻為3.5mΩ，金-鈷合金為7mΩ，而且耐電浸蝕，抗腐蝕及抗變色能力強。本專利技術的復合電鍍工藝的特點在于，可以在氰化鍍金液，酸性鍍金液及亞硫酸鹽鍍金液等電解液中加入一定量的SiC微粒，在整個電鍍過程中，使微粒在電解液中充分懸浮。本專利技術的Au-SiC復合電鍍工藝實施例如下金(以KAu(CN)2形式 8～12克/升加入)檸檬酸氫二銨 80～110克/升碳化硅微粒(粒徑＜0.5 0.1～10克/升微米)pH 5.4～5.8鍍液溫度 30～50℃陰極電流密度 0.1～0.5安/分米2陽極用純金或鈦基鍍鉑電極。采用機械攪拌或鍍液循環使SiC微粒在鍍液中充分懸浮。鍍層厚度根據需要可在2～50微米間選擇。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種以金為基的復合鍍層用于繼電器的電觸點，其特征在于在銅合金或其他金屬基體上沉積一層Ａｕ－ＳｉＣ復合鍍層。復合鍍層中彌散有占鍍層體積０．１～１０％的ＳｉＣ微粒，粒徑小于０．５微米。

【技術特征摘要】
1.一種以金為基的復合鍍層用于繼電器的電觸點，其特征在于在銅合金或其他金屬基體上沉積一層Au-SiC復合鍍層。復合鍍層中彌散有占鍍層體積0.1～10%的SiC微粒，粒徑小于...

【專利技術屬性】
技術研發人員：郭鶴桐，王兆勇，邱訓高，
申請(專利權)人：天津大學，
類型：發明
國別省市：12[中國|天津]