本實用新型專利技術公開了一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，包括基體、電阻膜層、金屬引線，以及設置在基體上的電極膜，電極膜包括A面電極膜層、B面電極膜層和側面電極膜層，A面電極膜層設置在基體的上表面，B面電極膜層設置在基體的下表面，側面電極膜層設置在基體側面并連接A面電極膜層和B面電極膜層，電阻膜層與A面電極膜層搭接端搭接，電阻膜層及其與A面電極膜層連接部分的表面覆蓋有玻璃釉膜層。本實用新型專利技術涉及電阻元件技術領域，解決了射頻功率電阻器不耐高脈沖頻率的缺點，使得電阻器在擁有高功率和高頻段的性能同時能耐受幾千瓦的脈沖功率。采用n型電極和雙邊接地設計，增加了電阻器耐脈沖能力。分體式電阻設計，確保了兩個電阻膜層阻值在生產時能夠被精確的測量和控制，且避免了電壓擊穿。加厚基體避免了輸入端和接地端產生飛弧。和接地端產生飛弧。和接地端產生飛弧。
【技術實現步驟摘要】
一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器
[0001]本技術屬于電阻元件領域，具體涉及一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器。
技術介紹
[0002]隨著射頻技術的發展，一種新型的脈沖技術因其獨特的技術優勢逐漸的在成為射頻電路設計中的主流技術。但是其高脈沖、高頻寬帶等特點給射頻電路的設計以及配套元器件的設計帶來了全新的挑戰。現有的射頻功率電阻器的大多只能滿足高頻寬帶或耐脈沖功率一項要求，因需滿足耐脈沖功率要求電阻膜層體積必須足夠大，電阻器整體體積也需加大。而需滿足高頻寬帶卻要求電阻器整體體積要盡可能的小，從而得到穩定的阻抗和低分布參數。
技術實現思路
[0003]本技術的目的在于提供一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，以解決上述背景中提出的現有的射頻功率電阻器只能滿足高頻寬帶或耐脈沖功率一項要求的問題。
[0004]為實現上述目的，本技術提供如下技術方案：一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，包括基體、電阻膜層、金屬引線，以及設置在基體上的電極膜，所述電極膜包括A面電極膜層、B面電極膜層和側面電極膜層，所述A面電極膜層設置在基體的上表面，其包括n形膜、第一條形膜和第二條形膜三部分，所述B面電極膜層設置在基體的下表面，所述側面電極膜層設置在基體側面并連接A面電極膜層和B面電極膜層，所述電阻膜層包括第一矩形電阻膜、第二矩形電阻膜，所述第一矩形電阻膜、第二矩形電阻膜設置在n形膜兩側位置，與A面電極膜層搭接端搭接，所述電阻膜層及其與A面電極膜層連接部分的表面覆蓋有玻璃釉膜層，所述基體的上表面還設有封裝蓋板。
[0005]優選的，所述B面電極膜層采用絲網漏印工藝印在基體的整個下表面，所述側面電極膜層包括設置在基體左右側面的兩部分，與第一條形膜、第二條形膜形成有效的電氣連接。
[0006]優選的，所述金屬引線采用熱壓焊工藝焊接于n形膜之上，所述封裝蓋板采用耐高溫粘接劑粘接在基體上表面，所述基體采用加厚氧化鈹陶瓷。
[0007]優選的，所述第一條形膜和第二條形膜設置在基體上表面的兩側邊沿位置，所述n形膜設置在第一條形膜和第二條形膜的中間位置，位于基體的中心。
[0008]優選的，所述第一矩形電阻膜、第二矩形電阻膜設置在n形膜兩側位置，位于A面電極膜層之上，與n形膜、第一條形膜、第二條形膜的搭接端搭接，并形成有效地電氣連接。
[0009]與現有技術相比，本技術提供了一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，具備以下有益效果：
[0010]1、加厚的陶瓷基體保證了電阻器有足夠的爬電距離，避免高脈沖信號通過輸入端時與接地面產生飛弧，造成電阻器被電壓擊穿而失效。同時，加厚的陶瓷基體能保證其承載的電極膜層和電阻膜層在體積較大的情況下能有足夠的阻抗，避免了阻抗偏小帶來的頻率
偏移，保證了電阻器的高頻高帶寬特性。
[0011]2、采用n型電極設計配合雙路分流結構，將輸入的大電流未到達電阻膜層前就進行分流，分為兩路通過，避免了電流過大而造成電阻膜層燒毀的問題。因雙路分流的難點在于如何將電流平均分配，兩次的電阻膜層阻值差異會導致電流不均勻分配，從而增加電流密度大的一側的燒毀風險。分體式的電阻膜層設計使得兩次的電阻值能夠被有效的測量從而加以控制。同時足夠的電阻膜層長度又能分散脈沖信號的高電壓，使得單位長度內的電壓值被限制在電阻膜層的額定工作電壓內。
[0012]3、使用玻璃釉漿料覆蓋整個電阻膜層及其與電極膜層連接部分。玻璃釉漿料中的玻璃能覆蓋并填充電阻膜層的孔隙以及n形電極的空隙，玻璃隔絕了電阻膜層，避免電阻在發熱情況下與空氣反應造成失效，同時也玻璃的絕緣特性也避免了n型電極兩腳之間非預期飛弧。
附圖說明
[0013]附圖用來提供對本技術的進一步理解，并且構成說明書的一部分，與本技術的實施例一起用于解釋本技術，并不構成對本技術的限制，在附圖中：
[0014]圖1為本技術的整體結構示意圖；
[0015]圖2為本技術拆分的內部結構示意圖；
[0016]圖3為本技術進一步拆分的結構示意圖；
[0017]圖4為本技術基體及A面電極膜層的結構示意圖。
[0018]圖中：1、基體；2、B面電極膜層；3、側面電極膜層；4、A面電極膜層；41、n形膜；42、第一條形膜；43、第二條形膜；5、電阻膜層；51、第一矩形電阻膜；52、第二矩形電阻膜；6、玻璃釉膜層；7、金屬引線；8、封裝蓋板；
具體實施方式
[0019]下面將結合本技術實施例中的附圖，對本技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術保護的范圍。
[0020]在本技術的描述中，需要說明的是，術語“上”、“下”、“左”、“右”、“內”、“外”、“兩端”、“一端”、“另一端”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性。
[0021]在本技術的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“設置有”、“連接”等，應做廣義理解，例如“連接”，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體式連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0022]請參閱圖1
?
4，本技術提供一種技術方案：
[0023]一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，包括基體1、電阻膜層5、金屬引線7，以及設置在基體上的電極膜，電極膜包括A面電極膜層4、B面電極膜層2和側面電極膜層3，A面電極膜層4設置在基體1的上表面，其包括n形膜41、第一條形膜42和第二條形膜43三部分，B面電極膜層2設置在基體1的下表面，側面電極膜層3設置在基體1側面并連接A面電極膜層4和B面電極膜層2，電阻膜層5包括第一矩形電阻膜51、第二矩形電阻膜52，第一矩形電阻膜51、第二矩形電阻膜52設置在n形膜41兩側位置，與A面電極膜層4搭接端搭接，電阻膜層5及其與A面電極膜層4連接部分的表面覆蓋有玻璃釉膜層6，所述基體1的上表面還設有封裝蓋板8。
[0024]具體的，B面電極膜層2采用絲網漏印工藝印在基體1的整個下表面，側面電極膜層3包括設置在基體1左右側面的兩部分，與第一條形膜42、第二條形膜43形成有效的電氣連接。
[0025]具體的，金屬引線7采用熱壓焊工藝焊接于n形膜41之上，封裝蓋板8采用耐高溫粘接劑粘接在基體1上表面，所述基體1采用加厚氧化鈹陶瓷。
[0026]具體本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，包括基體(1)、電阻膜層(5)、金屬引線(7)，以及設置在基體上的電極膜，其特征在于：所述電極膜包括A面電極膜層(4)、B面電極膜層(2)和側面電極膜層(3)，所述A面電極膜層(4)設置在基體(1)的上表面，其包括n形膜(41)、第一條形膜(42)和第二條形膜(43)三部分，所述B面電極膜層(2)設置在基體(1)的下表面，所述側面電極膜層(3)設置在基體(1)側面并連接A面電極膜層(4)和B面電極膜層(2)，所述電阻膜層(5)包括第一矩形電阻膜(51)、第二矩形電阻膜(52)，所述第一矩形電阻膜(51)、第二矩形電阻膜(52)設置在n形膜(41)兩側位置，與A面電極膜層(4)搭接端搭接，所述電阻膜層(5)及其與A面電極膜層(4)連接部分的表面覆蓋有玻璃釉膜層(6)，所述基體(1)的上表面還設有封裝蓋板(8)。2.根據權利要求1所述的一種耐高脈沖高頻射頻功率電阻器，其特征在于：所述B面電極膜層(2)采用絲網漏印工藝印在基體(1)的...
【專利技術屬性】
技術研發人員：劉洋，
申請(專利權)人：成都昊天宏達電子有限公司，
類型：新型
國別省市：
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