本發明專利技術屬于ETFE薄膜領域，公開了一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，包括以下步驟：1)按配比稱取物料投入到高混機中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧劑1～3份、抗靜電劑2～4份、抗拉伸劑1～2份、耐磨劑6～12份、阻燃劑1～2份、相容劑2～3份及結晶抑制劑20～30份。本發明專利技術通過采用添加耐磨劑的方式直接生產出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容劑和結晶抑制劑使各原料之間相互協同，使ETFE薄膜具備耐磨性能的同時，兼具抗靜電、阻燃、抗拉伸等優良性能，另外本發明專利技術的耐磨劑采用多種原料復配，有效提高薄膜的耐磨性能，本發明專利技術的ETFE薄膜在半導體封裝及其他工業封裝領域市場前景廣闊。領域市場前景廣闊。
【技術實現步驟摘要】
一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法
[0001]本專利技術涉及ETFE薄膜
，具體為一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法。
技術介紹
[0002]ETFE的中文名為乙烯
?
四氟乙烯共聚物，是一種透明膜材，不僅具有優良的抗沖擊性能、電性能、熱穩定性和耐化學腐蝕性，而且機械強度高、環保可回收，加工性能好，應用領域廣，能適用于半導體封裝領域。
[0003]在現有技術中的ETFE薄膜，雖然個方面的性能優異，但是在半導體或其他封裝領域，對薄膜的耐磨性要求較高，要求產品在刮蹭、摩擦后，不影響外觀質量，而現有的ETFE薄膜的耐磨性能還比較薄弱。
技術實現思路
[0004]本專利技術的目的是為了解決現有技術中存在的缺點，而提出的一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法。
[0005]為實現上述目的，本專利技術提供如下技術方案：
[0006]一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，包括以下步驟：
[0007]1)按配比稱取物料投入到高混機中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧劑1～3份、抗靜電劑2～4份、抗拉伸劑1～2份、耐磨劑6～12份、阻燃劑1～2份、相容劑2～3份及結晶抑制劑20～30份；
[0008]2)將上述混合后的物料投入雙螺桿擠出機，進行擠出造粒，雙螺桿擠出機擠出加工溫度為200～300℃；
[0009]3)將造粒好的物料置于流延擠出機中熔融擠出成膜，熔體溫度為330
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350℃，一次冷卻輥直徑800～1000mm，一次冷卻輥溫度為60～90℃，最終制得20～50μm的薄膜。
[0010]作為上述方案的進一步描述；
[0011]所述ETFE原料為粉末形狀，堆積密度為1
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3g/ml，熔融指數為30
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40g/10min，熔點為210
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250℃。
[0012]作為上述方案的進一步描述；
[0013]所述抗氧劑為半受阻酚抗氧劑、亞磷酸酯抗氧劑、硫醚類抗氧劑中的一種或多種。
[0014]作為上述方案的進一步描述；
[0015]所述耐磨劑由以下重量份的原料組成：二硫化鉬0.6～0.8％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0～2.0％、三羥乙基甲基季銨硫酸甲酯鹽3.0～4.0％，余量為聚對苯二甲酸丁二酯。
[0016]作為上述方案的進一步描述；
[0017]所述結晶抑制劑選擇聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。
[0018]作為上述方案的進一步描述；
[0019]所述抗靜電劑為乙炔炭黑。
[0020]與現有技術相比，本專利技術提供了一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，具備以下有益效果：
[0021]本專利技術通過采用添加耐磨劑的方式直接生產出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容劑和結晶抑制劑使各原料之間相互協同，使ETFE薄膜具備耐磨性能的同時，兼具抗靜電、阻燃、抗拉伸等優良性能，另外本專利技術的耐磨劑采用多種原料復配，有效提高薄膜的耐磨性能，本專利技術的ETFE薄膜在半導體封裝及其他工業封裝領域市場前景廣闊。
具體實施方式
[0022]下面將結合本專利技術的實施例，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0023]實施例一：
[0024]一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，包括以下步驟：
[0025]1)按配比稱取物料投入到高混機中，充分混合，物料包含：ETFE原料50份、半受阻酚抗氧劑1份、乙炔炭黑2份、抗拉伸劑1份、耐磨劑6份、阻燃劑1份、相容劑2份及聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯20份；
[0026]2)將上述混合后的物料投入雙螺桿擠出機，進行擠出造粒，雙螺桿擠出機擠出加工溫度為200℃；
[0027]3)將造粒好的物料置于流延擠出機中熔融擠出成膜，熔體溫度為330℃，一次冷卻輥直徑800mm，一次冷卻輥溫度為60℃，最終制得50μm的薄膜。
[0028]進一步的，ETFE原料為粉末形狀，堆積密度為1
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3g/ml，熔融指數為30
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40g/10min，熔點為210
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250℃。
[0029]進一步的，耐磨劑由以下重量份的原料組成：二硫化鉬0.6％、三氟丙基甲基聚硅氧烷1.0％、三羥乙基甲基季銨硫酸甲酯鹽3.0％，余量聚對苯二甲酸丁二酯。
[0030]實施例二：
[0031]一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，包括以下步驟：
[0032]1)按配比稱取物料投入到高混機中，充分混合，物料包含：ETFE原料90份、抗氧劑3份、抗靜電劑4份、抗拉伸劑2份、耐磨劑12份、阻燃劑2份、相容劑23份及結晶抑制劑30份；
[0033]2)將上述混合后的物料投入雙螺桿擠出機，進行擠出造粒，雙螺桿擠出機擠出加工溫度為300℃；
[0034]3)將造粒好的物料置于流延擠出機中熔融擠出成膜，熔體溫度為350℃，一次冷卻輥直徑1000mm，一次冷卻輥溫度為90℃，最終制得20μm的薄膜。
[0035]進一步的，ETFE原料為粉末形狀，堆積密度為1
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3g/ml，熔融指數為30
?
40g/10min，熔點為210
?
250℃。
[0036]進一步的，抗氧劑為半受阻酚抗氧劑、亞磷酸酯抗氧劑、硫醚類抗氧劑中的一種或多種。
[0037]進一步的，耐磨劑由以下重量份的原料組成：二硫化鉬0.8％、三氟丙基甲基聚硅
氧烷2.0％、三羥乙基甲基季銨硫酸甲酯鹽4.0％，余量聚對苯二甲酸丁二酯。
[0038]進一步的，結晶抑制劑選擇聚甲基丙烯酸全氟烷基甲酯和/或聚乙基丙烯酸全氟烷基甲酯。
[0039]進一步的，抗靜電劑為乙炔炭黑。
[0040]本方案通過采用添加耐磨劑的方式直接生產出高耐磨性的ETFE薄膜，并配合相容劑和結晶抑制劑使各原料之間相互協同，使ETFE薄膜具備耐磨性能的同時，兼具抗靜電、阻燃、抗拉伸等優良性能，另外本方案的耐磨劑采用多種原料復配，有效提高薄膜的耐磨性能，本方案的ETFE薄膜在半導體封裝及其他工業封裝領域市場前景廣闊。
[0041]以上所述，僅為本專利技術較佳的具體實施方式；但本專利技術的保護范圍并不局限于此。任何熟悉本
的技術人員在本專利技術揭露的技術范圍內，根據本專利技術的技術方案及其改進構思加以等同替換或改變，都應涵蓋在本專利技術的保護范圍內。
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【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：1)按配比稱取物料投入到高混機中，充分混合，所述物料包含：ETFE原料50～90份、抗氧劑1～3份、抗靜電劑2～4份、抗拉伸劑1～2份、耐磨劑6～12份、阻燃劑1～2份、相容劑2～3份及結晶抑制劑20～30份；2)將上述混合后的物料投入雙螺桿擠出機，進行擠出造粒，雙螺桿擠出機擠出加工溫度為200～300℃；3)將造粒好的物料置于流延擠出機中熔融擠出成膜，熔體溫度為330
?
350℃，一次冷卻輥直徑800～1000mm，一次冷卻輥溫度為60～90℃，最終制得20～50μm的薄膜。2.根據權利要求1所述的一種半導體封裝用ETFE薄膜面材的制備方法，其特征在于：所述ETFE原料為粉末形狀，堆積密度為1
?
3g/ml，熔融指數為30
【專利技術屬性】
技術研發人員：?七四專利代理機構，
申請(專利權)人：安徽一星新材料科技有限公司，
類型：發明
國別省市：
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