【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及到的是一種在長徑比大于40的硅單晶基體微孔深通道內制作連續打拿極的方法，最終制得微通道板，屬于光電成像
技術介紹
微通道板是一種具有二次電子發射從而產生電流增益作用的電子倍增器件，與光電陰極、熒光屏一同組成光電成像裝置。見圖1、圖2所示，微通道板1上規則排列微通道2，形成微通道陣列?，F有的微通道板其基質通常是含鉛、鉍等重金屬氧化物的硅酸鹽玻璃，經過燒氫處理，見圖3所示，在微通道板骨架3表面，包括上端面4、下端面和微通道2的通道壁上還原出一些重金屬原子，從而形成導電率在半導體范圍內，并具有二次電子倍增能力的二次電子發射層5，也就完成了連續打拿極的制作。另外，在現有技術中出現了一種硅單晶微通道陣列骨架6，見圖4所示，其微通道7的直徑能夠小于5μm，在高溫下骨架仍能保持形狀不變。
技術實現思路
已知技術在玻璃骨架的制作過程中，不可避免地會混入雜質，致使所制作的微通道板噪聲較大。另外由于其制作工藝所限，微通道的直徑一般大于8μm，導致所增強的二維電子圖象分辨率較低。雖然現有技術中的硅單晶微通道陣列骨架其微通道直徑能夠小于5μm，但是，尚未出現如何在其微通道內制作連續打拿極的技術方案，另外，由于該骨架與現有的玻璃骨架相比耐高溫。于是，確定本專利技術的目的為采用已知的硅單晶微通道陣列骨架，并完成在微通道內制作連續打拿極的過程，于是，我們專利技術了一種。本專利技術是這樣實現的，見圖5、圖6所示，采用硅單晶微通道陣列骨架6作為微通道板基體，然后，第一步，在硅單晶微通道陣列骨架6表面制作SiO2絕緣層8；第二步，在所述絕緣層8上制作硅結晶導電層9；第...
【技術保護點】
一種硅微通道內連續打拿極的制作方法，其特征在于，采用硅單晶微通道陣列骨架（６）作為微通道板基體，然后，第一步，在硅單晶微通道陣列骨架（６）表面制作ＳｉＯ↓［２］絕緣層（８）；第二步，在所述絕緣層（８）上制作硅結晶導電層（９）；第三步，將所述導電層（９）表層一部分硅熱敏化，制作二次電子發射層（１０）。
【技術特征摘要】
1.一種硅微通道內連續打拿極的制作方法，其特征在于，采用硅單晶微通道陣列骨架(6)作為微通道板基體，然后，第一步，在硅單晶微通道陣列骨架(6)表面制作SiO2絕緣層(8)；第二步，在所述絕緣層(8)上制作硅結晶導電層(9)；第三步，將所述導電層(9)表層一部分硅熱敏化，制作二次電子發射層(10)。2.根據權利要求1所述的制作方法，其特征在于，制作絕緣層(8)的具體方法為，首先采用熱氧化法，也就是將硅單晶微通道陣列骨架(6)置于氧氣中，溫度850～1100℃，壓力1.1～1.3atm，時間30～60min，生成SiO2絕緣層(8)；然后采用低壓化學氣相沉積法，也就是將已生成一層絕緣層的硅單晶微通道陣列骨架(6)再置于正硅酸乙脂蒸汽中，該正硅酸乙脂蒸汽汽源溫度控制在20～30℃范圍內，在溫度700～750℃、壓力150～250mTorr的氣相沉積條件下，在硅單晶微通道陣列骨架(6)表面沉積SiO2，又形成一層SiO2絕緣層。3.根據權利要求2所述的制作方法，其特征在于，所制作的SiO2絕緣層(8)的總厚度為22...
【專利技術屬性】
技術研發人員：端木慶鐸，李野，王國政，姜德龍，付申成，吳奎，王新，
申請(專利權)人：長春理工大學，
類型：發明
國別省市：82[中國|長春]
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