本實用新型專利技術公開了一種單晶爐加料裝置，包括爐筒、爐蓋和加料管；爐筒和爐蓋共同形成容納空間；爐蓋或爐筒上設有加料口；加料管包括：固定板、上進料管、下進料管和擋環；固定板安裝在加料口處；上進料管與固定板相連，其上端部設有漏斗型喇叭口；下進料管包括相連的第一段和第二段；第一段的內徑大于上進料管的外徑，且包裹在上進料管的外部，與上進料管共同形成套管結構；第二段的管徑與上進料管的管徑相同；擋環覆蓋在第一段的端部，其內孔直徑大于上進料管的外徑，其外徑大于下進料管的外徑。本實用新型專利技術對單晶晶體生長影響小，且能夠實現顆粒硅和循環破碎硅同時使用，大大降低生產成本。本。本。
【技術實現步驟摘要】
一種單晶爐加料裝置
[0001]本技術屬于硅材料制備
，具體涉及一種單晶爐加料裝置。
技術介紹
[0002]單晶爐是晶硅太陽能生產的重要設備之一，在單晶產品生產過程中，用一個石英坩堝采用多次加料拉制多根單晶棒產品的工藝已經開始大規模應用。現有技術中的多次加料工藝大體分為二種：一種是采用圓形石英玻璃加料筒從單晶爐副室內吊入多晶硅料，添加入到石英坩堝的方式；另一種是采用外置加料設備通過在單晶爐內設計一根加料管為單晶爐加顆粒硅或破碎硅料的方式。
[0003]如圖1所示，現有單晶爐生產設備的加料管主要由爐蓋1、主爐筒2、外導流筒3、內導流筒4、(外導流筒3、內導流筒4裝配成一體，成為“導流筒裝配體”)加熱器5、保溫層6、保溫筒7、導流筒提升裝置9、導流筒支撐環8、進料管20，加料口21，插板閥22等構成，由于進料管20是一體設計，導流筒裝配體無法提升，導致無法兼容圓形石英筒加料器的使用，無法實現顆粒硅和循環破碎硅同時使用問題，對降低成本不利。
技術實現思路
[0004]針對上述問題，本技術提出一種單晶爐加料裝置，對單晶晶體生長影響小，且能夠實現顆粒硅和循環破碎硅同時使用，大大降低生產成本。
[0005]為了實現上述技術目的，達到上述技術效果，本技術通過以下技術方案實現：
[0006]一種單晶爐加料裝置，包括爐筒、爐蓋和加料管；所述爐筒和爐蓋共同形成容納空間；所述爐蓋或爐筒上設有加料口；所述加料管包括：
[0007]固定板，安裝在加料口處；
[0008]上進料管，與所述固定板相連，其上端部設有漏斗型喇叭口；
[0009]下進料管，包括相連的第一段和第二段；所述第一段的內徑大于所述上進料管的外徑，且包裹在所述上進料管的外部，與所述上進料管共同形成套管結構；所述第二段的管徑與所述上進料管的管徑相同；
[0010]擋環，覆蓋在所述第一段上遠離第二段的端部，其內孔直徑大于所述上進料管的外徑，其外徑大于下進料管的外徑。
[0011]可選地，所述下進料管的第一段呈直線型；所述下進料管的第二段呈折線性。
[0012]可選地，所述第一段的內徑比上進料管的外徑大10
?
20mm。
[0013]可選地，所述第一段的長度為100
?
200mm。
[0014]可選地，所述擋環的內孔直徑比上進料管的外徑大1
?
2mm，其外徑比下進料管大20
?
30mm。
[0015]可選地，所述加料口處設有插板閥。
[0016]可選地，所述上進料管位于所述容納空間內，其上部的漏斗型喇叭口位于所述加料口處；所述固定板上設有貫通孔，所述上進料管上除漏斗型喇叭口以外的部分均穿過所
等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術專利和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術專利的限制。
[0040]在本技術專利的描述中，需要說明的是，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通。對于本領域的普通技術人員而言，可以通過具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0041]下面結合附圖對本技術的應用原理作詳細的描述。
[0042]如圖2
?
3所示，本技術提供了一種單晶爐加料裝置，包括爐筒2、爐蓋1、加料管，以及設于爐筒2內的坩堝10、外導流筒3、內導流筒4、導流筒提升裝置9、加熱器5和保溫筒7；
[0043]所述爐筒2和爐蓋1共同形成容納空間；
[0044]所述爐蓋1或爐筒2上設有加料口21，所述加料口21處設有插板閥22；
[0045]所述加料管包括固定板33、上進料管30、下進料管32和擋環31；
[0046]所述固定板33安裝在加料口21處；在實際應用過程中，所述固定板33可采用但不限于不銹鋼、石英玻璃、石墨等材料制成；
[0047]所述上進料管30與所述固定板33相連，其上端部設有漏斗型喇叭口；在實際應用過程中，所述上進料管30可采用但不限于石英玻璃、石墨、氮化硅、氧化鋁、碳碳復合材料等材料制成；所述上進料管30上部的漏斗型喇叭口位于所述加料口21處；所述固定板33上設有貫通孔，所述上進料管30上除漏斗型喇叭口以外的部分均穿過所述貫通孔；
[0048]所述下進料管32包括相連的第一段321和第二段322；所述第一段321的內徑大于所述上進料管30的外徑，且包裹在所述上進料管30的外部，與所述上進料管30共同形成套管結構；所述第二段322的管徑與所述上進料管30的管徑相同，以保證硅料下落進料時流動順暢；在實際使用過程中，所述第一段321的內徑比上進料管30的外徑大10
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20mm；所述第一段321的長度為100
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200mm；所述下進料管32的第一段呈直線型；所述下進料管32的第二段322呈折線性；
[0049]所述擋環31覆蓋在所述第一段321上遠離第二段322的端部，其內孔直徑大于所述上進料管30的外徑，其外徑大于下進料管32的外徑。在實際使用過程中，所述擋環31的內孔直徑比上進料管30的外徑大1
?
2mm，其外徑比下進料管32大20
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30mm；擋環31可隨下進料管32上、下移動，起到熱氣流密封作用；擋環31可采用但不限于石英玻璃、石墨、氮化硅、氧化鋁、碳碳復合材料等材料；
[0050]所述外導流筒3和內導流筒4同軸設置，二者之間填充有保溫層，形成導流筒裝配體，能夠實現形成溫度梯度，有利于長晶，降低功耗；所述下進料管32安裝在外導流筒3上端；所述導流筒裝配體位于所述坩堝10上方，且與所述下進料管32相連；在實際使用過程中，所述外導流筒3和內導流筒4常是通過機械方式裝配成一體；所述導流筒裝配體上設有導流筒支撐環8，所述導流筒支撐環8還搭設在所述保溫筒7上，用于將導流筒裝配體懸掛在坩堝10上方；
[0051]所述導流筒提升裝置9與所述導流筒裝配體相連，帶動所述導流筒裝配體運動，運
動過程中，所述上進料管30與下進料管32始終保持套管結構，即在所述導流筒裝配體放在最低位置時下進料管32的上端高度超出上進料管30下端一定距離，使下進料管32始終能夠套住上進料管30；所述導流筒提升裝置9帶動所述導流筒裝配體在垂直方向提升、下降一定行程，由于導流筒裝配體在提升過程中會有一定晃動和偏差，所以本技術中提出下進料管32的第一段的內徑比上進料管30的外徑大10
?
20mm，形成套管結構，并可防止在提升、下降過程(下進料管32偏右或偏左)損壞上、下進料管32，參見圖4(a)
?...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種單晶爐加料裝置，其特征在于，包括爐筒、爐蓋和加料管；所述爐筒和爐蓋共同形成容納空間；所述爐蓋或爐筒上設有加料口；所述加料管包括：固定板，安裝在加料口處；上進料管，與所述固定板相連，其上端部設有漏斗型喇叭口；下進料管，包括相連的第一段和第二段；所述第一段的內徑大于所述上進料管的外徑，且包裹在所述上進料管的外部，與所述上進料管共同形成套管結構；所述第二段的管徑與所述上進料管的管徑相同；擋環，覆蓋在所述第一段上遠離第二段的端部，其內孔直徑大于所述上進料管的外徑，其外徑大于下進料管的外徑。2.根據權利要求1所述的一種單晶爐加料裝置，其特征在于：所述下進料管的第一段呈直線型；所述下進料管的第二段呈折線性。3.根據權利要求1所述的一種單晶爐加料裝置，其特征在于：所述第一段的內徑比上進料管的外徑大10
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20mm；所述第一段的長度為100
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200mm。4.根據權利要求1所述的一種單晶爐加料裝置，其特征在于：所述擋環的內孔直徑比上進料管的外徑大1
?
2mm，其外徑比下進料管大20
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30mm。5.根據權利要求1所述的一種單晶爐加料裝置，其特征在于，所述加料口處設有...
【專利技術屬性】
技術研發人員：陳湘偉，汪高峰，周潔，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：新型
國別省市：
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