適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)制造技術(shù)

一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，其包括至少一個電子元件、第一封裝體以及第二封裝體。電子元件具有多個接腳，第二封裝體與第一封裝體接合以共同包覆該電子元件。且第一封裝體與第二封裝體間形成有接合區(qū)域，其中第一封裝體具有延伸部突出于接合區(qū)域，接腳自該接合區(qū)域向外延伸，并與第一封裝體的延伸部接觸。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術(shù)涉及一種封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu),，
技術(shù)介紹
目前環(huán)保意識抬頭，許多電子產(chǎn)品的生產(chǎn)都已導(dǎo)向無鉛的材料與工藝。在無鉛制造工藝中，例如焊接表面安裝元件(Surface Mounted Device, SMD) 固接于電路板，由于焊料的熔化溫度升高，因此電子元件與電路板的耐熱性 也必須相對提高。請參閱圖IA與圖IB, —種電子元件的封裝結(jié)構(gòu)1包括上 封裝體11、下封裝體12以及電子元件(圖未顯示)，上封裝體11與下封裝 體12具有相同的接合面積，將電子元件共同包覆于上封裝體11與下封裝體 12內(nèi)，而電子元件的多個接腳13則延伸突出于封裝體11、 12之外，以形成 表面安裝元件(SMD)。然而，由于無鉛工藝的耐熱溫度高達260。C,若是封裝體ll、 12的耐熱 性不佳，則會有封裝結(jié)構(gòu)裂開甚至電子元件損壞的情形產(chǎn)生，影響該電子產(chǎn) 品的可靠度與使用壽命。因此，如何提供一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，不需改變原有電子元 件在電路板的布局，使封裝結(jié)構(gòu)的耐熱性提高，已成為重要課題之一。
技術(shù)實現(xiàn)思路
針對上述課題，本專利技術(shù)的目的為提供一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，高封裝結(jié)構(gòu)的可靠度與使用壽命，進而提高產(chǎn)品成品率及降低生產(chǎn)成本。 針對上述課題，本專利技術(shù)的另一目的為提供一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，以縮小電子產(chǎn)品的體積，節(jié)省電路板的空間。為達上述目的，依據(jù)本專利技術(shù)的一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)包括至少一個電子元件、第一封裝體以及第二封裝體。該電子元件具有多個接腳；該\第二封裝體與該第一封裝體接合以共同包覆該電子元件，且第一封裝體與第 二封裝體間形成有接合區(qū)域，其中第 一封裝體具有延伸部突出于接合區(qū)域， 接腳自該接合區(qū)域向外延伸，并與第一封裝體的延伸部接觸。承上所述，依據(jù)本專利技術(shù)的一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)將其中的封裝 體自接合區(qū)域突出延伸部，使電子元件的多個接腳可向外延伸出接合區(qū)域并 與該延伸部接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)在不改變電子元件于原有電路板 的布局，僅需通過該等封裝體的尺寸差異，緩沖無鉛工藝的熱膨脹效應(yīng)，即 能夠避免封裝體裂開，使封裝結(jié)構(gòu)在無鉛工藝中具有更高的耐熱性，提高可 靠度與使用壽命，進而提高產(chǎn)品成品率及降低生產(chǎn)成本。附圖說明圖1A為一種現(xiàn)有的封裝結(jié)構(gòu)的立體圖； 圖1B為圖1A的正視圖2A為依據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實施例的一種封裝結(jié)構(gòu)的立體圖； 圖2B為圖2A的正^L圖；以及圖3為依據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實施例的封裝結(jié)構(gòu)的另一示意圖。簡單符號說明1、 2封裝結(jié)構(gòu) 11 上封裝體12 下封裝體 13、 23 接腳21 第一封裝體 2ia 延伸部2122接合區(qū)域 22 第二封裝體 24 連接件具體實施例方式以下將參照相關(guān)附圖，說明依據(jù)本專利技術(shù)優(yōu)選實施例的一種適用于無鉛工 藝的封裝結(jié)構(gòu)，其中相同的元件將以相同的參照符號加以說明。請參閱圖2A與圖2B,本專利技術(shù)優(yōu)選實施例的一種適用于無鉛工藝的封裝 結(jié)構(gòu)2包括至少一個電子元件(圖未顯示)、第一封裝體21以及第二封裝體 22，電子元件具有多個接腳23。在本實施例中，封裝結(jié)構(gòu)為表面安裝元件 (SMD),其中第一封裝體21及第二封裝體22都可為多面體，其構(gòu)成材料相同，都可為樹脂材料，例如但不限于是環(huán)氧樹脂(epoxy)。第一封裝體21 及第二封裝體22可通過壓模成型或注射成型等方式，分別成型或同時成型， 再接合后以共同包覆該電子元件，第一封裝體21及第二封裝體22的接合處 具有4妾合區(qū)i或2122， JU妾腳23自接合區(qū)i或2122向外延伸。第一封裝體21具有延伸部21a突出于接合區(qū)域2122，亦即封裝體21 、 22的尺寸具有差異，通過封裝體21、 22的尺寸差異，緩沖無鉛工藝的熱膨 脹效應(yīng)，即能夠避免封裝結(jié)構(gòu)2裂開，使封裝結(jié)構(gòu)2在無鉛工藝中具有更高 的耐熱性。在本實施例中，第一封裝體21的尺寸大于第二封裝體22的尺寸， 電子元件的接腳23與延伸部21a接觸而完成表面安裝元件(SMD )。請參閱圖3，封裝結(jié)構(gòu)2還包括連接件24,其以粘結(jié)或熔接方式鄰接第 二封裝體22，并包覆電子元件的接腳23與延伸部21a接觸的部分，以增加 封裝結(jié)構(gòu)2的散熱面積及提高耐熱能力。連接件24的材料可與第二封裝體 22的材料相同，且連接件24與第二封裝體22 —體成型制成。綜上所述，依據(jù)本專利技術(shù)的一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)將其中的封裝 體自接合區(qū)域突出延伸部，使電子元件的多個接腳可向外延伸出接合區(qū)域并 與延伸部接觸。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本專利技術(shù)在不改變電子元件于原有電路板的 布局，僅需通過該等封裝體的尺寸差異，緩沖無鉛工藝的熱膨脹效應(yīng)，即能 夠避免封裝體裂開，使封裝結(jié)構(gòu)在無鉛工藝中具有更高的耐熱性，提高可靠 度與使用壽命，進而提高產(chǎn)品成品率及降低生產(chǎn)成本。以上所述僅為舉例性，而非限制性的。任何未脫離本專利技術(shù)的精神與范圍， 而對其進行的等同修改或變更，均應(yīng)包含于所附權(quán)利要求之中。本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術(shù)保護點】
一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，包括：至少一個電子元件，具有多個接腳；第一封裝體；以及第二封裝體，與該第一封裝體接合以共同包覆該電子元件，且該第一封裝體與該第二封裝體之間形成有接合區(qū)域；其中該第一封裝體具有延伸部突出于該接合區(qū)域，該多個接腳自該接合區(qū)域向外延伸，并與該第一封裝體的該延伸部接觸。

【技術(shù)特征摘要】
1. 一種適用于無鉛工藝的封裝結(jié)構(gòu)，包括至少一個電子元件，具有多個接腳；第一封裝體；以及第二封裝體，與該第一封裝體接合以共同包覆該電子元件，且該第一封裝體與該第二封裝體之間形成有接合區(qū)域；其中該第一封裝體具有延伸部突出于該接合區(qū)域，該多個接腳自該接合區(qū)域向外延伸，并與該第一封裝體的該延伸部接觸。2、 如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中該第一封裝體的尺寸大于該第 二封裝體的尺寸。3、 如權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，還包括連接件，鄰接于該第二封裝體，并包覆該多個接腳與該延伸部接觸的部分.4、 如權(quán)利要求3所迷的封裝結(jié)構(gòu)，其中該連...

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：王軍，李新華，
申請(專利權(quán))人：臺達電子工業(yè)股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：71[中國|臺灣]