【技術實現步驟摘要】
本專利技術涉及監測半導體制造裝置性能的方法，具體地說，涉及監測晶圓托 盤平整性的方法。
技術介紹
晶圓托盤(E-table)是掃描機臺(scanner)對晶圓進行曝光加工時用來 放置晶圓的平臺，這個晶圓托盤表面有無數個柱狀凸起，晶圓放置在這些柱狀 凸起上面，并對柱狀凸起之間抽真空，使晶圓被牢固地吸附在晶圓托盤上后進 入曝光制程。如果晶圓托盤表面無數個柱狀凸起不處于同一平面，會在曝光制 程中影響晶圓上圖形成形的質量。目前還沒有晶圓托盤平整性監測的方法。ASML現有的技術是通過反射光照 射到晶圓托盤表面，反射光中收集的語線反映到機器上呈現包含不同顏色的晶 圓托盤的模擬圖，通過顏色是否接近來判斷晶圓托盤是否平整。然而，該技術 實施過程復雜，需要采用專用設備及軟件來完成，生產成本較高，而且由于需 要將晶圓取下來分析晶圓托盤，所以不能及時監控晶圓托盤的平整性。
技術實現思路
本專利技術的目的在于提供一種，利用該方法可以 簡單且及時地監控晶圓托盤表面是否平整。為實現上述目的，本專利技術提供一種，該晶圓托 盤上吸附測試晶圓，其中，該方法通過監測吸附在晶圓托盤上的測試晶圓是否 變形來監測晶圓托盤是否平整。所述方法還包括一個參照晶圓，該參照晶圓表面左右兩邊各設置至少兩個標記A和B。所述測試晶圓在還沒有吸附在晶圓托盤之前，先在與參照晶圓相同的位置標、注至少兩個標記A和B。如果測試晶圓上的標記A和B與參照晶圓上的標記A和B不能對齊，則說 明吸附該測試晶圓的晶圓托盤表面不平整。如果測試晶圓上標記A和B對應位于參照晶圓上標記A和B的外緣，則說 明吸附該測試晶圓的晶圓托盤中間凸起。如果...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1. 一種監測晶圓托盤平整性的方法，該晶圓托盤上吸附測試晶圓，其特征在于該方法通過監測吸附在晶圓托盤上的測試晶圓是否變形來監測晶圓托盤是否平整。2、 如權利要求1所述的監測晶圓托盤平整性的方法，其特征在于所述方法還 包括一個參照晶圓，該參照晶圓表面左右兩邊各設置至少兩個標記A和B。3、 如權利要求2所述的監測晶圓托盤平整性的方法，其特征在于所述測試晶 圓在還沒有吸附在晶圓托盤之前，先在與參照晶圓相同的位置標注至少兩個標 記A和B。4、 如權利要求1所述的監測晶...
【專利技術屬性】
技術研發人員：楊金坡，袁烽，梁國亮，馮德魁，
申請(專利權)人：中芯國際集成電路制造上海有限公司，
類型：發明
國別省市：
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