一種制作準雙柵MOSFET晶體管的方法技術(shù)

本發(fā)明專利技術(shù)公開了一種制作準雙柵ＭＯＳＦＥＴ晶體管的方法。本發(fā)明專利技術(shù)制作準雙柵ＭＯＳＦＥＴ晶體管方法特出的優(yōu)點是：源漏區(qū)內(nèi)部犧牲區(qū)域的重摻雜是由以柵電極為掩模的離子注入而實現(xiàn)的，而源漏區(qū)與準體區(qū)的隔離層是通過腐蝕此犧牲區(qū)域的重摻層并填充以介質(zhì)而形成的，因此所制成的ＭＯＳＦＥＴ晶體管器件的源漏區(qū)與柵電極（包括準柵電極）自然具有自對準的特征；而且，對重摻雜區(qū)的腐蝕采用了高選擇性的腐蝕液，故腐蝕過程能自動停止于輕摻雜區(qū)。這一自對準和自停止工藝使得晶體管制備過程的重復(fù)性和均勻性能滿足大生產(chǎn)的需要，因而具有廣闊的工業(yè)應(yīng)用前景。

【技術(shù)實現(xiàn)步驟摘要】

【技術(shù)保護點】
一種準雙柵ＳＯＩＭＯＳ晶體管的制作方法，包括如下步驟：１）選用ＳＯＩ硅片為襯底材料，光刻和刻蝕ＳＯＩ硅片的半導(dǎo)體薄膜，形成有源區(qū)，然后在該有源區(qū)上生長柵介質(zhì)層；２）淀積柵電極層和犧牲介質(zhì)層，光刻和刻蝕形成柵電極圖形； ３）以柵電極圖形為掩膜，對ＳＯＩ硅片的半導(dǎo)體薄膜的部分區(qū)域進行濃度呈反向梯度分布的離子注入摻雜，形成重摻雜區(qū)，作為所述準雙柵ＳＯＩＭＯＳ晶體管的源區(qū)和漏區(qū)的犧牲層；４）在柵電極圖形上再次淀積犧牲介質(zhì)層，回刻后在柵電極圖形上形 成保護層；以所述保護層為掩膜腐蝕掉所述柵電極圖形兩側(cè)顯露的柵介質(zhì)層，使所述柵電極圖形兩側(cè)的ＳＯＩ硅片的半導(dǎo)體薄膜表面露出；５）腐蝕所述ＳＯＩ硅片的半導(dǎo)體薄膜表面部分，腐蝕到所述重摻雜區(qū)時停止；６）選擇腐蝕所述ＳＯＩ硅片的半導(dǎo) 體薄膜內(nèi)的重摻雜區(qū)，當?shù)竭_輕摻雜區(qū)時腐蝕自然停止，形成空洞；７）淀積絕緣介質(zhì)，填充腐蝕形成的空洞，回刻去除表面的絕緣介質(zhì)；８）腐蝕掉柵電極圖形的保護層后再在柵電極圖形生長一薄介質(zhì)層；９）離子注入摻雜源區(qū)、漏區(qū)和柵電極 ，并用傾斜離子注入方法摻雜溝道區(qū)；然后，回刻上述薄介質(zhì)層以形成柵電極側(cè)墻；１０）光刻和刻蝕去掉覆蓋體接觸區(qū)的柵電極部分，并進行離子注入摻雜使其下的輕摻雜區(qū)轉(zhuǎn)變成重摻雜區(qū)；１１）進入常規(guī)ＣＭＯＳ后道工序，包括硅淀積鈍化層、開接 觸孔以及金屬化，其中，一附加的金屬電極通過接觸孔與體接觸區(qū)相連，成為準柵電極；這樣，制得所述準雙柵ＳＯＩＭＯＳ晶體管。...

【技術(shù)特征摘要】

【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：張盛東，李定宇，陳文新，韓汝琦，
申請(專利權(quán))人：北京大學(xué)，
類型：發(fā)明
國別省市：11[中國|北京]