制造OLED或用于形成OLED的坯件的方法以及這種坯件或OLED技術

一種用于制造有機發光器件或者用來形成有機發光器件的坯件的方法以及這種ＯＬＥＤ或坯件，該有機發光器件具有發光區域，所述發光區域兩個相對第一側部和兩個相對第二側部，所述方法至少包括以下步驟：提供襯底；在襯底上沉積并部分去除透明導電材料層，以便形成在第一側部之間延伸的平行陽極線；沉積并部分地去除至少一個導電層，以便形成連接陽極線的觸點；其中，沉積有光刻膠層，從而除了每個陰極線的至少一個接觸位置之外，所述光刻膠層在與至少一個第二側部相鄰的觸點上方完全延伸，通過所述至少一個接觸位置建立了待形成的相應陰極線和相應觸點之間的電接觸。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】制造OLED或用于形成OLED的坯件的方法以及這種坯件或OLED技術領^/
技術介紹
本專利技術涉及一種制造坯件(blank)的方法，該坯件用來形成有 機發光器件，該有機發光器件具有發光區域，該方法至少包括下列 步驟提供襯底；形成沿第一方向延伸的平4于陽極線；形成觸點，所述觸點連4妄陽才及線，并且其^皮i殳置成用來接觸陰 極線；形成陰極隔離體，陰極隔離體沿與第一方向交叉的第二方向延伸。這種方法是已知的并且以此提供的坯件可以設置有發光材料， 在該發光材料之后，發光區域或者由包含吸氣劑(getter)的蓋覆蓋， 或者由封裝層系統覆蓋。特別是在使用封裝層系統將發光區域與環境隔離開時，已經確 定有泄漏發生，這是由于封裝層系統質量不足的緣故。對質量不足 的原因的進一步調查顯示，觸點的邊^彖是不身見則的，并且在光刻月交 層的邊緣(其中形成有包括像素格(pixel compartment)的岸結構(bank structure ))處存在有孔，該孔不能被封裝層系統有效地覆蓋。 進一步調查還顯示，濕氣和氧氣/人第二側部的進入是最強的4旦是從 第 一側部的進入是幾乎不存在的。
技術實現思路
根據本專利技術，方法的前述特征部分的特征在于，沉積光刻月交層 (photoresist layer),從而除了每個陰極線的至少一個接觸位置之 外，其在設置成用來與陰極線接觸的全部觸點上完全延伸，通過所 述至少一個接觸位置建立相應陰極線和相應觸點的電接觸。本專利技術還提供了用來形成有機發光器件的坯件，該坯件包括襯底；平4亍陽才及線，沿第一方向延伸；平行陰極隔離體，沿與第一方向交叉的第二方向延伸；觸點，與陽極線電接觸，并且設置成用來接觸陰極線；其中，除了各陰極線的至少一個接觸位置之外，設置成用來接 觸陰極線的觸點完全由光刻膠層覆蓋，通過所述至少一個接觸位置 建立了相應陰極線和相應觸點之間的電接觸。在與至少一個第二側部相鄰的觸點上完全延伸的光刻膠層4吏 得觸點的邊緣光滑，并且阻止了如上面所描述的孔的形成。從而， 后來所沉積的封裝層系統可以很容易符合該光滑的光刻膠層，而不 會因上面所描述的不規則接觸邊緣或孔而被破壞。本專利技術還提供了 一種用于制造用來形成有機發光器件的坯件 的方法，所述有機發光器件具有發光區域，該方法至少包括下列步驟提供襯底；形成陽極線，所述陽極線沿第 一方向從一個第 一側部延伸到另 一個第一側部；形成陰極隔離體，其沿第二方向從一個第二側部延伸至另 一個 第二側部，所述第二方向與第一方向交叉；形成觸點，所述觸點連接于陽極線，并設置成接觸陰極線；其中，至少沿第二側部i殳置i是結構(embankment structure )。本方法還提供了一種用來形成有機發光器件的坯件，該坯件包括襯底；陽極線，沿第一方向平行地從一個第一側部延伸至另 一個第一 側部；陰極隔離體，沿第二方向平刊4也/人一個第二側部延伸至另 一個 第二側部平;f于;也延伸，所述第二方向與第一方向交叉；觸點，與陽極線電接觸，并且設置成用來接觸陰極線；其中，i是結構至少沿所述第二側部i殳置。濕氣和氧氣的進入在陰極隔離體的長度方向上是最顯著的。這個發現使得了解到沿橫向于(transverse to )陰極隔離體的長度方 向的方向，陰極隔離體4是供了用于濕氣和氧氣的屏障。因此，4艮據 本專利技術，堤結構至少沿發光區域的第二側部設置，該堤結構沿橫向 于陰極隔離體的長度方向提供屏障，所述堤結構優選地類似于陰極 隔離體的結構，在這種意義上，它具有與陰^l隔離體相類似的截面。 應該注意的是，其它結構和材料也可以用于形成i是結構。才艮據本專利技術的進一步改進，i是結構還可以至少沿所述第一側部 設置。該附加的堤結構提供了用于防止濕氣和氧氣向發光區域進入 的額外^f呆護。才艮據本專利技術的進一 步改進，上述方法包4舌在已形成陰極線后沉 積封裝層系統。封裝層系統可以包括層疊的無機層和有機層。該系統(其自身 是已知的)提供了用于防止濕氣和氧氣的非常薄的且有效的屏蔽。優選地，封裝層系統在全部發光區域和光刻月交層上方延伸，該 光刻交層在與所述至少一個第二側部相鄰的全部觸點上方延伸，并 且優選地，封裝層系統在圍繞發光區域和與所述至少一個第二側部 相鄰的觸點的區域內與襯底直接接觸。上面所提到的i是結構可以包括至少兩個平行i是，所述至少兩個 平行堤圍繞發光區域和與第二側部相鄰的觸點，并且與沿至少 一個 第 一側部設置的、并且與設置成用來與控制芯片的觸點相接觸的觸 點交叉。與第二側部相鄰的內堤也可以設置在覆蓋這些觸點的光刻 月交層的頂部。為了獲得有效的封裝，當堤結構直接設置于襯底上時是有利的。當封裝層系統在整個堤結構上方延伸時，在封裝層系統和襯底 和/或堤結構之間獲得了非常好的機械接觸。從而，將封裝層系統剝 落的風險被降到最小。進一步地，增加了濕氣和氧氣的移動長度。 另外，濕氣和氧氣將優選地沿i是結構的長度方向流動，因此而不會 達達發光區域。特別是當兩個平行堤圍繞發光區域設置時，內堤可以由封裝層 系統覆蓋，而外堤可以用來形成封裝層系統的邊界。封裝層系統的 有機層可以以液體的形式沉積，并且外堤將會防止位于與所述至少 一個第一側部相鄰的外i是外部的觸點部分^皮有才幾材并牛覆蓋。這些觸 點部分應該保持清潔，以便在控制芯片的觸點與發光器件的觸點之 間提供良好的導電性。本專利技術還涉及包括根據本專利技術的坯件的有機發光器件，其中， 發光材料設置在陽極線上，并且陰極線設置在發光材料上，封裝層 系統在發光區域以及與所述至少一個第二側部相鄰的觸點上方延 伸。本專利技術還涉及包括具有所述堤結構的坯件的有機發光器件，其 中，發光材料設置在陽極線上，并且陰極線設置在發光材料上，封 裝層系統在發光區域、與所述至少一個第二側部相鄰的觸點、以及 堤結構的內堤上方延伸。根據本專利技術的進一步改進，發光器件設置有堤結構，該堤結構 在沿所述第 一側部設置的、待與控制芯片連接的觸點的上方延伸，不在^f立于所述i是結構外部的所述觸點的一部分上方延伸。附圖說明本專利技術將借助于實施例并參照附圖作進一步說明，附圖中圖1示出了現有技術OLED (有機發光器件)的示意性俯視圖2示出了圖1的細節II;圖3示出了圖1的細節III;圖4示出了圖3的細節IV;圖5示出了圖1的細節V;圖6示出了圖5的截面VI-VI;圖7示出了圖5的截面vn-vn;以及圖8示出了才艮據本專利技術的OLED實施例的示意性俯^L圖。 *本實施方式圖1-7中所示的已知OLED具有發光區域1，該發光區域1具 有第一側部2和第二側部3。該OLED包括由例如玻璃、透明塑料 等制成的襯底S (參見圖7和圖8 )。在發光區域1中，平4亍陽極線 設置于在第一側部2之間延伸的襯底上。陽極線優選地由諸如ITO 的透明導電氧化物制成。進一步地，碎于底i殳置有觸點5、 6,所述觸 點將待形成的陽極線和陰極線連接于連接部分7。在使用中，OLED 將連接至控制芯片，該控制芯片連接至連接部分7。鄰近于第一側 部2中的一個的觸點6將陽極線連接至連接體7。鄰近于兩個第二 側部3的觸點5將陰極線連接至連接體7。發光區域由光刻膠層4 覆蓋，該光刻膠層4中設置有像素格8。光刻膠層4在本領域中由 岸結構表示。在發光區域l中，陰極隔離體9(參照圖3、 5和 6)設本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種用于制造坯件的方法，所述坯件用來形成有機發光器件，所述有機發光器件具有發光區域，所述方法至少包括下列步驟：　　　　提供襯底；　　　　形成沿第一方向延伸的平行陽極線；　　　　形成觸點，所述觸點連接陽極線，并且所述觸點用來接觸陰極線；　　　　形成陰極隔離體，所述陰極隔離體沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，　　　　其中，沉積有光刻膠層，從而所述光刻膠層在用來與所述陰極線接觸的所述觸點上方完全延伸，每個陰極線的至少一個接觸位置除外，通過所述至少一個接觸位置建立相應陰極線與相應觸點之間的電接觸。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】1.一種用于制造坯件的方法，所述坯件用來形成有機發光器件，所述有機發光器件具有發光區域，所述方法至少包括下列步驟提供襯底；形成沿第一方向延伸的平行陽極線；形成觸點，所述觸點連接陽極線，并且所述觸點用來接觸陰極線；形成陰極隔離體，所述陰極隔離體沿與所述第一方向交叉的第二方向延伸，其中，沉積有光刻膠層，從而所述光刻膠層在用來與所述陰極線接觸的所述觸點上方完全延伸，每個陰極線的至少一個接觸位置除外，通過所述至少一個接觸位置建立相應陰極線與相應觸點之間的電接觸。2. —種用于制造坯件的方法，所述坯件用于形成有機發光器件， 所述有才幾發光器件具有發光區域，所述方法至少包括下列步 驟提供襯底；形成陽才及線，所述陽才及線沿第 一方向從一個第 一側部向 另 一個第一側部延4申；形成陰極隔離體，所述陰極隔離體沿第二方向從一個第 二側向另 一個第二側部延伸，所述第二方向與所述第 一方向相 交叉； 形成觸點，所述觸點連4妄至所述陽4及線，并且用來接觸陰極線；其中，至少沿所述第二側部設置堤結構。3. 才艮據權利要求1所述的方法，其中，在所述觸點上方延伸的所 述光刻膠層還設置有限定像素格的岸結構。4. 根據權利要求1-3中任一項所述的方法，其中，所述陰極隔離 體通過沉積和部分地去除光刻交層而形成。5. —種用于制造有機發光器件的方法，所述方法開始于根據前述 權利要求中任一項所述的方法，其中，所述陰極線在形成所述 陰才及隔離體后通過沉積導電材料層而形成。6. —種用于制造有機發光器件的方法，所述方法開始于根據前述 權利要求中任一項所述的方法，其中，發光材料在形成所述陰 才及線之前沉積在所述陽才及線上。7. —種用于制造有機發光器件的方法，所述方法開始于前述權利 要求中任一項所述的方法，其中，所述發光材料包括HIL層 和LEP層。8. 根據權利要求3和7所述的方法，其中所述發光材料通過噴墨 打印沉積在所述4象素格內。9. 一種用于制造發光器件的方法，所述方法開始于根據前述權利 要求中任一項所述的方法，其中，在已形成所述陰極線后，沉 積封裝層系統。10. 根據權利要求9所述的方法，其中，所述封裝層系統包括層疊 的無機層和有機層。11. 才艮據權利要求1和9的組合的方法，其中，所述封裝層系統在 所述發光區域和所述光刻膠層上方完全延伸，所述光刻月交層在 i殳置成用來4妄觸所述陰才及線的所述觸點上方延伸。12. 根據權利要求11所述的方法，其中，所述封裝層系統在圍繞 所述發光區域和與所述至少 一個第二側部相鄰的所述觸點的 區域內與所述襯底直^^妄觸。13. 至少根據權利要求2所述的方法，其中，至少沿所述發光區域 的所述第 一側部i殳置i是結構。14. 才艮據權利要求2或13所述的方法，其中，所述i是結構包括與 陰極隔離體的橫截面相同的橫截面。15. 根據權利要求2、 13、 14中任一項所述的方法，其中，所述i是 結構包括至少兩個平行堤，所述至少兩個平行堤圍繞所述發光 區i或和與所述至少 一個第二側部相鄰的所述觸點，并且與定位 成所述至少一第一側部相鄰的所述觸點交叉，所述觸點i殳置成 與控制芯片的觸點連接。16. 根據權利要求2、 13-15中任一項所述的方法，其中，將所述 :是結構由與所述陰^l隔離體相同的層形成。17. 根據權利要求2、 13-16中任一項所述的方法，其中，將所述 堤結構直接設置于所述襯底之上。18. 根據權利要求2、 13-17中任一項所...

【專利技術屬性】
技術研發人員：弗朗西斯庫斯科爾內留斯丁斯，倫科萊昂納德斯約翰內斯羅伯托斯彭，簡瓊曼，保羅杰曼，斯蒂芬科茨，
申請(專利權)人：OTB集團有限公司，劍橋顯示技術有限公司，
類型：發明
國別省市：NL[荷蘭]