真空吸筆及應用其的晶片搬運的保護方法技術

一種真空吸筆，用以搬運一待取出晶片，一儲存容器包括一第一容置槽及一第二容置槽，該第一容置槽鄰接該第二容置槽，該待取出晶片存放于該第一容置槽中，該待取出晶片與存放于該第二容置槽內的一晶片相距一間隙，該真空吸筆包括一本體，該本體具有一吸附表面以及一背面，該吸附表面與該背面相對，該吸附表面與該背面相距一厚度，該厚度大于該間隙的寬度。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

本專利技術有關一種，且特別是有關于一種真空吸筆，其吸附頭的厚度大于晶片間的間隙的寬度，以及應用該真空吸筆以防止不當搬運晶片而造成晶片刮傷的保護方法。
技術介紹
在晶片制造工業(yè)中，最注重的就是產品良率的改進。在生產、搬運、包裝的過程當中，如何盡量減少晶片的損耗，是晶片廠最關注的問題。在較小尺寸的晶片廠(例如六時晶片廠)中，仍有大部分的程序需要仰賴人工進行，例如晶片的挑選及搬運。由于某些實驗上或特殊的目的，作業(yè)員必須從晶片輸送盒(cassette)或晶舟(wafer boat)當中挑選出特定的晶片。一般正常程序需要以晶片挑選器將晶片頂出后，再以真空吸筆(vacuum pen)吸附晶片取出。但是部分作業(yè)員為了節(jié)省時效，經常將真空吸筆插入晶片之間的間隙吸附欲取出的晶片。但在過程當中經常發(fā)生真空吸筆與鄰近的晶片碰撞或摩擦，造成鄰近的晶片刮傷。此一人為因素所造成的晶片刮傷占整體刮傷晶片的90個百分比(％)，造成晶片廠極大的損失。而目前只能仰賴教育宣導及人力監(jiān)督的方式來預防此一問題，不易達到良好的品管效果。
技術實現(xiàn)思路
有鑒于此，本專利技術的目的是提供一種。借助增加真空吸筆的吸附頭的厚度，避免作業(yè)員將真空吸筆插入晶片間的間隙；或借助增加晶片儲存容器中擺放晶片之間的間隙，降低不當?shù)娜藶椴僮鞴蝹臋C率，達到保護晶片的目的。比起傳統(tǒng)以人力監(jiān)督或教育宣導的方式預防不當人為操作，本專利技術是以改進硬件的方式保護晶片，具有更顯著的功效根據(jù)本專利技術的目的，提出一種真空吸筆，其用以搬運一待取出晶片。一儲存容器包括第一容置槽及第二容置槽，第一容置槽鄰接第二容置槽，待取出晶片存放于第一容置槽中。待取出晶片與存放于第二容置槽內的晶片相距一間隙。真空吸筆包括一本體，本體具有一吸附表面以及一背面，吸附表面與背面相對。吸附表面與背面相距一厚度，厚度大于間隙的寬度，以避免真空吸筆伸入間隙中刮傷第二容置槽內的晶片。根據(jù)本專利技術的目的，提出一種晶片搬運的保護方法，其應用于保護儲存于一儲存容器內的晶片。儲存容器包括一第一容置槽及一第二容置槽，第一容置槽鄰接第二容置槽，待取出晶片存放于第一容置槽中。待取出晶片與存放于第二容置槽內的一晶片相距一間隙，該方法包括首先，提供一真空吸筆，包括一本體。本體具有吸附表面及背面，吸附表面與背面相對。吸附表面與背面相距一厚度，厚度大于間隙的寬度，以避免真空吸筆伸入間隙中刮傷第二容置槽內的晶片；接著，以真空吸筆吸附待取出晶片；然后，自儲存容器取出待取出晶片。根據(jù)本專利技術的目的，提出一種晶片儲存容器，包括一第一容置槽及一第二容置槽，分別用以容納一晶片。一虛擬容置槽設置于第一容置槽及第二容置槽之間，虛擬容置槽的容置空間的長度小于晶片的直徑。為讓本專利技術之上述目的、特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉幾個實施例，并配合附圖進行詳細說明如下附圖說明圖1A繪示一真空吸筆的示意圖；圖1B繪示一晶片儲存容器及其所存放的晶片的部分示意圖；圖2繪示一種晶片搬運的保護方法的流程圖；以及圖3繪示一種晶片儲存容器及其所存放的晶片的部分示意圖。具體實施例方式請同時參照圖1A及圖1B，其分別繪示一真空吸筆的示意圖，以及一晶片儲存容器及其所存放的晶片的部分示意圖。如圖1A所示，真空吸筆100包括一本體110，亦即真空吸筆100的吸附頭，本體110具有一吸附表面112以及一背面114。吸附表面112與背面114相對并相距一厚度D。如圖1B所示，儲存容器200包括容置槽201～205，分別用以存放晶片11～15。儲存容器200可以是一晶片輸送盒(cassette)或是一晶舟(wafer boat)。每一相鄰的晶片距離一間隙，且本體110的厚度D大于間隙的寬度W。假設晶片13為一待取出晶片，當要使用圖1A中的真空吸筆100吸附及搬運晶片13時，作業(yè)員無法將真空吸筆100直接伸入晶片13與晶片14之間的間隙，或晶片13與晶片12之間的間隙以吸附晶片13。因此作業(yè)員必須以正常方式操作將晶片13取出，例如以晶片挑選裝置將晶片13頂出后，再以真空吸筆100吸附晶片13后取出，避免刮傷鄰近的晶片12或晶片14。故本專利技術可以有效防止人為的不當操作，造成晶片的損壞。本體110的材料包括聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)，由于此材料具有極佳的抗變形能力，采用此材料可以使本體110的吸附表面112經歷長時間仍能夠維持平整而不至變形。本體110可以塑料射出成型的方式進行制成。請參照圖2，其繪示一種晶片搬運的保護方法的流程圖，并請同時參照圖1A及圖1B。首先，如步驟310所示，提供真空吸筆100，真空吸筆100的本體110的厚度D大于擺放晶片間的間隙的寬度W。真空吸筆100包括一本體110，本體110具有一吸附表面112以及一背面114。吸附表面112與背面114相對并相距一厚度D。接著，如步驟320所示，以真空吸筆100吸附待取出的晶片13。儲存容器200包括容置槽201～205，其中容置槽203與容置槽202、204鄰接。晶片13存放于容置槽203中，晶片13與存放于容置槽202、204內的晶片12、14相距一間隙。真空吸筆100的本體110的厚度D大于間隙的寬度W，以避免真空吸筆100伸入間隙中刮傷晶片12或晶片14。然后，如步驟330所示，自儲存容器200取出待取出的晶片13。由于真空吸筆的厚度D大于間隙的寬度W，因此作業(yè)員在搬運晶片13時無法直接插入晶片間的間隙以吸附晶片13。因此不需要人力監(jiān)督搬運工作，即可有效避免晶片刮傷的發(fā)生。然而本專利技術所屬的
中具有通常知識者，可知本專利技術的技術不限于此。例如，步驟320之前還包括將儲存容器200置放于一晶片挑選裝置上，然后調節(jié)晶片挑選裝置的頂出機構，使頂出機構對應晶片13。接著以頂出機構將部分的晶片13頂出儲存容器200外，然后再以真空吸筆100吸附并取出晶片13。故本專利技術可以強迫作業(yè)員采用正常程序取出晶片13，避免對其他擺放于儲存容器200內的鄰近晶片造成損害。請參照圖3，其繪示一種晶片儲存容器及其所存放的晶片的部分示意圖。晶片儲存容器300具有容置槽301、303、305，分別容納晶片31、32、33。晶片儲存容器300包括晶舟或晶片輸送盒。虛擬容置槽302位于容置槽301及303之間，虛擬容置槽304位于容置槽303及305之間。每一虛擬容置槽分別具有容置空間，容置空間的長度L小于晶片31～33的直徑，因此實際上晶片31～33無法放入虛擬容置槽302及304內。虛擬容置槽302及304的功用是提供置放于晶片儲存容器300內的晶片較大的區(qū)隔間隙，因此例如將一般的真空吸筆伸入間隙中吸附晶片32時，不容易碰撞相鄰的晶片31、33造成刮傷。而虛擬容置槽302、304的形成，可以借助將原本的容置槽的容置空間部分封閉而產生，因此可以從現(xiàn)有的晶舟或晶片輸送盒改良而來。本專利技術上述實施例所揭露的晶片搬運的保護裝置及應用其的搬運方法，是以增加真空吸筆的厚度，使作業(yè)員無法將真空吸筆伸入晶片間的間隙以拿取欲取出的晶片，達到保護晶片的目的。或者是在晶片儲存容器中設置虛擬容置槽，增加擺放晶片之間的間隙。使得即使作業(yè)員直接將真空吸筆插入晶片間的間隙拿取晶片，亦可降低刮傷鄰近晶片的機率。綜上所述，雖然本專利技術已以幾個實施例揭示本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種真空吸筆，用以搬運一待取出晶片，一儲存容器包括一第一容置槽及一第二容置槽，該第一容置槽鄰接該第二容置槽，該待取出晶片存放于該第一容置槽中，該待取出晶片與存放于該第二容置槽內的一晶片相距一間隙，該真空吸筆包括一本體，該本體具有一吸附表面以及一背面，該吸附表面與該背面相對，該吸附表面與該背面相距一厚度，該厚度大于該間隙的寬度。2.如權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于該本體的材料包括聚醚醚酮。3.如權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于該本體是以塑料射出成型的方式制成。4.如權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于該儲存容器為一晶舟。5.如權利要求1所述的真空吸筆，其特征在于該儲存容器為一晶片輸送盒。6.一種晶片搬運的保護方法，其應用于保護一儲存容器內的晶片，該儲存容器包括一第一容置槽及一第二容置槽，該第一容置槽鄰接該第二容置槽，該待取出晶片存放于該第一容置槽中，該待取出晶片與存放于該第二容置槽內的一晶片相距一間隙，該方法包括提供一真空吸筆，包括一本體，該本體具有一吸附表面及一背面，該吸附表面與該背面相對，該吸附表面與該背面相距一厚度，...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：李宗憲，
申請(專利權)人：旺宏電子股份有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：