拋光裝置和拋光方法制造方法及圖紙

一種拋光裝置具有：拋光帶（２１）；供給卷軸（２２），用于把拋光帶（２１）供給到接觸部分（３０）中，在該接觸部分上，拋光帶（２１）與基體（１０）的凹槽部分（１１）產生接觸；及拾取卷軸（２３），用于纏繞來自接觸部分（３０）的拋光帶（２１）。該拋光裝置還具有：第一導向部分（２４），它具有導向表面（２４１）從而把拋光帶（２１）直接供給到接觸部分（３０）中；及第二導向部分（２５），它具有導向表面，從而把拋光帶（２１）供給到拾取卷軸（２３）中。第一導向部分（２４）的導向表面（２４１）和／或第二導向部分（２５）的導向表面具有與基體（１０）的凹槽部分（１１）的形狀相對應的形狀。

【技術實現步驟摘要】
【國外來華專利技術】
本專利技術涉及一種，更加具體地說，本專利技術涉及借助拋光帶來拋光基體如半導體晶片的一種。
技術介紹
至今，采用具有磨粒的拋光帶來拋光形成在半導體晶片中的凹槽部分。更加具體地說，拋光帶與半導體晶片的凹槽部分產生接觸，并且沿著垂直于晶片表面的方向運動以拋光晶片凹槽部分。在傳統的方法中，拋光帶在拋光負荷的作用下沿著晶片的凹槽部分進行變形。拋光帶的邊緣部分根據拋光情況可以擦傷晶片的凹槽部分。相應地，根據拋光情況，晶片在凹槽部分可以產生裂縫或者受到不均勻的拋光。此外，如果拋光帶沒有充分變形，那么接觸晶片的拋光帶區域減小了，以致難以進行穩定的拋光工作。在這種情況下，實現均勻的拋光是困難的。此外，不使用拋光帶的整個表面來進行拋光是不經濟的。此外，如果在拋光彎曲表面時接觸晶片的拋光帶的區域較小，那么晶片需要被分成許多較小區域，這些較小區域順序地被拋光。相應地，完成該拋光過程需要許多時間。因此，如果在拋光晶片的凹槽部分時不合適地設定拋光條件，那么產生了一些問題如拋光帶的邊緣部分擦傷晶片或者不均勻地進行拋光。為了克服這些問題，可以使拋光帶變薄以符合凹槽部分的形狀。但是，在使拋光帶變薄時，對張力的阻力減小了。因此，拋光帶具有薄度限制。
技術實現思路
由于上面缺點而產生了本專利技術。因此，本專利技術的第一目的是提供在沒有因為拋光帶的拋光而擦傷基體的情況下可以均勻地、高速地拋光基體如半導體晶片的凹槽部分等等的一種拋光裝置和一種拋光方法。根據本專利技術的第一方面，提供了一種拋光裝置，該拋光裝置在沒有由于拋光而擦傷基體的情況下可以實現均勻的、高速的拋光。拋光裝置具有拋光帶；供給卷軸，用于把拋光帶供給到接觸部分中，在該接觸部分上，拋光帶與要被拋光的一部分基體產生接觸；及拾取卷軸，用于纏繞來自接觸部分的拋光帶。該拋光裝置還具有第一導向部分，具有導向表面以給來自供給卷軸的拋光帶導向，從而把拋光帶直接供給到接觸部分中；第二導向部分，具有導向表面以給直接從接觸部分供給來的拋光帶導向，從而把拋光帶供給到拾取卷軸中；及驅動機構，它被構造成使拋光帶和基體彼此相對進行運動。第一導向部分的導向表面和第二導向部分的導向表面中的至少一個具有與要被拋光的該一部分基體的形狀相對應的形狀。根據本專利技術的第二方面，提供了一種拋光方法，該方法在沒有由于拋光而擦傷基體的情況下可以實現均勻的、高速的拋光。根據這種拋光方法，拋光帶被供給到第一導向部分的導向表面中。拋光帶從第一導向部分的導向表面直接地供給到接觸部分中，在該接觸部分上，拋光帶與要被拋光的一部分基體產生接觸。拋光帶從接觸部分直接地供給到第二導向部分的導向表面中。借助第一導向部分的導向表面和第二導向部分的導向表面中的至少一個將一部分拋光帶變形，從而與要被拋光的該一部分基體的形狀相對應。要被拋光的該一部分基體和拋光帶彼此相對進行運動以拋光該一部分基體。更加具體地說，當拋光帶與要被拋光的一部分半導體基體產生接觸，并且該基體和拋光帶彼此相對進行運動以拋光該一部分基體時，一部分拋光帶變形從而與要被拋光的該一部分基體的形狀相對應。例如，一部分拋光帶與形成在半導體基體的邊緣部分上的凹槽部分產生接觸，及拋光帶沿著垂直于基體表面的方向運動以拋光凹槽部分。那時，一部分拋光帶沿著拋光帶的寬度方向進行變形從而與凹槽部分的形狀相對應。根據本專利技術，使拋光帶變形，從而在拋光一部分半導體基體之前與半導體基體的該一部分如凹槽部分的形狀相一致。因此，拋光帶很可能變成與要被拋光的基體的整個部分產生均勻接觸。相應地，該基體不太可能由于拋光而被擦傷。因此，可以實現均勻的和高速的拋光。結合附圖的下面描述使本專利技術的上面的和其它的目的、特征和優點變得更加清楚，這些附圖借助例子示出了本專利技術的優選實施例。附圖說明圖1是平面視圖，它示出了本專利技術第一實施例的拋光裝置；圖2是沿著圖1的線II-II所截取的橫剖視圖；圖3是前視圖，它示出了圖1的拋光裝置中的拋光機構；圖4是橫剖視圖，它示出了圖3的拋光機構的第一導向部分；圖5是沿著圖3的線V-V所截取的橫剖視圖；圖6是平面視圖，它示出了在使用圖3的拋光機構時在晶片的凹槽部分和拋光帶之間的接觸狀態；圖7是平面視圖，它示出了本專利技術第二實施例的拋光裝置； 圖8是后視圖，它示出了圖7的拋光裝置中的第一導向部分；圖9是沿著圖8的線IX-IX所截取的橫剖視圖；圖10是橫剖視圖，它示出了在圖7的拋光裝置中晶片的傾斜部分和拋光帶之間的接觸狀態；圖11是平面視圖，它示出了本專利技術第三實施例的拋光裝置；圖12A-12E是側橫剖視圖，它們示出了圖11的拋光裝置和晶片一起中的每個拋光頭部；圖13是晶片的邊緣部分的放大橫剖視圖；圖14是橫剖視圖，它示出了拋光頭部被設置成在圖11的拋光裝置中拋光晶片的邊緣部分的狀態；圖15是拋光頭部與晶片產生接觸的那一部分的放大橫剖視圖；圖16A和16B是透視圖，它們示出了生產本專利技術第三實施例的拋光裝置中的拋光頭部的方法；圖17A是后視圖，它示出了圖8的第一導向部分的變形；圖17B和17C是圖17A所示的第一導向部分的橫剖視圖；圖18A-18E是側橫剖視圖，它們示出了第三實施例的拋光頭部的變形；圖19是前視圖，它示出了圖3的拋光機構的第一變形；圖20A是沿著圖19的線A-A所截取的橫剖視圖；圖20B是沿著圖19的線B-B所截取的橫剖視圖；圖20C是沿著圖19的線C-C所截取的橫剖視圖；圖21是平面視圖，它示出了在使用圖19的拋光機構時在晶片的凹槽部分和拋光帶之間的接觸狀態；圖22是前視圖，它示出了圖3的拋光機構的第二變形；圖23A是沿著圖22的線A-A所截取的橫剖視圖； 圖23B是沿著圖22的線B-B所截取的橫剖視圖；圖23C是沿著圖22的線C-C所截取的橫剖視圖；圖24是側橫剖視圖，它示出了圖3的拋光機構的第三變形；及圖25是側橫剖視圖，它示出了操縱圖24的拋光機構的狀態。具體實施例方式在下面參照圖1到25詳細地描述本專利技術的拋光裝置的實施例。在圖1到25，相同或者相應的零件用相同的標號來表示，并且沒有重復地描述。圖1是示出了本專利技術第一實施例的拋光裝置的平面視圖，及圖2是沿著圖1的線II-II所截取的橫剖視圖。本實施例中的拋光裝置用來拋光形成在半導體片的邊緣部分中的凹槽部分。拋光裝置具有用來拋光半導體片10的凹槽部分11的拋光機構20，該凹槽部分11被水平地保持在工作臺(未示出)上。如圖1和2所示那樣，拋光機構20具有拋光帶21，該拋光帶具有磨粒；供給卷軸22，它把拋光帶21供給到接觸部分30中，在該接觸部分30上，拋光帶21與要拋光的一部分片10形成接觸；拾取卷軸23，它纏繞來自接觸部分30的拋光帶21；第一導向部分(導向輥)24，它給來自供給卷軸22的拋光帶21導向以把拋光帶21直接供給到接觸部分30中；及第二導向部分(導向輥)25，它給直接從接觸部分30所供給來的拋光帶21進行導向，從而把拋光帶21供給到拾取卷軸23中。因此，從供給卷軸22中供給拋光帶21，該拋光帶21由第一導向部分24來導向，然后供給到接觸部分30中，從而與要被拋光的一部分晶片10形成接觸，隨后借助第二導向部分25來導向，及借助拾取卷軸23來纏繞。在本實施例中，第一導向部分24和第二導向部分25基本上具有相同的結構。在多個導向部分(導向輥)設置在本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種拋光裝置，包括：拋光帶；供給卷軸，用于把所述拋光帶供給到接觸部分中，在該接觸部分上，所述拋光帶與要被拋光的一部分基體產生接觸；拾取卷軸，用于纏繞來自接觸部分的所述拋光帶；第一導向部分，具有導向表面以給來自 所述供給卷軸的所述拋光帶導向，從而把所述拋光帶直接供給到接觸部分中；第二導向部分，具有導向表面以給直接從接觸部分供給來的所述拋光帶導向，從而把所述拋光帶供給到所述拾取卷軸中；及驅動機構，被構造成使所述拋光帶和基體彼此相對進行 運動；其中，所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面中的至少一個具有與要被拋光的該一部分基體的形狀相對應的形狀。

【技術特征摘要】
【國外來華專利技術】JP 2004-10-15 302005/20041.一種拋光裝置，包括拋光帶；供給卷軸，用于把所述拋光帶供給到接觸部分中，在該接觸部分上，所述拋光帶與要被拋光的一部分基體產生接觸；拾取卷軸，用于纏繞來自接觸部分的所述拋光帶；第一導向部分，具有導向表面以給來自所述供給卷軸的所述拋光帶導向，從而把所述拋光帶直接供給到接觸部分中；第二導向部分，具有導向表面以給直接從接觸部分供給來的所述拋光帶導向，從而把所述拋光帶供給到所述拾取卷軸中；及驅動機構，被構造成使所述拋光帶和基體彼此相對進行運動；其中，所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面中的至少一個具有與要被拋光的該一部分基體的形狀相對應的形狀。2.根據權利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面中的所述至少一個沿著所述拋光帶的寬度方向彎曲。3.根據權利要求2所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面在垂直于所述拋光帶的供給方向的橫截面上具有不同的曲率。4.根據權利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面中的一個具有彎曲表面，該彎曲表面至少沿著所述拋光帶的寬度方向進行彎曲；其中所述第一導向部分的所述導向表面和所述第二導向部分的所述導向表面中的另一個沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的。5.根據權利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，還包括第三導向部分和第四導向部分中的至少一個，其中第三導向部分具有導向表面，該導向表面沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的，從而給來自所述供給卷軸的所述拋光帶導向，以把所述拋光帶直接供給到所述第一導向部分中；第四導向部分具有導向表面，該導向表面沿著所述拋光帶的寬度方向基本上是平坦的，從而給直接從所述第二導向部分供給來的所述拋光帶導向，以把所述拋光帶供給到所述拾取卷軸中。6.根據權利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，所述第一導向部分包括導向件，具有梯形橫截面，該梯形橫截面與所述拋光帶產生接觸；及一對輥，它們沿著所述導向件的表面設置。7.根據權利要求1所述的拋光裝置，其特征在于，還包括至少一個拋光頭部，從而把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基體上。8.根據權利要求7所述的拋光裝置，其特征在于，所述拋光頭部包括用于把所述拋光帶壓靠在要被拋光的該一部分基...

【專利技術屬性】
技術研發人員：窪田壯男，重田厚，豐田現，高橋圭瑞，福岡大作，伊藤賢也，
申請(專利權)人：株式會社東芝，株式會社荏原制作所，
類型：發明
國別省市：JP[日本]