光傳感器及使用該光傳感器的有機發(fā)光顯示器制造技術

一種有機發(fā)光顯示器，包括基底、位于基底上的薄膜晶體管、與該薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管以及具有多個相互并聯(lián)的光二極管的光傳感器。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】

0001本專利技術涉及有機發(fā)光顯示器。特別地，本專利技術涉及一種具有能夠向其提供改進亮度控制的光傳感器的有機發(fā)光顯示器。
技術介紹
0002通常，有機發(fā)光顯示器是一個平板顯示設備，其中可以施加電壓到多個夾置在兩電極、即陽極和陰極之間的層，從而結合電子和空穴以形成圖像。更具體來說，常規(guī)有機發(fā)光顯示器可以包括空穴注入層、空穴傳輸層、至少一個有機發(fā)光層、電子注入層以及電子傳輸層。因此，空穴可從陽極電極注入到空穴注入層并且通過空穴傳輸層傳輸進入有機發(fā)光層。類似地，電子可從陰極電極注入到電子注入層并且通過電子傳輸層傳輸?shù)接袡C發(fā)光層。傳輸?shù)目昭ê碗娮涌梢栽谟袡C發(fā)光層中互相結合而形成激子，從而發(fā)出可見光。0003常規(guī)有機發(fā)光顯示器的有機發(fā)光層隨著時間的推移將會劣化，從而降低顯示亮度。換句話說，一旦有機發(fā)光層劣化，有機發(fā)光層的發(fā)光亮度將會偏離所需要的亮度值，從而降低有機發(fā)光顯示器圖像的質量及其整個壽命。已經(jīng)有嘗試通過于其中合并光二極管來改進有機發(fā)光顯示設備的亮度，從而來自光二極管的恒定電信號會觸發(fā)有機發(fā)光顯示器的恒定亮度，而不管有機發(fā)光層的劣化狀況。然而，常規(guī)光二極管可能具有有限的電信號輸出，從而限制了亮度控制效率，即減小了亮度調節(jié)范圍。0004綜上所述，需要一種有機發(fā)光顯示設備，具有能夠通過有效電信號控制其亮度的光二極管。
技術實現(xiàn)思路
0005因而本專利技術旨在提供一種光傳感器，一種有機發(fā)光顯示器和使用其的電子裝置，它們基本上克服了現(xiàn)有技術中一個或多個缺點。0006因此，本專利技術的一個特征是提供一種光傳感器，其能夠經(jīng)多個光二極管向其提供電信號來控制有機發(fā)光二極管的亮度。0007本專利技術的另一個特征是提供一種有機發(fā)光顯示器，其具有能夠提供改進的對其的亮度控制的光傳感器。0008本專利技術的再一個特征是提供一種電子裝置，其具有一有機發(fā)光顯示器，該有機發(fā)光顯示器具有能夠提供改進的亮度控制的光傳感器。0009通過提供包括多個相互并聯(lián)的光二極管的光傳感器，可以實現(xiàn)本專利技術至少上述的一個或其他的特征和優(yōu)點。該多個光二極管可以吸收外部光并且輸出對應的電信號。0010每個光二極管是PIN光二極管。另外，每個PIN光二極管包括一個位于N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)之間的本征區(qū)。或者，每個光二極管是一個PN二極管。每個PN光二極管包括鄰近于P型摻雜區(qū)的N型摻雜區(qū)，其中N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)在同一個平面。0011在本專利技術的另一個方面，提供了一種有機發(fā)光顯示器，包括基底、位于基底上的薄膜晶體管、與該薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管以及具有多個相互并聯(lián)的光二極管的光傳感器。0012光傳感器可以設置于基底上的非像素區(qū)。此外，光傳感器能夠接收來自有機光二極管的光并且產生對應的電信號。而且，該多個光二極管能夠吸收外部光并且輸出對應的電信號。0013每個光二極管都是一個PIN光二極管。此外，每個PIN光二極管可包括在N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)之間一個本征區(qū)。或者，每個光二極管可以是一個PN二極管。每個PN光二極管可包括一個鄰近于P型摻雜區(qū)的N型摻雜區(qū)。0014在本專利技術的又一方面，提供了一種便攜式電子設備，包括一個有機發(fā)光二極顯示器設備，該顯示器設備具有基底、薄膜晶體管、與薄膜晶體管電連接的有機發(fā)光二極管以及具有多個相互并聯(lián)的光二極管的光傳感器。附圖說明0015通過參照附圖詳細描述其說明性實施例，使本專利技術的上述或其他特征和優(yōu)點對本領域技術人員更加清楚，其中0016圖1顯示根據(jù)本專利技術一說明性實施例的光傳感器的平面0017圖2顯示具有如圖1所示的光傳感器的有機發(fā)光顯示器的橫截面0018圖3顯示具有如圖1所示的光傳感器的有機發(fā)光顯示器的平面 0019圖4顯示根據(jù)本專利技術另一說明性實施例的光傳感器的平面0020圖5顯示具有如圖4所示的光傳感器的有機發(fā)光顯示器的橫截面0021圖6顯示具有如圖4所示的光傳感器的有機發(fā)光顯示器的平面0022圖7顯示具有根據(jù)本專利技術一實施例的有機發(fā)光顯示器設備的便攜式電子裝置的透視圖。具體實施方式0023韓國專利申請No.10-2005-0127228，2005年12月21日向韓國知識產權局遞交，名稱是“具有一光二極管的有機發(fā)光顯示器”，和韓國專利申請No.10-2006-0109487，2006年11月7日向韓國知識產權局遞交，名稱是“光二極管以及具有光二極管的有機發(fā)光顯示裝置”，其全文通過引用并入文中。0001下面將參照顯示本專利技術示例性實施例的附圖更加詳細地說明本專利技術。但是，本專利技術可以表現(xiàn)為不同的形式，并不應當解釋為這里提出的實施例。提供這些實施例而是使得本公開完全和徹底，并充分將本專利技術的范圍傳達給本領域的技術人員。0024在圖中，為了清楚起見，層和區(qū)的尺寸會被夸大。也可以這樣理解，當一個層或者一個元件被提及在另一層、元件或基底“上”時，它可以是直接位于另一層、元件或基底上，或者也可出現(xiàn)插入層或元件。進一步地，可以理解為，當一層或一元件被提及在另一層或元件“下”時，它可以是直接位于下面，或者也可以出現(xiàn)一個或更多插入層或元件。另外，也可以理解為，當一層或者一個元件被提及在兩個層或者元件“之間”時，它可以是在兩個層或元件之間的僅有層或元件，或者可以出現(xiàn)一個或多個插入層或元件。全文中，相似的附圖標記表示相似的元件。0025在下文中參照附圖1更詳細地說明根據(jù)本專利技術的光傳感器的實施例。如圖1所示，根據(jù)本專利技術實施例的光傳感器230可包括多個光二極管230A，即至少兩個光二極管230A。每個光二極管230A可以具有第一區(qū)域231和第二區(qū)域232，這樣的第一和第二區(qū)域231和232可彼此相鄰。0026特別地，每個光二極管230A可由非晶硅形成和通過預定熱處理、即一些由本領域技術人員確定的非晶硅材料的適當熱處理來結晶以形成多晶硅。接下來，高濃度N型雜質離子可注入到第一區(qū)域231的多晶硅中231中以形成N型摻雜區(qū)231，高濃度P型雜質離子注入第二區(qū)域232的多晶硅中以形成P型摻雜區(qū)232。因此，每個光二極管230A可以是PN型光二極管，即一N型摻雜區(qū)231和一P型摻雜區(qū)，且N型摻雜區(qū)231和P型摻雜區(qū)232設置在同一個平面上，相互相鄰。0027通常，當電流密度是恒定的時候，流經(jīng)光二極管的電流量可與電二極管的面積成比例。換句話說，根據(jù)下面的等式(1)，光二極管的面積越大，通過它的電流量就越高。 Id＝J×A (1)其中，Id是電流，J是電流密度，A是光二極管的面積。然而，有機發(fā)光顯示中光二極管的形成會限制它的面積。0028因此，光傳感器230的多個光二極管230A可互相并聯(lián)，這樣光傳感器230的總面積以及通過的電流都可增加，而通過每個單個光二極管230A的電流值保持恒定。光二極管這樣的結構可通過光傳感器230方便電流控制，從而提高由光傳感器230產生的電信號的控制、即輸出電流或電壓的范圍。特別地，當施加陽極電壓到光二極管230A的P型摻雜區(qū)232，施加陰極電壓到光二極管230A的N型摻雜區(qū)231時，它們之間的結可能完全耗盡，使得響應通過耗盡區(qū)表面的入射光產生電荷。多個光二極管230A可以相對產生的電荷并與光密度成比例地輸出電信號。0029參照附圖2-3詳細描述有機發(fā)光顯示器中光傳感器230的實施例。如圖2-3所示，有機發(fā)光顯示器20本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】
一種光傳感器，包括：多個相互并聯(lián)的光二極管。

【技術特征摘要】
KR 2005-12-21 10-2005-0127228;KR 2006-11-7 10-2006書的精神和范圍的前提下，可在形式和細節(jié)上進行各種改變。權利要求1.一種光傳感器，包括多個相互并聯(lián)的光二極管。2.如權利要求1所述的光傳感器，其中每個光二極管是PIN光二極管。3.如權利要求2所述的光傳感器，其中每個PIN光二極管包括位于N型摻雜區(qū)和P型摻雜區(qū)之間的本征區(qū)。4.如權利要求1所述的光傳感器，其中每個光二極管是PN二極管。5.如權利要求4所述的光傳感器，其中每個PN光二極管包括與P型摻雜區(qū)相鄰的N型摻雜區(qū)，其中所述N型摻雜區(qū)和所述P型摻雜區(qū)位于相同平面上。6.如權利要求1所述的光傳感器，其中所述多個光二極管能夠吸收外部光并輸出對應的電信號。7.一種有機發(fā)光顯示器，包括具有像素區(qū)和非像素區(qū)的基底；位于所述基底上的薄膜晶體管；電連接到所述...

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：梁善芽，吳允哲，李垠姃，姜垣錫，樸惠香，崔炳德，
申請(專利權)人：三星SDI株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：KR[韓國]