本實用新型專利技術涉及一種安裝有隔離裝置的單晶爐，包括加料管、熱屏支撐環以及同心設置的外坩堝和內坩堝，熱屏支撐環設有第一加料孔，加料管穿過第一加料孔與外坩堝的內腔連通，還包括：隔離裝置，包括隔離環，隔離環的內邊緣圍繞在內坩堝的外壁，隔離環外邊緣與隔離環的內邊緣之間的區域隔離外坩堝的內腔與內坩堝的內腔，以阻擋從加料管加入到外坩堝內的硅料迸濺到內坩堝腔內；連接件，可拆卸地連接隔離裝置和熱屏支撐環。本實用新型專利技術中的隔離裝置能夠較好地在防止加料管在添加硅料的過程中，硅料從外坩堝迸濺到內坩堝的問題。從外坩堝迸濺到內坩堝的問題。從外坩堝迸濺到內坩堝的問題。
【技術實現步驟摘要】
安裝有隔離裝置的單晶爐
[0001]本技術涉及單晶制造
，特別是涉及安裝有隔離裝置的單晶爐。
技術介紹
[0002]目前降低制造單晶硅的能耗的改進主要圍繞兩個方面進行,一是改變投料的方式，也即將停爐投料改變為不停爐投料；二是改變拉制單品硅棒方法，也即由分步法拉制單晶硅棒改變為連續法拉制單晶硅棒。
[0003]現有的不停爐連續投料的設計方案中，存在采用多個坩堝制造單晶硅的方案，例如采用外坩堝和內坩堝分別融化硅料制造單晶硅，由于外坩堝與內坩堝的尺寸不同，因此在生產單晶硅的過程中，二者在加硅料的時間可能不同。當需要對其中一個坩堝添加硅料時，由于坩堝的上端之間缺乏防護，這可能導致在輸送硅料的過程中，硅料從一個坩堝迸濺另一個坩堝內，例如當對外坩堝加料時，由于外坩堝與內坩堝之間缺乏隔離件，這就可能導致加入外坩堝的硅料迸濺到內坩堝內，進而導致內坩堝的拉晶過程中斷或者影響生產的單晶硅的質量。
技術實現思路
[0004]基于此，提出一種安裝有隔離裝置的單晶爐以解決上述問題。
[0005]一種安裝有隔離裝置的單晶爐，所述單晶爐包括加料管、熱屏支撐環以及同心設置的外坩堝和內坩堝，所述熱屏支撐環設有第一加料孔，所述加料管穿過所述第一加料孔與所述外坩堝的內腔連通，所述單晶爐還包括：
[0006]隔離裝置，包括隔離環，所述隔離環的內邊緣圍繞在所述內坩堝的外壁，所述隔離環外邊緣與所述隔離環的內邊緣之間的區域隔離所述外坩堝的內腔與所述內坩堝的內腔，以阻擋從所述加料管加入到所述外坩堝內的硅料迸濺到所述內坩堝腔內；
[0007]連接件，可拆卸地連接所述隔離裝置和所述熱屏支撐環。
[0008]上述安裝有隔離裝置的單晶爐，由于隔離環內邊緣圍繞在內坩堝的外壁，且隔離環的外邊緣與隔離環的內邊緣之間的區域隔離外坩堝的內腔與內坩堝的內腔，因此當通過加料管將硅料輸送到外坩堝時，從外坩堝內迸濺出的硅料能夠被隔離環彈回到外坩堝內。
[0009]在其中一個實施例中，所述隔離環上設有第二加料孔，所述第二加料孔與所述第一加料孔在同一軸線上，所述第二加料孔的直徑與所述第一加料孔的直徑相同，所述加料管穿過所述第一加料孔和所述第二加料孔，所述隔離環的底面在所述內坩堝的高度方向上高于所述加料管的出口。
[0010]在其中一個實施例中，所述熱屏支撐環表面設有多組第一連接孔，所述隔離環表面設有多組第二連接孔，多組所述第二連接孔與多組所述第一連接孔位置分別對應，多個所述連接件分別連接所述第一連接孔和所述第二連接孔。
[0011]在其中一個實施例中，所述連接件為螺桿。
[0012]在其中一個實施例中，所述隔離裝置包括連接圈環，所述連接圈環的內邊緣圍繞
在所述內坩堝的外壁，所述連接圈環一端與所述隔離環一體成型，另一端通過所述連接件與所述熱屏支撐環連接。
[0013]在其中一個實施例中，所述隔離環朝向所述連接圈環一面與所述連接圈環的軸線夾角為鈍角a。
[0014]在其中一個實施例中，所述熱屏支撐環表面設有多組第一連接孔，所述連接圈環端部設置多組第二連接孔，多個所述連接件分別連接所述第一連接孔和所述第二連接孔。
[0015]在其中一個實施例中，所述連接件為螺栓。
[0016]在其中一個實施例中，所述隔離環一端沿所述內坩堝的高度方向延伸并與所述熱屏支撐環抵接，所述連接件連接所述隔離環和所述熱屏支撐環，所述隔離環的底面在所述內坩堝的高度方向上低于所述加料管的出口。
[0017]在其中一個實施例中，所述隔離裝置的材質為石墨、氧化鋁、氧化鋯或者石英。
附圖說明
[0018]圖1為本技術一實施例中單晶爐的立體結構剖視圖；
[0019]圖2為圖1中熱屏支撐環和隔離環的結構示意圖；
[0020]圖3為本技術一實施例中單晶爐的立體結構剖視圖；
[0021]圖4為圖3中熱屏支撐環和隔離裝置的結構示意圖；
[0022]圖5為本技術一實施例中單晶爐的立體結構剖視圖；
[0023]圖6為圖5中熱屏支撐環和隔離環的結構示意圖。
[0024]附圖標號：
[0025]100、加料管；200、熱屏支撐環；210、第一加料孔；211、第一連接孔；300、外坩堝；400、內坩堝；500、隔離裝置；510、隔離環；511、第二加料孔；512、第二連接孔；520、連接圈環；600、連接件。
具體實施方式
[0026]為使本技術的上述目的、特征和優點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本技術的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節以便于充分理解本技術。但是本技術能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本技術內涵的情況下做類似改進，因此本技術不受下面公開的具體實施例的限制。
[0027]在本技術的描述中，需要理解的是，術語“中心”、“縱向”、“橫向”、“長度”、“寬度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“豎直”、“水平”、“頂”、“底”、“內”、“外”、“順時針”、“逆時針”、“軸向”、“徑向”、“周向”等指示的方位或位置關系為基于附圖所示的方位或位置關系，僅是為了便于描述本技術和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構造和操作，因此不能理解為對本技術的限制。
[0028]此外，術語“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對重要性或者隱含指明所指示的技術特征的數量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括至少一個該特征。在本技術的描述中，“多個”的含義是至少兩個，例如兩
個，三個等，除非另有明確具體的限定。
[0029]在本技術中，除非另有明確的規定和限定，術語“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等術語應做廣義理解，例如，可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或成一體；可以是機械連接，也可以是電連接；可以是直接相連，也可以通過中間媒介間接相連，可以是兩個元件內部的連通或兩個元件的相互作用關系，除非另有明確的限定。對于本領域的普通技術人員而言，可以根據具體情況理解上述術語在本技術中的具體含義。
[0030]在本技術中，除非另有明確的規定和限定，第一特征在第二特征“上”或“下”可以是第一和第二特征直接接觸，或第一和第二特征通過中間媒介間接接觸。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或僅僅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或僅僅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0031]需要說明的是，當元件被稱為“固定于”或“設置于”另一個元件，它可以直接在另一個元件上或者也可以存在居中的元件。當一個元件被認為是“連接”另一個元件，它可以是直接連接到另一個元件或者可能同時本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種安裝有隔離裝置的單晶爐，所述單晶爐包括加料管、熱屏支撐環以及同心設置的外坩堝和內坩堝，所述熱屏支撐環設有第一加料孔，所述加料管穿過所述第一加料孔與所述外坩堝的內腔連通，其特征在于，所述單晶爐還包括：隔離裝置，包括隔離環，所述隔離環的內邊緣圍繞在所述內坩堝的外壁，所述隔離環外邊緣與所述隔離環的內邊緣之間的區域隔離所述外坩堝的內腔與所述內坩堝的內腔，以阻擋從所述加料管加入到所述外坩堝內的硅料迸濺到所述內坩堝腔內；連接件，可拆卸地連接所述隔離裝置和所述熱屏支撐環。2.根據權利要求1所述的單晶爐，其特征在于，所述隔離環上設有第二加料孔，所述第二加料孔與所述第一加料孔在同一軸線上，所述第二加料孔的直徑與所述第一加料孔的直徑相同，所述加料管穿過所述第一加料孔和所述第二加料孔，所述隔離環的底面在所述內坩堝的高度方向上高于所述加料管的出口。3.根據權利要求2所述的單晶爐，其特征在于，所述熱屏支撐環表面設有多組第一連接孔，所述隔離環表面設有多組第二連接孔，多組所述第二連接孔與多組所述第一連接孔位置分別對應，多個所述連接件分別連接所述第一連...
【專利技術屬性】
技術研發人員：武鵬，王成龍，何金凱，周潔，賈晨晨，張大海，張華利，
申請(專利權)人：江蘇協鑫硅材料科技發展有限公司，
類型：新型
國別省市：
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