一種保護自對準硅化合物阻擋層的方法技術

本發明專利技術有關一種保護自對準硅化合物阻擋層的方法，其中在自對準硅化合物表面的涂膠去除前進行ＨＦ濕法刻蝕。通過上述方法，在光刻膠還保留的情況下，先直接進行ＨＦ濕法刻蝕，去除絕大部分殘余在多晶硅和單晶硅表面的二氧化硅，大大減輕了硅化物形成前的ＨＦ刻蝕對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕作用，從而起到了保護自對準硅化合物阻擋層的作用。（*該技術在2024年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及集成電路制造領域，尤其是涉及。
技術介紹
隨著集成電路的發展，多晶硅線寬及其之間線寬間距的正變得越來越窄，為了滿足設計的需要，這就要求自對準硅化合物阻擋層這層膜要盡量的薄。如圖1所示，其為現有技術中對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕流程圖。首先需要生成一層自對準硅化合物阻擋層，然后在其上進行涂膠，接著進行自對準硅化合物阻擋層掩膜版程序，接著進行干法刻蝕程序，在干法刻蝕后，依次進行干法去膠，濕法去膠，HF刻蝕及硅化物工藝程序。但是自對準硅化合物阻擋層變薄后，產生了兩種負作用，一是由于自對準硅化合物阻擋層會產生數量更多的針孔，二是硅化物形成前的HF刻蝕作用會對比較薄的自對準硅化合物阻擋層產生致命的影響，甚至將自對準硅化合物阻擋層全部洗去。因此要設計，其可以大大減輕硅化物形成前的HF刻蝕對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕作用，從而起到了保護自對準硅化合物阻擋層的作用。
技術實現思路
本專利技術所要解決的技術問題是克服現有技術的不足，提供，其可以大大減輕硅化物形成前的HF刻蝕對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕作用，從而起到了保護自對準硅化合物阻擋層的作用。為完成以上技術問題，本專利技術采用以下技術方案，，其中在自對準硅化合物表面的涂光刻膠去除前進行濕法刻蝕。與現有技術相比，本專利技術的有益效果是大大減輕了硅化物形成前的HF刻蝕對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕作用，從而起到了保護自對準硅化合物阻擋層的作用。附圖說明圖1為現有技術中對自對準硅化合物阻擋層刻蝕的方法的流程圖。圖2是本專利技術的流程圖。圖3是使用本專利技術及現有技術的方法處理的同樣厚度的自對準硅化合物的方塊電阻在N型多晶硅上的測試結果比對圖。具體實施例方式下面結合附圖和實施例對本專利技術作進一步描述。請參閱圖2所示，首先進行自對準硅化合物阻擋層的生成程序，然后在其上進行涂膠作業，接著進行自對準硅化合物阻擋層掩膜版程序，從而可以進行干法刻蝕程序，在干法刻蝕后，追加一步HF刻蝕程序，去除絕大部分殘余在多晶硅和單晶硅表面的二氧化硅。然后，依次進行干法去膠，濕法去膠及HF刻蝕程序。因為多晶硅及單晶硅上的二氧化硅的量已經相當的少，所以只需要很短時間的HF刻蝕，會極大程序地減輕HF前處理對自對準硅化合物的刻蝕作用，最后進行硅化物工藝程序。請參閱圖3所示，其顯示同樣厚度的自對準硅化合物阻擋層，采用本專利技術的工藝流程與現有技術的工藝流程后，自對準硅化合物阻擋層的方塊電阻在N型多晶硅上的測試結果。可以明顯地看出，用本專利技術的工藝流程的方法，很好地保護了自對準硅化合物阻擋層，方塊電阻的均一性比原工藝流程有很大的提高。綜上所述，本專利技術完成了專利技術人的專利技術目的，在本專利技術的工藝流程中，由于追加了一步HF濕法刻蝕程序，殘余在多晶硅和單晶硅表面的二氧化硅的量已經相當的少，所以只需要很短時間的HF刻蝕，極大程度地減輕了HF前處理對自對準硅化合物阻擋層的刻蝕作用，起到了保護自對準硅化合物阻擋層的作用。因此，方塊電阻的均一性有了極大的改善。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種保護自對準硅化合物阻擋層的方法，其特征在于：在自對準硅化合物表面的涂光刻膠去除前進行濕法刻蝕。

【技術特征摘要】
1.一種保護自對準硅化合物阻擋層的方法，其特征在于在自對準硅化合物表面的涂光刻膠去除前進行濕法刻蝕。2.如權利要求1所述的保護自對準硅化合物阻擋層的方法，其特征在于所述濕法刻蝕為HF濕法刻蝕。3.如權利要求1或2所述的保護自對準硅化合物阻擋層的方法，其特征在于所述濕法刻蝕前有一步干法刻蝕程序。4.如權...

【專利技術屬性】
技術研發人員：周貫宇，
申請(專利權)人：上海華虹NEC電子有限公司，
類型：發明
國別省市：31[中國|上海]