半導體裝置制造方法及圖紙

本發明專利技術提供了一種半導體裝置，其特征是具備：在表面上形成有突出電極的半導體器件；以及形成在半導體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。（*該技術在2017年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本專利技術涉及半導體裝置和半導體裝置的制造方法、半導體裝置制造用模具和半導體裝置，特別是涉及具有芯片尺寸封裝構造的半導體裝置。
技術介紹
近些年來，隨著對電子機器和裝置的小型化的要求，人們正在謀求半導體裝置的小型化和高密度化。因此，采用使半導體裝置的形狀極力接近半導體器件(芯片)的辦法來謀求小型化。提出了所謂芯片尺寸封裝構造的半導體裝置的方案。此外，當因高密度化而使之多管腳化且使半導體裝置小型化時，則外部連接端子的步距將會變窄。為此，作為可以節省空間地形成比較多的外部連接端子的構造，進行了把突出電極用作外部端子的工作。圖1(A)示出了在現有的裸片(倒裝芯片)裝配中所用的半導體裝置的一個例子。示于同圖的半導體裝置1，粗分起來，由半導體器件2(半導體芯片)和多個突出電極4等構成。在半導體器件2的下表面上，例如，矩陣狀地形成了多個將成為外部端子的突出電極4。該突出電極4由于是用焊錫等的軟金屬形成的電極，所以易于受損傷，因而難于實施裝卸和測試。同樣，半導體器件2由于也是裸露芯片狀態，因而易于受損傷，因此和突出電極4一樣難于實施裝卸和測試。此外，要想把上述的半導體裝置1裝配到裝配基板5(例如，印刷布線基板)上去，如圖1(B)所示，首先，要在裝配基板5上形成已在半導體裝置1上形成的突出電極4。接著，如圖1(C)所示，在半導體器件2和裝配基板5之間裝填上所謂的填充區6(用帶點的區域表示)。該填充區6采用把比較具有流動性的樹脂填充到在半導體器件2與裝配基板5之間形成的間隙7(與突出電極的高度大致相等)中的辦法形成。設置這樣地形成的填充區6的目的，是為了防止突出電極4與裝配基板5的電極5a之間的接合部位，或突出電極4與半導體器件2的電極之間的接合部位，因基于半導體器件2和裝配基板5之間的熱膨脹之差而產生的應力，和因裝配時的熱而開放時所產生的加在半導體器件2與突出電極4之間的接合部上的應力而被破壞。如上所述，填充區6從防止突出電極4與裝配基板5之間的破壞(特別是電極與突出電極4之間的破壞)方面是有利的。然而，該填充區6由于必須填充到在半導體器件2與裝配基板5之間形成的狹窄的間隙7中去，故填充作業很麻煩，而且，均勻地把填充區6配置到整個間隙7中去是困難的。因此，存在著盡管形成了填充區6，但仍會產生在突出電極4與電極5a之間的接合部或者在突出電極4于半導體器件2的電極之間的接合部上的破壞，降低裝配中的可靠性的問題。另外，上述半導體裝置1，由于半導體器件2在露出到外部的狀態下被配到基板5上，所以存在著強度弱，因而可靠性降低的問題。再者，由于突出電極4的構成，是直接形成于已形成在半導體器件2的下表面上的電極焊盤上，所以電極焊盤的布局就原封不動地變成為突出電極4的布局。即，在上述的半導體裝置中，由于不能在其內部走布線，所以存在著將成為外部連接端子的突出電極4的布局自由度低的問題。
技術實現思路
本專利技術就是有鑒于上述那些問題而專利技術的，目的是提供一種可以提高半導體裝置的制造效率和可靠性的半導體裝置。此外，本專利技術的另一目的是提供一種可以提高半導體裝置的端子布局的自由度，同時可以改善可靠性的半導體裝置及其制造方法及其裝配構造。為了解決上述課題，本專利技術提供了一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導體器件；以及形成在半導體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。本專利技術還提供了一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導體器件；在半導體器件的表面上形成的、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分形成的外部連接用突出電極，上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。本專利技術提供的另一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導體器件；以及在半導體器件的表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層，上述半導體器件的外周部分比中央部分薄。本專利技術提供的又一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個突出電極的半導體器件；以及在半導體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；上述突出電極由在突出的核心部分的表面上形成的導電膜和上述核心部分的表面所形成。本專利技術提供的再一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有至少一個突出電極的半導體器件；在半導體器件的上述表面上形成的剩下上述突出電極的頂端部分來密封上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分上形成的外部連接用突出電極，上述突出電極由突出的核心部分和在上述核心部分表面上形成的導電膜所形成。在本專利技術的半導體裝置的制造方法中，其特征是具備下述工序樹脂密封工序，用于把已形成了已配設有突出電極的多個半導體器件的基板裝設到模具內，接著，向上述突出電極的配設位置上供給樹脂，把上述突出電極和上述基板用上述樹脂密封，形成樹脂層；突出電極露出工序，用于用上述樹脂使上述突出電極的至少頂端部分露出來；分離工序，用于與上述樹脂層一起切斷上述基板以分離成一個一個的半導體器件。倘采用該構成，通過實施樹脂密封工序，因為是脆弱的，故難裝卸、測試的突出電極將變成已用樹脂層進行了密封的狀態。該樹脂層起到保護表面和緩和在半導體器件的電極與突出電極之間的接合部上所發生的應力的作用。在接下來的突出電極露出工序中，進行使突出電極的至少是頂端部分露出來的處理。因此，在突出電極露出工序結束后的狀態下，突出電極將變成可以與外部的電路基板等電連的狀態。在接下來實施的分離工序中，與樹脂層一起切斷已形成了樹脂層的基板以分離成一個一個的半導體器件。這樣一來，就完成了各個半導體器件。這樣一來，由于樹脂層是在樹脂密封工序中形成的，所以在裝配半導體裝置之際，不需要再進行填充區填充處理，因此可以使裝配處理變得容易起來。還有，將成為樹脂層的密封樹脂，由于不是供給到半導體裝置與裝配基板之間的窄地方而是供給到基板的突出電極的配設面部上并用模具模鑄成型，所以可以在整個突出電極的配設面上確實地形成樹脂層。這樣一來，由于對于所有的突出電極，樹脂層起著保護作用，所以可以確實地防止在加熱時突出電極與裝配基板的電極之間的接合部及突出電極與半導體器件之間的接合部的破壞，可以改善可靠性。附圖說明圖1是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的樹脂密封工序，和作為本專利技術的實施例1的半導體裝置制造用模具的說明圖。圖1A～圖1C是說明現有的半導體裝置及其制造方法的一個例子的說明圖。圖2是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。圖3是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。圖4是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。圖5是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的樹脂密封工序的說明圖。圖6是用于說明作為本專利技術的實施例1的半導體裝置的制造方法的突出電極露出工序的說明圖。(A)示出了樹脂密封工序結束后的基板，(B)是用(A)的箭頭A示出的部分的擴大圖。圖7是用于說明作為本專利技術的本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種半導體裝置，其特征是具備：　　　　在表面上形成有突出電極的半導體器件；以及　　　　形成在半導體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；　　　　上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。

【技術特征摘要】
JP 1996-7-12 183844/1996;JP 1996-10-18 276634/19961.一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導體器件；以及形成在半導體器件的表面上、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。2.權利要求1所述的半導體裝置，其特征是安置有上述半導體器件的一側上的導電膜的頂端部分電連接于上述半導體器件。3.權利要求1所述的半導體裝置，其特征是上述核心部分包括彈性樹脂。4.權利要求3所述的半導體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。5.一種半導體裝置，其特征是具備在表面上形成有突出電極的半導體器件；在半導體器件的表面上形成的、密封住除了突出電極的頂端部分的上述突出電極的樹脂層；以及在從上述樹脂層中已露出來的上述突出電極的頂端部分形成的外部連接用突出電極，上述突出電極具有核心部分和在上述突出的核心部分表面上形成的導電膜。6.權利要求5所述的半導體裝置，其特征是安置有上述半導體器件的一側上的導電膜的頂端部分電連接于上述半導體器件。7.權利要求6所述的半導體裝置，其特征是上述核心部分包括彈性樹脂。8.權利要求7所述的半導體裝置，其特征是上述彈性樹脂是聚酰亞胺。9.一種半導體裝置，其特征是具備在...

【專利技術屬性】
技術研發人員：深澤則雄，川原登志實，森岡宗知，大澤滿洋，松木浩久，小野寺正德，河西純一，丸山茂幸，竹中正司，新間康弘，佐久間正夫，鈴木義美，
申請(專利權)人：富士通株式會社，
類型：發明
國別省市：JP[日本]