面內切換型液晶顯示器件及其制造方法和陣列基板技術

用于面內切換型液晶顯示器件的陣列基板及其制造方法。一種面內切換型液晶顯示器件，包括：基板；所述基板上的多條選通線，所述選通線為之字形；位于所述選通線的相鄰對之間的多條第一公共線，所述多條第一公共線為之字型；多條數據線，與所述選通線和第一公共線相交叉，以限定多個像素區；薄膜晶體管，與所述選通線中的一個和所述數據線中的一個相連；從所述第一公共線延伸出的多條輔助公共線，所述多條輔助公共線平行于所述數據線；從所述多條輔助公用線延伸出的多個公共電極，所述多個公共電極平行于所述第一公共線；與所述薄膜晶體管相的多條像素線；以及從所述多條像素線延伸出的多個像素電極，所述多個像素電極與所述多個公共電極平行且相交替。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及液晶顯示器件，更具體地，涉及。
技術介紹
通常，液晶顯示器件使用液晶分子的光各向異性和偏振性來產生圖像。由于液晶分子的光各向異性，入射在液晶分子上的光的折射依賴于液晶分子的排列方向。液晶分子具有長且薄的形狀并能夠沿特定的方向排列。可以通過施加電場來控制液晶分子的排列方向。因而，液晶分子的排列根據所施加的電場的方向而改變。因此，通過正確地控制施加到各像素區中的液晶分子組的電場，就可通過適當地折射入射光來產生期望的圖像。有幾種類型的LCD器件，通常將其中的一種稱為有源矩陣LCD(AM-LCD)器件。AM-LCD器件包括形成矩陣的像素陣列。AM-LCD器件中的每個像素包括薄膜晶體管(TFT)和像素電極。AM-LCD器件因其具有高分辨率和可顯示移動圖片的優異品質，而在目前正被開發。現有技術的LCD器件包括具有公共電極的濾色器基板、具有像素電極的陣列基板，以及設置在濾色器基板與陣列基板之間的液晶層。在現有技術的LCD器件中，通過像素電極與公共電極之間的垂直電場來驅動液晶層。現有技術LCD器件提供了良好的透光性和高的孔徑比。然而，現有技術的LCD器件因其由垂直電場驅動而具有窄的視角。已經開發了具有寬視角的其它類型的各種LCD器件，例如面內切換(IPS)型LCD器件。圖1是根據現有技術的IPS型LCD器件的示意性剖面圖。參照圖1，上基板9和下基板10相互面對并彼此分開。在上基板與下基板之間設置有液晶層11。通常將上基板9和下基板10分別稱為濾色器基板和陣列基板。在下基板10上形成有公共電極17和像素電極30。液晶層11由公共電極17與像素電極30之間的橫向電場“L”驅動。由于液晶層11中的液晶分子在將它們的縱軸維持在與顯示器的直視方向相垂直的平面內時會改變方向，所以IPS可為顯示器件提供寬的視角。例如，從與IPS-LCD板垂直的線，沿垂直和水平方向，視角的范圍可以為80到85度。圖2A是現有技術的面內切換型液晶顯示器在接通(ON)狀態下的示意性剖面圖。參照圖2A，對像素電極30和公共電極17施加電壓，以產生具有水平部分和垂直部分的電場L。在電場L的位于像素電極30和公共電極17上方的垂直部分中，液晶顯示層11的第一液晶分子11a不因電場L而重新排列，不會發生液晶層11的狀態轉變。在電場L的位于像素電極30與公共電極17之間的水平部分中，液晶層11的第二液晶分子11b利用電場L水平地重新排列。因此，在電場L的水平部分發生液晶層11的狀態轉變。由于利用電場L的水平部分使液晶分子重新排列，所以IPS型LCD具有寬的視角。例如，沿著關于IPS型LCD器件的法線方向的上、下、左、右方向，用戶能夠以大約80°到85°的視角觀看圖像。圖2B是現有技術的面內切換型液晶顯示器在關斷(OFF)狀態下的示意性剖面圖。參照圖2B，在IPS型LCD器件處于關斷狀態時，不產生水平電場。因此，液晶分子11沒有重新排列。因此不發生液晶層11的狀態轉變。圖3是現有技術的用于IPS型LCD器件的陣列基板的平面圖。參照圖3，在基板10上形成有相互交叉的選通線12和數據線24。在選通線12和數據線24的各交叉點附近布置有薄膜晶體管(TFT)Tr。TFT Tr包括柵極14、有源層20、源極26和漏極28。源極26與數據線24相連，而柵極14是選通線12的一部分。像素區P由相交叉的選通線12和數據線24限定。平行于數據線24的多個像素電極30通過與漏極28相連的第一像素線29a與TFT Tr相連。像素電極30還與第二像素線29b相連。另外，從與選通線12平行的公共線16延伸出多個公共電極17。公共電極17與數據線24平行，并與像素電極30交替。然而，在現有技術IPS型LCD器件中，可能出現諸如灰度反轉等問題。為解決這些問題，已經提出了具有V形的公共電極和像素電極的IPS型LCD器件。圖4是用于IPS型LCD器件的現有技術的陣列基板的示意性平面圖。參照圖4，在基板31上相互平行地形成有選通線32和公共線42。V型的數據線50與選通線32和公共線42相交叉以限定像素區。在選通線32和數據線50的交叉處形成有薄膜晶體管(TFT)Tr。另外，在像素區中從公共線42延伸出多個V型的公共電極45。公共電極45彼此分離。在公共電極45之間的間隔中布置有多個像素電極62。像素電極62也是V型，并與TFT Tr相連。公共電極45由輔助公共線43接合而形成閉合結構。公共線42和與選通線32相鄰的輔助公共線43分別用作第一和第二屏蔽裝置SA1和SA2，它們防止了由選通線32導致的對電場的干擾。像素電極62也具有閉合結構。由于多個公共電極45和多個像素電極62為V型，所以可以將像素區分為兩個部分，在這些部分中所產生的電場的方向不同。因而，液晶分子可在像素區的這兩個部分中沿兩個不同的方向重新排列，從而形成兩域結構。在這種兩域結構中，由于可對這兩個部分中的雙折射進行補償，所以可以使色彩偏移現象達到最小，并增大了無灰度反轉的面積。然而，在現有技術的帶有V型公共電極和像素電極的IPS型LCD器件中，與數據線50相鄰的最外側的公共電極45a和45b具有超過10μm的寬度cw以使垂直串擾現象達到最小。此外，需要第一和第二屏蔽裝置SA1和SA2來防止由于選通線32導致的對電場的干涉。因此，減小了孔徑比。圖5是示出了在現有技術的IPS型LCD器件的一個像素區中的透光性的模擬曲線圖。如圖5所示，現有技術的具有V型公共電極和像素電極的IPS型LCD器件具有另一缺點。具體地，在像素電極或公共電極的彎曲部分處(即兩個域的邊界線處)有效透光性會下降。因此，降低了IPS型LCD器件的亮度。圖6是現有技術的IPS型LCD器件的數據線的示意性平面圖。參照圖6，沿垂直方向布置數據線50。與數據線50相平行地布置公共電極45和像素電極62。公共電極45彼此分離，并與像素電極62相交替。用于確定液晶層的初始取向的配向層可能具有相對于垂直方向大約20°角的取向方向。因此，可以使液晶分子的長軸沿配向層的取向方向排向。當通過數據線50向像素電極62施加了數據信號時，在像素電極62與公共電極45之間產生第一電場“Eo”，并在數據線50與公共電極45之間產生第二電場“Ed”。由于數據線50和像素電極62平行于公共電極45，所以第一電場“Eo”平行于第二電場“Ed”。因此，驅動液晶層的總電場“E”是第一電場“Eo”和第二電場“Ed”之和，即E＝Eo+Ed。為了使由于第二電場“Ed”導致的對總電場“E”的干涉最小，可以將最外側的公共電極45形成為具有第一寬度“W1”，從而使第二電場“Ed”與第一電場“Eo”充分分隔。例如最外側的公共電極45可具有在約為10μm到15μm范圍內的第一厚度“W1”。
技術實現思路
因此，本專利技術致力于一種，其基本消除了由于現有技術的局限和缺點產生的一個或多個問題。本專利技術的一個目的是提供一種具有高孔徑比的面內切換型液晶顯示器件的陣列基板。本專利技術的另一個目的是提供一種具有高亮度的面內切換型液晶顯示器件的陣列基板。本專利技術的另一個目的是提供一種制造具有高孔徑比的面內切換型液晶顯示器件的陣列基板的方法。本專利技術的另一個目的是提供一種制造具有高亮度的面內切換型液晶顯示器件的陣列基板的方法。將在以本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種面內切換型液晶顯示器件，包括：基板；所述基板上的多條選通線，所述選通線為之字形；位于所述選通線的相鄰對之間的多條第一公共線，所述多條第一公共線為之字型；　多條數據線，與所述選通線和第一公共線相交叉，以限定 多個像素區；薄膜晶體管，與所述選通線中的一個和所述數據線中的一個相連；從所述第一公共線延伸出的多條輔助公共線，所述多條輔助公共線平行于所述數據線；從所述多條輔助公用線延伸出的多個公共電極，所述多個公共電極平行于所述第 一公共線；與所述薄膜晶體管相連的多條像素線；以及從所述多條像素線延伸出的多個像素電極，所述多個像素電極與所述多個公共電極平行且相交替。

【技術特征摘要】
KR 2004-5-24 10-2004-00369071.一種面內切換型液晶顯示器件，包括基板；所述基板上的多條選通線，所述選通線為之字形；位于所述選通線的相鄰對之間的多條第一公共線，所述多條第一公共線為之字型；多條數據線，與所述選通線和第一公共線相交叉，以限定多個像素區；薄膜晶體管，與所述選通線中的一個和所述數據線中的一個相連；從所述第一公共線延伸出的多條輔助公共線，所述多條輔助公共線平行于所述數據線；從所述多條輔助公用線延伸出的多個公共電極，所述多個公共電極平行于所述第一公共線；與所述薄膜晶體管相連的多條像素線；以及從所述多條像素線延伸出的多個像素電極，所述多個像素電極與所述多個公共電極平行且相交替。2.根據權利要求1所述的器件，其中所述多條選通線的每一條被沿水平方向布置。3.根據權利要求1所述的器件，其中所述第一公共線具有與所述選通線相同的形狀。4.根據權利要求1所述的器件，其中所述薄膜晶體管包括柵極、半導體層、源極和漏極。5.根據權利要求1所述的器件，其中所述多條輔助公共線包括位于各個像素區中的相互分開的第一輔助公共線和第二輔助公共線。6.根據權利要求5所述的器件，其中所述第一輔助公共線和第二輔助公共線的寬度在大約5μm到大約10μm的范圍內。7.根據權利要求5所述的器件，其中所述公共電極將所述第一輔助公共線連接到所述第二輔助公共線。8.根據權利要求5所述的器件，其中所述多條像素線包括分別與所述第一輔助公共線和第二輔助公共線相交疊的第一像素線和第二像素線。9.根據權利要求8所述器件，還包括位于所述第一像素線與所述第一輔助公共線之間和位于所述第二像素線與所述第二輔助公共線之間的鈍化層。10.根據權利要求1所述的器件，其中所述多個公用電極和所述多個像素電極關于各條數據線對稱。11.根據權利要求10所述的器件，其中位于所述數據線的左側像素區中的所述公共電極與所述數據線之間的角度與位于所述數據線的右側像素區域中的所述公共電極與所述數據線之間的角度大小相同、方向相反。12.根據權利要求10所述的器件，其中位于所述數據線的左側像素區中的所述像素電極與所述數據線之間的角度與位于所述數據線的右側像素區域中的所述像素電極與所述數據線之間的角度大小相同、方向相反。13.根據權利要求1所述的器件，其中所述多條選通線包括第一選通線、第二選通線和第三選通線，并且在所述第一選通線和第二選通線之間布置有所述多條第一公共線，并且其中所述第一選通線與第二選通線之間的第一距離大于所述第二選通線與第三選通線之間的第二距離。14.根據權利要求13所述的器件，其中第一薄膜晶體管與所述第二選通線相連，第二薄膜晶體管與所述第三選通線相連，并且所述第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管共享源極。15.根據權利要求1所述的器件，其中所述公共電極中的...

【專利技術屬性】
技術研發人員：孫眩鎬，
申請(專利權)人：樂金顯示有限公司，
類型：發明
國別省市：KR[韓國]