陣列基板及其制造方法和采用該基板的顯示器技術

本發明專利技術涉及一種包括像素電極和反射層的陣列基板。像素電極具有在電場施加到ＬＣ層時可形成多個ＬＣ疇的開口或凸起。反射層形成于ＬＣ疇的邊界。多個ＬＣ疇使得ＬＣＤ具有寬視角。反射層使得疇邊界成為反射模式ＬＣＤ區域。ＬＣＤ可以具有好的顯示質量。

【技術實現步驟摘要】

本申請涉及一種液晶顯示器(LCD)，一種在背光或環境光的條件下能夠實現寬視角的陣列基板，以及該基板和該LCD的制造方法。
技術介紹
液晶顯示器(LCD)包括下基板、上基板和夾在上基板和下基板之間的液晶層。薄膜晶體管(TFT)形成于下基板上，并電耦合至像素電極、柵極電極和數據電極。上基板包括共電極和彩色濾光層。LCD通過對液晶(LC)層施加電場并控制透過液晶層的光強來顯示圖像。傳統的LCD相對于其它顯示器例如陰極射線管(CRT)或等離子體顯示板(PDP)具有較小的視角。垂直排列(VA)型的LCD具有大的視角。VA型LCD包括夾在上基板和下基板之間的垂直排列的液晶層，其中，液晶層具有負的介電各向異性。當上基板和下基板之間沒有施加電場時，LC分子基本上垂直于基板排列，且LCD顯示黑色。如果在上基板和下基板之間施加預定電場，LC分子基本上平行于基板排列，且LCD顯示白色。如果在上基板和下基板之間施加了比用于白色的電場弱的電場，LC分子傾斜于基板，則此時LCD顯示灰色。越來越多的中小型LCD采用了反射透射型液晶顯示。因此，在反射透射型LCD中一個驅動電壓用于反射模式，另一個驅動電壓用于透射模式。中小型LCD顯示越來越多的信息，因此，那些中小型LCD需要更寬的視角和更高的清晰度。
技術實現思路
本專利技術提供了一種通過利用LC層的疇界壁作為反射區域而提高顯示質量的陣列基板。本專利技術還提供了一種制造上述陣列基板的方法。本專利技術一個實施例提供了一種LCD，其具有LC層、第一基板和第二基板。在第一基板上形成共電極。在共電極上形成多個第一開口。在第二基板上形成像素電極。在像素電極上形成多個第二開口。在第二基板上形成反射層。LC層限制于第一基板和第二基板之間。反射層與第一開口和第二開口重疊。本專利技術通過重疊反射層與第一開口和第二開口來提高LCD的顯示質量。可以理解，上述概要的描述和以下的詳細描述均是示范性的和說明性的且旨在提供如權利要求的本專利技術的進一步的解釋。附圖說明附圖被包括來提供本專利技術的進一步的理解，且被引入且成為說明書的一部分。附圖示出了本專利技術的實施例，且與描述一起用于說明本專利技術的原理。圖1顯示一種反射透射型LCD的平面圖。圖2顯示一種PVA型LCD的平面圖。圖3顯示一種PVA型LCD的橫截面圖。圖4顯示本專利技術的實施例1的平面圖。圖5顯示圖4中A-A’方向的橫截面圖。圖6顯示圖4中LCD的LC分子的排列。圖7顯示圖4中LCD的透射特性。圖8、9、10、11、12和13顯示本專利技術實施例1的LCD制造工藝。圖14顯示本專利技術實施例2的平面圖。圖15顯示圖14的B-B’方向的橫截面圖。圖16、17、18、19、20和21顯示本專利技術實施例2的LCD制造工藝。圖22顯示本專利技術實施例3的平面圖。圖23顯示圖22的C-C’方向的橫截面圖。圖24、25、26、27、28和29顯示本專利技術實施例3的LCD制造工藝。圖30顯示本專利技術實施例4的平面圖。圖31顯示圖30的D-D’方向的橫截面圖。圖32、33、34、35、36和37顯示本專利技術實施例4的LCD制造工藝。具體實施例方式在下文中，參考圖1描述了反射透射型LCD的構思和原理。參考圖2和圖3也描述了PVA型LCD的構思和原理，這些構思和原理可以應用于本專利技術，即使在實施例中沒有描述細節。圖1顯示反射型LCD的陣列基板的一部分。多個掃描線10平行于橫向方向延伸。多個數據線14平行于縱向方向延伸。薄膜晶體管(TFT)具有從掃描線10延伸的柵極電極12；從數據線14延伸的源極電極16；與源極電極16分離的漏極18電極。漏極電極18與像素電極24電連接。反射區26和透射窗形成于像素電極24上。反射區域反射外部環境光。透射窗口透射背光。形成于反射區域26上的多個凹槽28和多個凸起29提高反射。這個例子顯示了一個像素區域中的透射窗口和反射部分。當LCD用作反射模式時，電壓施加于像素電極；當LCD用作透射模式時，另一電壓施加于像素電極來顯示相同的圖像。圖2和圖3為PVA型LCD的像素區域。部分像素電極層46被去除，因此在陣列基板中像素電極有一個開口，部分共電極62也被去除，且共電極62也具有開口。當對像素電極和共電極之間施加電場時，LC分子按照開口圖案旋轉，且LC分子形成LC疇。這些多個疇允許LCD具有寬的視角。因為在疇邊界的電場比疇區域內的電場弱，所以在疇邊界的發光效率低。如果反射層形成于疇邊界，并疇邊界以反射模式工作，則發光效率可以高很多。因為其它結構和材料與本專利技術的以下的實施例相似，所以這里省略詳細描述。標記如下作為參考像素電極46、共電極62、掃描線30、數據線36、柵極電極32、半導體層34、源極電極40和漏極電極42。實施例1圖4和圖5顯示陣列基板100、組裝到陣列基板100的LC層200和彩色濾光基板300以在陣列基板和濾光基板之間限定LC層200。陣列基板100包括透明基板105；橫向延伸的掃描線110；從掃描線110延伸的柵極電極112；由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)等形成的第一絕緣層117。第一絕緣層117覆蓋掃描線110和柵極電極112。陣列基板100還包括覆蓋柵極112的有源層114；縱向延伸的具有彎曲部分的數據線120，從數據線延伸的源極電極124和從源極電極124分開的漏極電極126。柵極電極112、有源層114、源極電極124和漏極電極126組成薄膜晶體管(TFT)。在像素區域數據線具有彎曲部分，且像素形成“V”形。掃描線110和數據線120可以由鉭(Ta)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、銅(Cu)或鎢(W)形成，掃描線110和數據線120可以形成雙層。Cr，Mo或鉬合金可以為下層，而Al或鋁合金可以為上層。陣列基板100還包括第二絕緣層130，第二絕緣層130覆蓋TFT并暴露部分的漏極126。第二絕緣層130保護TFT的溝道114不受污染和損傷。陣列基板100還包括像素電極140，像素電極140通過接觸孔132與漏極130電連接。像素電極140具有開口區域142，開口區域142暴露部分第二絕緣層130。開口區域142平行于掃描線110，相對于將像素區域分為兩個相等的部分軸線。開口區域142與延伸第一方向的數據線110大約為135度，與延伸第二方向的數據線大約為135度，其中第二方向與第一方向基本為90度。陣列基板100包括覆蓋像素電極140的開口區域142的反射區域160和于彩色濾光基板300上的共電極330的開口區域。在像素電極140和反射區域160之間可以有絕緣層150。彩色濾光基板300包括透明基板305；形成于透明基板305上的彩色濾光層310；保護彩色濾光層310的保護層320和形成于保護層320上的共電極330。彩色濾光基板300與陣列基板100組裝，以在彩色濾光基板300和陣列基板100之間限定LC層。LC層中的液晶分子垂直排列，共電極330在像素區域內具有開口圖案，共電極330中的開口圖案包括第一開口區域、第二開口區域和第三開口區域。第二開口區域幾乎是第一開口區域相對于平行于掃描線110的軸線的鏡像，且該軸線將像素區域分為兩個相等的部分。第三開口區域相應于該軸線。第一開口區域以約90度與第二開口區域臨接，第三開口區域與第一開口本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種陣列基板，包括：像素電極，具有開口或凸起；和反射層，與所述開口重疊。

【技術特征摘要】
KR 2004-4-16 26193/041.一種陣列基板，包括像素電極，具有開口或凸起；和反射層，與所述開口重疊。2.如權利要求1所述的陣列基板，其中所述反射層形成于所述像素電極上。3.如權利要求1所述的陣列基板，還包括透明夾層，于所述像素電極和所述反射層之間。4.如權利要求1所述的陣列基板，還包括掃描線，在第一方向延伸；數據線，在第二方向延伸且具有彎曲部分；V形像素區域，由所述掃描線和數據線界定；開關，形成于所述像素區域中，其中所述像素電極與所述開關耦合。5.如權利要求4中的陣列基板，其中所述V形以約90度彎曲，且所述開口是TFT。6.如權利要求1所述的陣列基板，還包括掃描線，在第一方向延伸；數據線，在第二方向延伸；像素區域，由所述掃描線和數據線界定；開關，形成于所述像素區域中，其中所述像素區域成形為矩形。7.如權利要求1中所述的陣列基板，還包括掃描線，在第一方向延伸；數據線，在第二方向延伸；開關，形成于由所述掃描線和數據線界定的像素區域中，其中所述數據線在所述像素區域中至少彎曲兩次。8.如權利要求7中所述的陣列基板，其中所述彎曲角度為約90度。9.如權利要求7中所述的陣列基板，其中所述像素電極在所述彎曲部分具有開口。10.如權利要求9中所述的陣列基板，其中所述反射層基本平行于所述數據線。11.如權利要求9中所述的陣列基板，其中所述反射區域從所述開關延伸至第一彎曲區域。12.一種制造陣列基板的方...

【專利技術屬性】
技術研發人員：金秦弘，金相日，蔡鐘哲，洪雯杓，洪性珍，申暻周，
申請(專利權)人：三星電子株式會社，
類型：發明
國別省市：KR[韓國]