一種電纜厚度/偏心度的測量方法及測量裝置制造方法及圖紙

本發(fā)明專利技術涉及一種電纜厚度/偏心度的測量方法及測量裝置，包括以下步驟：1)選取待測電纜片及適配的壓盤組件；2)待測電纜片固定于壓盤組件中；3)壓盤組件安裝在測量裝置的轉盤上；4)選用合適度數(shù)及個數(shù)的放大鏡，在放大鏡上十字交叉設置有第一校準線和第二校準線，再將放大鏡安裝在便攜式電纜測量裝置的置鏡架上；5)轉動轉盤，通過放大鏡的輔助，記錄標記線各個測量點的數(shù)值；6)根據(jù)公式計算電纜試片絕緣層和內(nèi)外半導電層的三個偏心度和三個偏離度。本發(fā)明專利技術無需在電纜片上現(xiàn)場畫測量點以及手動調準測量點；同時在放大鏡的輔助下，更加精準的測量記錄交點；通過旋轉轉盤即可實現(xiàn)同一個電纜片多次測量計算平均數(shù)，使得測量數(shù)據(jù)更具有科學性?？茖W性?？茖W性。

【技術實現(xiàn)步驟摘要】
一種電纜厚度/偏心度的測量方法及測量裝置


[0001]本專利技術屬于電纜檢測
，涉及電纜絕緣層厚度檢測技術，尤其是一種電纜厚度/偏心度的測量方法及其測量裝置。

技術介紹

[0002]傳統(tǒng)的偏心度測量依賴實驗室環(huán)境，檢測設備體積較大，造價較高，不能便攜；在傳統(tǒng)偏心度測量過程中，需通過人工判斷因素過多測量方法存在誤差；此外，傳統(tǒng)的電纜厚度測量結果對電纜絕緣性能指標涵蓋不全，無法保證檢測精準度以及檢測效率。
[0003]通過檢索未發(fā)現(xiàn)與本申請相關的專利文獻。

技術實現(xiàn)思路

[0004]本專利技術的目的在于克服現(xiàn)有技術的不足之處，本專利技術提供了一種電纜厚度/偏心度的測量方法及其測量裝置，該裝置利用轉盤、游刀以及觀測機構配合來計算游刀的移動距離，繼而推算電纜厚度尺寸，將游標卡尺、轉盤以及限位機構相結合，無需在電纜片上現(xiàn)場畫測量點以及手動調準測量點，大大提高了測量的效率；同時在觀測組件的輔助下，更加精準的測量記錄絕緣層和內(nèi)外半導電層與測量半徑的四個交點；通過旋轉轉盤即可實現(xiàn)同一個電纜片多次測量計算平均數(shù)，使得測量數(shù)據(jù)更具有科學性，而且測量裝置一體化設置，使得使用、搬運更加穩(wěn)定，且解決了搬運過程對精度的影響。
[0005]本專利技術解決其技術問題是采取以下技術方案實現(xiàn)的：
[0006]一種電纜厚度/偏心度的測量方法，其特征在于：包括以下步驟：
[0007]1)選取需要待測電纜片以及與其相適配的壓盤組件；
[0008]2)將待測電纜片固定于壓盤組件中；
[0009]需要待測的線纜片套裝在上壓片的限位凸柱上，然后將上壓片安裝在下壓片上，通過緊固螺栓，將待測電纜片平展固定設置在上壓片與下壓片之間；
[0010]3)將安裝完待測電纜片的壓盤組件安裝在便攜式電纜測量裝置的轉盤上；
[0011]將裝好待測電纜片的壓盤組件安裝在轉盤上；且轉盤上的標記線透射到壓盤組件內(nèi)的待測線纜片，從而確定了待測線纜片的多個定位測量點；
[0012]4)選用合適度數(shù)及個數(shù)的放大鏡,在放大鏡上十字交叉設置有用于校準重疊讀數(shù)的第一校準線和第二校準線，再將放大鏡安裝在便攜式電纜測量裝置的置鏡架上；
[0013]5)轉動轉盤將需要測量的標記線定位轉到靠近游刀一側，然后移動游刀，通過放大鏡的輔助，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的外半導電層的最外側相切的切線正投影為一條線，且其中一條標記線與鏡片上的第二校準線的正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xia，游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動，標記線與鏡片上的第二校準線的正投影一直保持一條線，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的外半導電層的內(nèi)側即絕緣層外側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xib,游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動,當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀
刃邊緣以及線纜片的絕緣層的內(nèi)側即內(nèi)導電層外側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xic,游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的內(nèi)導電層內(nèi)側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xid；
[0014]6)定位轉動轉盤，采用與步驟5)相同方法測量待測線纜片N個不同標記線位置的測量點的數(shù)值，通過以下公式分別計算出外半導電層厚度
△
X1,
△
X2,
△
X3，
△
X4
……△
XN、絕緣層厚度為
△
Y1,
△
Y2,
△
Y3,
△
Y4
……△
YN和內(nèi)半導電層厚度
△
Z1,
△
Z2,
△
Z3,
△
Z4
……△
ZN；外半導電層的半徑A1,A2,A3,A4
……
AN；絕緣層的半徑B1,B2,B3,B4
……
BN；內(nèi)半導電層的半徑C1,C2,C3,C4
……
CN具體公式如下：
[0015]△
Xi＝Xia
?
Xib；
△
Yi＝Xib
?
Xic；
△
Zi＝Xic
?
Xid；Ai＝Xia；Bi＝Xib；Ci＝Xic；(其中，1≤i≤N，且i為對應所測量的標記線對應的標號)；
[0016]再根據(jù)公式計算絕緣層和內(nèi)外半導電層的三個偏心度和三個偏離度：
[0017][0018][0019][0020][0021][0022][0023]步驟(1)所述的壓盤組件包括上壓片、下壓片以及緊固螺栓，所述上壓片與下壓片均為圓片，且上壓片的下表面同軸制有限位凸臺，中心同軸制有定位通孔；所述下壓片的上表面同軸制有與下壓片的限位凸臺相適配的凹槽，在該限位凹槽中心同軸制有螺紋孔，所述緊固螺栓包括螺桿以及安裝在螺桿一端的螺帽，所述螺桿上半段為光滑桿，下半段為螺紋桿，上壓片安裝在下壓片上，通過緊固螺栓，將待測電纜片固定設置在壓盤組件內(nèi)，所述下壓片下表面中心處還制有插孔。
[0024]步驟(3)所述的便攜式電纜測量裝置包括游標卡尺、轉盤以及觀測機構，所述游標卡尺包括測量本體、固定塊以及游刀，所述游刀水平滑動安裝在測量本體上，所述測量本體一端為起始端，設置刻度“0”，對應該“0”刻度位置的測量本體的側壁上還固裝有一固定塊，在該固定塊上通過轉軸轉動安裝有用于安裝待測電纜片的轉盤，所述游刀的刀刃朝向待檢測電纜片，且游刀上還設置有觀測機構，推動游刀，通過觀測機構讀取記錄電纜絕緣厚度。
[0025]而且，所述轉盤包括圓盤，所述圓盤上表面中心處同軸設置有用于限位安裝壓盤
組件的定位插柱，所述圓盤上表面徑向設置有多條標記線，并且每條標記線均標記有對應的數(shù)字，且每兩條相鄰標記線之間的夾角相同。
[0026]而且，所述觀測機構包括置鏡架以及放大鏡，所述置鏡架上水平疊裝有多個放大鏡。
[0027]而且，所述置鏡架包括立柱、架體以及多個承插框架，所述立柱上通過連接環(huán)可拆卸安裝有一架體，所述架體包括側板以及水平支撐板，所述側板一側均布間隔垂直安裝有多個水平支撐板，每個水平支撐板上均設置有承插框架，對應所述承插框架位置的側板上還水平安裝有一限位插柱，所述限位插柱伸入承插框架內(nèi)。
[0028]而且，所述轉盤的圓周側壁上均制限位凹槽，每個限位凹槽均與每條標記線一一對應；所述固定塊上部的測量本體的側壁上還設置有限位機構，所述限位機構包括限位擋塊、彈簧以及限位球，所述彈簧安裝在測量本體的側壁上，彈簧的一端設置限位球，所述限位擋塊設置在彈簧兩側的固定塊上，所述限位球位于擋塊一側，且與轉盤的限位凹槽卡裝。
[0029]而且，所述壓盤組件的上壓片和下壓片均由透明亞克力材質制成。
[0030]本專利技術的優(yōu)點和積極效果是：
[0031]本專利技術結構簡單、設計新穎，攜帶便捷，擺脫檢測環(huán)境本文檔來自技高網(wǎng)...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種電纜厚度/偏心度的測量方法，其特征在于：包括以下步驟：1)選取需要待測電纜片以及與其相適配的壓盤組件；2)將待測電纜片固定于壓盤組件中；需要待測的線纜片套裝在上壓片的限位凸柱上，然后將上壓片安裝在下壓片上，通過緊固螺栓，將待測電纜片平展固定設置在上壓片與下壓片之間；3)將安裝完待測電纜片的壓盤組件安裝在便攜式電纜測量裝置的轉盤上；將裝好待測電纜片的壓盤組件安裝在轉盤上；且轉盤上的標記線透射到壓盤組件內(nèi)的待測線纜片，從而確定了待測線纜片的多個定位測量點；4)選用合適度數(shù)及個數(shù)的放大鏡,在放大鏡上十字交叉設置有用于校準重疊讀數(shù)的第一校準線和第二校準線，再將放大鏡安裝在便攜式電纜測量裝置的置鏡架上；5)轉動轉盤將需要測量的標記線定位轉到靠近游刀一側，然后移動游刀，通過放大鏡的輔助，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的外半導電層的最外側相切的切線正投影為一條線，且其中一條標記線與鏡片上的第二校準線的正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xia，游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動，標記線與鏡片上的第二校準線的正投影一直保持一條線，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的外半導電層的內(nèi)側即絕緣層外側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xib,游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動,當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的絕緣層的內(nèi)側即內(nèi)導電層外側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xic,游刀繼續(xù)向待測線纜片內(nèi)側移動，當放大鏡的鏡片上的第一校準線與游刀的刀刃邊緣以及線纜片的內(nèi)導電層內(nèi)側相切的切線正投影為一條線，記錄該測量點的數(shù)值Xid；6)定位轉動轉盤，采用與步驟5)相同方法測量待測線纜片N個不同標記線位置的測量點的數(shù)值，通過以下公式分別計算出外半導電層厚度
△
X1,
△
X2,
△
X3，
△
X4
……△
XN、絕緣層厚度為
△
Y1,
△
Y2,
△
Y3,
△
Y4
……△
YN和內(nèi)半導電層厚度
△
Z1,
△
Z2,
△
Z3,
△
Z4
……△
ZN；外半導電層的半徑A1,A2,A3,A4
……
AN；絕緣層的半徑B1,B2,B3,B4
……
BN；內(nèi)半導電層的半徑C1,C2,C3,C4
……
CN具體公式如下：
△
Xi＝Xia
?
Xib；
△
Yi＝Xib
?
Xic；
△
Zi＝Xic
?

【專利技術屬性】
技術研發(fā)人員：馬春曉，楊旭波，楊驍，張克汛，滕雨蔓，趙斌，張冬冬，孫雪薇，宋博，
申請(專利權)人：國家電網(wǎng)有限公司，
類型：發(fā)明
國別省市：