【技術實現步驟摘要】
本技術涉及電子元器件，是一種高壓整流二極管，具體地說，是一種改進的高壓硅堆。
技術介紹
高壓硅堆是許多電器設備中必不可少的電子元件，如微波爐、電視機高壓包、工業電器等。現有的高壓硅堆，通常體積比較大，這主要是由于其中所采用的芯片一般為10片左右，每片的平均VR為1500V左右。因此，造成加工工藝較為復雜，工藝難度也相應較大，成本高。
技術實現思路
本技術的目的是提供一種體積小，成本低，相應售價低，大大簡化了工藝細節，降低了工藝難度，更適合于大批量生產的高壓硅堆。本技術的技術解決方案是一種高壓硅堆，有芯片，芯片與導線連接，其特征是芯片有2～4片，在芯片外有封裝體。本技術中所述的芯片可以為2片。每片芯片的VR采用5000V左右。本技術的有益效果為體積小，成本低，相應售價低，大大簡化了工藝細節，降低了工藝難度，更適合于大批量生產，壓降小，功耗低。以下結合附圖和實施例對本技術作進一步的說明附圖說明圖1為原有的高壓硅堆的結構示意圖；圖2為本技術的高壓硅堆的結構示意圖。圖1描述了現有的一種高壓硅堆，在圖中，有芯片1，芯片1與導線3連接，芯片1有10片左右，在芯片1外有封裝體2。每片芯片1的VR采用1500V左右。圖2描述了本技術的高壓硅堆，在圖中，也有芯片1，芯片1與導線3連接，與現有的高壓硅堆不同的是芯片為4片(或2～4片)，在芯片1外有封裝體2。每片芯片1的VR采用5000V左右。所述的芯片1可減少為片。以最大限度地減少體積。
【技術保護點】
一種高壓硅堆，有芯片，芯片與導線連接，其特征是：芯片有２～４片，在芯片外有封裝體。
【技術特征摘要】
1.一種高壓硅堆，有芯片，芯片與導線連接，其特征是芯片有2～4片，在芯片外有封裝體。2.根據權利要求1所述...
還沒有人留言評論。發表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。