非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置制造方法及圖紙

本實用新型專利技術是一種非晶系ＡｌＩｎＧａＮ（氮化鋁銦鎵）發光二極管裝置，其是在一氮化鎵或藍寶石的基材上，用汽相成長方式形成多層單晶系或多晶系化合物半導體層，分別加入ｉ型、ｐ型及／或ｎ型雜質，以形成發光二極管組件結構，實現高發光率效果。（*該技術在2011年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

專利
本技術涉及一種非晶系AlInGaN(氮化鋁銦鎵)發光二極管裝置，其是將非晶系氮化鋁銦鎵(AlInGaN)發光二極管組件的第一p型非晶系化合物半導體層上依序形成一p型單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層及一n型單晶或多晶系化合物半導體層，在n型非晶系化合物半導體層上依序形成一p/n單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層及一第一p型單晶或多晶系化合物半導體層。但是，其并不能適用在單晶系或多晶系AlInGaN發光二極管。本技術的另一目的，在于提供一可完成高發光率效果的發光二極管組件結構，其是將非晶系AlInGaN發光二極管裝置之n型非晶系化合物半導體層上依序形成一p/n單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層及一第一p型單晶或多晶系化合物半導體層。為實現上述目的，本技術提出一種非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置，其在一p型氮化鏡基板上依序形成一第一p型非晶系化合物半導體層、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層及一n型單晶或多晶系化合物半導體層；借此，以形成發光二極管組件結構，達成高發光率效果。一種非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置，其在一藍寶石基材上依序形成一第一n型非晶系化合物半導體層、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層及一第一p型單晶或多晶系化合物半導體層。借此，以形成發光二極管組件結構，達成高發光率效果。綜上所述，通過本技術非晶系AlInGaN發光二極管裝置的結構，可形成高發光率。請參閱圖3，是本技術非晶系AlInGaN發光二極管裝置的第一實施例的結構圖。其是在一p型氮化鎵基板100上，用汽相成長等方式依序成長一第一p型非晶系化合物半導體層102、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層103、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層105、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層107及一n型單晶或多晶系化合物半導體層109。其中第一p型非晶系化合物半導體層102作為緩沖層；第二p型單晶或多晶系化合物半導體層103作為下側覆蓋層，單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層105作為發光層；p/n單晶或多晶系化合物半導體層107作為上側覆蓋層；n型單晶或多晶系化合物半導體層109作為電極，并提供p/n接面。上述p型雜質可為鋅、鎂、鈹、鍶及/或鎘。n型雜質可為硅、鍺、錫、硫、碲及/或硒。且在加入雜質后，可進行溫度600-1200℃，1-50分鐘的加熱，退火或是電子束射擊步驟(electron-beam shooting)。另外汽相成長氣體包含氨(ammonia)、聯胺(hydrazine)或氨一聯胺(ammonia-hydrazine)結合三甲基鋁(trimethyl aluminum)，并加入三甲基鎵(trimethyl gallium)及/或三乙基鎵(triethylgallium)。或是汽相成長氣體包含混合后使用的二乙基鋅(diethyl-zinc)、三甲基鋅(trimethyl-zinc)、三甲基銦(trimethyl-indium)、環戊二烯基鎂(cyclopentadienyl-magnesium)。請參閱圖4，是本技術非晶系AlInGaN發光二極管裝置的第二實施例的結構圖。其是在一藍寶石基材200上，用汽相成長等方式依序成長一第一n型非晶系化合物半導體層202、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層203、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層205、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層207及一第一p型單晶或多晶系化合物半導體層209。其中，n型非晶系化合物半導體層202作為緩沖層；p/n單晶或多晶系化合物半導體層203作為下側覆蓋層；單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層205作為發光層；第二p型單晶或多晶系化合物半導體層207作為上側覆蓋層；第一p型單晶或多晶系化合物半導體層209作為電極層并提供p/n接面。上述D型雜質可為鋅、鎂、鈹、鍶及/或鎘。n型雜質可為硅、鍺、錫、硫、碲及/或硒。且在加入雜質后，可進行溫度600-1200℃，1-50分鐘的加熱，退火或是電子束射擊步驟(electron-beam shooting)。另汽相成長氣體包含氨(ammonia)、聯胺(hydrazine)或氨-聯胺(ammonia-hydrazine)結合三甲基鋁(trimethyl aluminum)，并加入三甲基鎵(trimethyl galliuln)及/或三乙基鎵(triethyl gallium)。或是汽相成長氣體包含混合后使用的二乙基鋅(diethyl-zinc)、三甲基鋅(trimethyl-zinc)、三甲基銦(trimethyl-indium)、環戊二烯基鎂(cyclopentadienyl-magnesium)。以上所述，僅為本技術的最佳之一具體實施例，但本技術的構造特征并不局限于此，任何熟悉該項技術的人在本技術的領域內，可輕易思及的變化或修飾皆可被涵蓋在本技術的權利要求的保護范圍內。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置，其特征在于：在一ｐ型氮化鏡基板上依序形成一第一ｐ型非晶系化合物半導體層、一第二ｐ型單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一ｐ／ｎ單晶或多晶系化合物半導體層及一ｎ型單晶或多晶系化合物半導體層。

【技術特征摘要】
1.一種非晶系氮化鋁銦鎵發光二極管裝置，其特征在于在一p型氮化鏡基板上依序形成一第一p型非晶系化合物半導體層、一第二p型單晶或多晶系化合物半導體層、一單晶或多晶系化合物半導體雜質摻雜層、一p/n單晶或多晶系化合物半導體層及一n型單晶或多晶系化合物半導體層。...

【專利技術屬性】
技術研發人員：趙汝杰，
申請(專利權)人：趙汝杰，
類型：實用新型
國別省市：71[中國|臺灣]