具有隔離墻和超薄P*陽極的快軟恢復二極管芯片制造技術

一種具有隔離墻和超?。小郏蓐枠O的快軟恢復二極管芯片，屬快速整流器件技術領域。其目的是提供一種反向恢復時間短、反向恢復電荷少，正向通態電壓小、反向耐壓高、高溫特性好、動態參數優良的快軟恢復二極管芯片。其技術要點：芯片基區的周邊為無激光孔隔離區域，通過Ｐ型雜質源擴散形成隔離墻，無激光孔隔離區域的上端內側與陰極之間設置槽型玻璃鈍化臺面；且濃硼擴散區的厚度為１０－５０ｕｍ。由于芯片的基區周邊采用無激光孔的Ｐ型隔離區域，使Ｐ型雜質源在芯片的陰、陽極片周邊擴散，形成隔離墻；濃硼擴散區采用超薄陽極，使快軟恢復二極管的反向恢復時間達到５０－２００ｎｓ，而正向峰值電壓在１．４－２．５Ｖ范圍內。（*該技術在2017年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種改進的快軟恢復二極管芯片，屬快速整流器件技 術領域。技術背景中國專利200420109301.X公開了一種名稱為《整流二極 管、專用于制造整流二極管的芯片》，該專利在芯片的周邊垂直激光穿孔， 沉積P型雜質源，擴散形成隔離墻，并在隔離墻上端內側與陰極之間設置 有槽型鈍化臺面，將芯片的陽極電壓通過P型隔離墻的導體作用引至與陰 極同一平面上來，其雖然較好地解決了傳統整流二極管芯片陰、陽電極焊 接容易短路的缺陷，但是，由于濃硼擴散區P+層較厚(80—100um)，這 一結構僅適用于普通整流二極管芯片。
技術實現思路
本技術的目的在于提供一種反向恢復時間短、反向恢復電荷少， 正向通態電壓小、反向耐壓高、高溫特性好、動態參數優良的具有隔離墻 和超薄P+陽極的快軟恢復二極管芯片。其技術方案是 一種具有隔離墻和超薄P+陽極的快軟恢復二極管芯 片，包括基區，依次設置在基區上面的磷擴散區和陰極，依次設置在基區 下面的濃硼擴散區和陽極，基區周邊與陰極和陽極之間設置的槽型玻璃鈍 化臺面，其特征在于所述基區的周邊為無激光孔隔離區域，通過P型雜 質源擴散形成隔離墻，無激光孔隔離區域的上端內側與陰極之間設置槽型玻璃鈍化臺面；且濃硼擴散區的厚度為10—50um。與現有技術相比，其技術效果是由于本快軟恢復二極管的基區周邊 釆用無激光孔的P型隔離區域，使P型雜質源在芯片的陰、陽極面周邊擴 散，形成隔離墻；同時，.由于濃硼擴散區采用超薄陽極，從而使臺面電壓 建立在隔離墻與陰極之間，使快軟恢復二極管的關鍵技術參數反向恢復 時間達到50—200ns，而正向峰值電壓在1.4-2.5V范圍內，實現了快軟 恢復二極管芯片反向恢復時間短、反向恢復電荷少，正向峰值電壓小、反 向耐壓高、高溫特性好、動態參數優良的目的。另外，由于基區周邊釆用 無激光孔的P型隔離區域和超薄型的濃硼擴散區，使其結構更為簡單，制 作更為簡便，還節省了原材料，降低了成本費用。附圖說明圖1為本技術結構示意圖。具體實施方式如圖1所示，快軟恢復二極管芯片，其芯片中間為基區N,依次設置 在基區上面的磷擴散區N+和陰極K (陰極K由多層金屬化構成)，依次設 置在基區下面的濃硼擴散區P +和陽極A (陽極A由多層金屬化構成)。濃 硼擴散區P+的厚度設定為10—50um，其最佳厚度為20—30um?；鶇^的 周邊采用無激光孔的隔離區域，使P型雜質源在芯片的陰、陽極片周邊擴 散，形成隔離墻。無激光孔的隔離區域上端內側與陰極之間設置槽型坡璃 鈍化臺面。槽型玻璃鈍化臺面的槽深為20—50um,最佳槽深為35um。本文檔來自技高網...

【技術保護點】
一種具有隔離墻和超薄Ｐ↑［＋］陽極的快軟恢復二極管芯片，包括基區Ｎ，依次設置在基區上面的磷擴散區Ｎ↑［＋］和陰極Ｋ，依次設置在基區下面的濃硼擴散區Ｐ↑［＋］和陽極Ａ，基區周邊與陰極和陽極之間設置的槽型玻璃鈍化臺面，其特征在于：所述基區Ｎ的周邊為無激光孔隔離區域，通過Ｐ型雜質源擴散形成隔離墻，無激光孔隔離區域的上端內側與陰極之間設置槽型玻璃鈍化臺面；且濃硼擴散區Ｐ↑［＋］的厚度為１０－５０ｕｍ。

【技術特征摘要】
1、一種具有隔離墻和超薄P+陽極的快軟恢復二極管芯片，包括基區N，依次設置在基區上面的磷擴散區N+和陰極K，依次設置在基區下面的濃硼擴散區P+和陽極A，基區周邊與陰極和陽極之間設置的槽型玻璃鈍化臺面，其特征在于所述基區N的周邊為無激光孔隔離區域，通過P型雜質源擴散形成隔離墻，無激光孔隔離區域的上端內側與陰極之間設置槽型玻璃鈍化臺面；且濃硼擴散區P+的厚度為10-50um。2、 根據權利要求1所述的一種具...

【專利技術屬性】
技術研發人員：王日新，
申請(專利權)人：王日新，
類型：實用新型
國別省市：34[中國|安徽]