一種硅的光傳感器制造技術

本實用新型專利技術公開了一種集成硅光電池的光傳感器芯片結構，它的每一單元Ｐ－ｎ結硅光電池均設置在一個無絕緣層復蓋的溝槽網格內。采用這樣的結構能夠顯著提高產品的性能與合格率。（*該技術在1999年保護過期，可自由使用*）

【技術實現步驟摘要】

本技術涉及一種適用于測量與控制技術的集成硅光電池的光傳感器。現有集成硅光電池的光傳感器，其芯片均為平面結構。圖1以P型硅作襯底(1)為例示意它的結構，其中每一單元P－n結光電池均設置在一個抗表面反型的P＋阻擋環(2)內。對于n型硅襯底的芯片，P－n結設在n＋阻擋環內。這樣的芯片結構對于材料和器件工藝的要求較高，較難獲得高合格率的高質產品。為了克服上述技術缺陷，本技術采用溝槽隔離結構，芯片中的每一單元P－n結硅光電池均設置在由無絕緣層復蓋的溝槽所包圍的一個網格之中。圖2為本技術一項實施例的結構示意圖，其中隔離網格(12)的溝槽深度超過硅光電池的P－n結深度，硅光電池的P－n結周邊(17)裸露在溝槽壁上，每個硅光電池表面有一環狀金屬上電極(14)，并在金屬上電極以外的表面復蓋有抗反射的透明膜(15)，芯片底部為各個硅光電池的共用下電極(16)。采用本技術集成硅光電池的光傳感器芯片結構，能夠顯著提高產品的性能與合格率。 附圖說明圖1為現有集成硅光電池的光傳感器芯片結構示意圖(以P型硅作襯底為例)。圖1(a)為俯視圖，圖1(b)為剖面圖，其中1為P型硅襯底，2為P＋阻擋環，3為P－n結表面，4為環狀金屬上電極，5為抗反射透明膜，6為下電極。圖2為本技術集成硅光電池的光傳感器一項實施例的芯片結構示意圖。圖2(a)為俯視圖，圖2(b)為剖面圖，其中11為硅襯底，12為溝槽網格，13為P－n結表面，14為環狀金屬上電極，15為抗反射透明膜，16為下電極，17為P－n結周邊。

【技術保護點】
一種集成硅光電池的光傳感器，其特征在于，芯片中的每一單元Ｐ—ｎ結硅光電池均設置在由無絕緣層復蓋的溝槽所包圍的一個網格中。

【技術特征摘要】
1.一種集成硅光電池的光傳感器，其特征在于，芯片中的每一單元P-n結硅光電池均設置在由無絕緣層復蓋的溝槽所包圍的一個網格中。2.按照權利要求1所述光傳感...

【專利技術屬性】
技術研發人員：李遠境，趙雅珠，
申請(專利權)人：中國科學院半導體研究所，
類型：實用新型
國別省市：11[中國|北京]