本發(fā)明專利技術(shù)公開(kāi)了一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，包括以下步驟：a.核對(duì)相位；b.導(dǎo)體焊接；c.內(nèi)屏蔽層恢復(fù)，將內(nèi)襯半導(dǎo)電布依次于各相導(dǎo)體線芯處纏繞，將內(nèi)屏蔽帶材纏繞至內(nèi)襯半導(dǎo)電布上，使得內(nèi)屏蔽帶材熔融成型；d.絕緣層恢復(fù)，將絕緣帶于各相內(nèi)屏蔽層處進(jìn)行纏繞，使得絕緣帶熔融成型；e.外屏蔽層恢復(fù)，將外屏蔽帶材于各相絕緣層處進(jìn)行纏繞，使得外屏蔽帶材熔融成型，從而形成外屏蔽層；f.金屬屏蔽層恢復(fù)，將半導(dǎo)電阻水帶纏繞至各相外屏蔽層外，安裝鉛套；g.外護(hù)層恢復(fù)，將外護(hù)套帶材纏繞至各相金屬屏蔽上，使得外護(hù)套熔融成型；h.鎧裝層恢復(fù)。本發(fā)明專利技術(shù)提供的制作工藝，成本低、質(zhì)量高、制作方便。低、質(zhì)量高、制作方便。低、質(zhì)量高、制作方便。
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝
[0001]本專利技術(shù)涉及電纜
，特別涉及一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝。
技術(shù)介紹
[0002]電纜是供電設(shè)備與用電設(shè)備之間的橋梁，起著傳輸電力的作用，應(yīng)用廣泛。現(xiàn)代生活和生產(chǎn)離不開(kāi)電力，因此，也就離不開(kāi)電纜。隨著電纜的廣泛使用，所需電纜附件的數(shù)量也越來(lái)越多，質(zhì)量也越來(lái)越高。
[0003]電纜的敷設(shè)過(guò)程中，當(dāng)電纜的長(zhǎng)度小于敷設(shè)長(zhǎng)度時(shí)，需要由兩段或多段電纜，通過(guò)連接，使電纜的導(dǎo)體線芯聯(lián)通而形成連續(xù)的電纜。電纜連接的接頭必須具備一定的絕緣和密封性能，符合電氣絕緣規(guī)定，結(jié)構(gòu)合理，適應(yīng)環(huán)境等要求。因此，接頭的施工制作及其質(zhì)量好壞直接關(guān)系到電纜線路運(yùn)行的穩(wěn)定和可靠性能。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，海底電纜的中間接頭中多為預(yù)制式接頭，導(dǎo)體通過(guò)銅管壓接連接，連接可靠性低，可承受的拉力小。各層厚度及體積均遠(yuǎn)大于電纜本體，整體厚度約為本體的2倍，為此帶來(lái)的各層熱阻都遠(yuǎn)大于本體，導(dǎo)致散熱效果差，熱損大，影響載流量。
[0005]三芯海底電纜的接頭相較于單芯電纜較為復(fù)雜，分相后各電纜間距很近，如果使用預(yù)制式接頭，會(huì)導(dǎo)致三個(gè)接頭緊挨，接頭點(diǎn)外徑過(guò)大，保護(hù)筒底部安裝好后不易施工。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足和缺陷，提供一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低、質(zhì)量高、制作方便，而且能夠直接在戶外應(yīng)用。
[0007]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本專利技術(shù)提供以下技術(shù)方案。
[0008]一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，包括以下步驟：
[0009]a.核對(duì)相位；兩段三芯電纜中通過(guò)支架將三個(gè)單芯分隔開(kāi)，再將兩段三芯電纜中的每一單芯的位置對(duì)應(yīng)設(shè)置；
[0010]b.導(dǎo)體焊接，通過(guò)焊接使兩段三芯電纜的每一單芯的導(dǎo)體線芯分別焊接在一起；
[0011]c.內(nèi)屏蔽層恢復(fù)，手工將內(nèi)襯半導(dǎo)電布依次于各相導(dǎo)體線芯處纏繞，然后將內(nèi)屏蔽帶材纏繞至內(nèi)襯半導(dǎo)電布上，其中內(nèi)屏蔽帶材的制成材料與三芯電纜中內(nèi)屏蔽層的制成材料相同，再對(duì)三相內(nèi)屏蔽帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，使得內(nèi)屏蔽帶材熔融成型，從而形成內(nèi)屏蔽層；
[0012]d.絕緣層恢復(fù)，對(duì)前面處理好的內(nèi)屏蔽層進(jìn)行清洗，手工將絕緣帶于各相內(nèi)屏蔽層處進(jìn)行纏繞，再同時(shí)對(duì)各相絕緣帶進(jìn)行加熱，使得絕緣帶熔融成型，從而形成絕緣層；
[0013]e.外屏蔽層恢復(fù)，對(duì)前面處理好的絕緣層進(jìn)行清洗，手工將外屏蔽帶材于各相絕緣層處進(jìn)行纏繞，其中外屏蔽帶材的制成材料與三芯電纜中外屏蔽層的制成材料相同，對(duì)三相外屏蔽帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，使得外屏蔽帶材熔融成型，從而形成外屏蔽層；
[0014]f.金屬屏蔽層恢復(fù)，首先將半導(dǎo)電阻水帶纏繞至各相外屏蔽層外，然后安裝鉛套；
[0015]g.外護(hù)層恢復(fù)，手工將外護(hù)套帶材纏繞至各相金屬屏蔽上，對(duì)外護(hù)套帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，對(duì)三相外護(hù)套同時(shí)進(jìn)行加熱，使得外護(hù)套熔融成型，從而形成外護(hù)層；
[0016]h.鎧裝層恢復(fù)，將兩段三芯電纜中上的支架取走，使得三個(gè)單芯復(fù)位，再在三個(gè)單芯之間放置填充條，再繞包鋼絲，從而形成鎧裝層。
[0017]本專利技術(shù)的有益效果為：本專利技術(shù)的制作工藝，先通過(guò)支架將三個(gè)單芯分隔開(kāi)，以便于對(duì)每個(gè)單芯分別進(jìn)行操作，再通過(guò)焊接使兩段三芯電纜的三個(gè)導(dǎo)體線芯焊接在一起，然后將電纜本體中內(nèi)屏蔽層同樣材料制作形成內(nèi)屏蔽帶材，再人工將內(nèi)屏蔽帶材繞包至導(dǎo)體外，再通過(guò)加熱元件將內(nèi)屏蔽帶材加熱熔融成型，恢復(fù)內(nèi)屏蔽層，再通過(guò)手工纏繞絕緣帶，再通過(guò)加熱元件將絕緣帶加熱熔融成型，恢復(fù)絕緣層，最后將電纜本體中外屏蔽層同樣材料制作形成外屏蔽帶材，再人工將外屏蔽帶材繞包至導(dǎo)體外，再通過(guò)加熱元件將外屏蔽帶材加熱熔融成型，用于恢復(fù)外屏蔽層，最后再將進(jìn)行繞包鋼絲，恢復(fù)鎧裝層，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中采用模具的恢復(fù)的方式，本申請(qǐng)直接通過(guò)加熱元件進(jìn)行加熱，取消了模具結(jié)構(gòu)，加工簡(jiǎn)單，能夠直接在戶外進(jìn)行作業(yè)，而且絕緣層的恢復(fù)，相對(duì)于現(xiàn)有的模具擠塑成型的方案而言，本申請(qǐng)手動(dòng)繞包的方式，使得絕緣帶與內(nèi)屏蔽層之間貼合緊密，能夠消除微孔，能夠?qū)㈦娎|高壓接頭處的內(nèi)屏蔽層、絕緣層、外屏蔽層熔接合成，從而能夠本體特征最接近，性能良好。
[0018]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，所述支架呈圓片狀，所述支架的外周設(shè)有三個(gè)分隔凹口，三個(gè)所述分隔凹口沿圓周分布。通過(guò)上述改進(jìn)，便于將三個(gè)單芯分隔開(kāi)。
[0019]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟a中，采用氬弧焊或氣焊的焊接技術(shù)制成的導(dǎo)體焊接點(diǎn)，使兩段三芯電纜導(dǎo)體線芯焊接在一起，焊接后將焊接點(diǎn)打磨光滑，使得焊接處的外徑與原電纜的導(dǎo)體外徑等徑。
[0020]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，步驟c中，內(nèi)屏蔽帶材纏繞完成后，再在外面繞包四氟帶以及錫紙，再通過(guò)高頻加熱設(shè)備加熱錫紙，從而對(duì)內(nèi)屏蔽帶材進(jìn)行加熱；在步驟d中，絕緣帶纏繞完成后，再在外面繞包四氟帶以及錫紙，再通過(guò)高頻加熱設(shè)備加熱錫紙，從而對(duì)絕緣帶進(jìn)行加熱；在步驟e中，外屏蔽帶材纏繞完成后，再在外面繞包四氟帶以及錫紙，再通過(guò)高頻加熱設(shè)備加熱錫紙，從而對(duì)外屏蔽帶材進(jìn)行加熱；在步驟g中，外護(hù)套帶材纏繞完成后，再在外面繞包四氟帶以及錫紙，再通過(guò)高頻加熱設(shè)備加熱錫紙，從而對(duì)內(nèi)屏蔽帶材進(jìn)行加熱。
[0021]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟b、步驟c、步驟d中，將溫控?zé)犭娕挤胖糜陔娎|接頭中間部位，進(jìn)行溫度檢測(cè)，當(dāng)溫度達(dá)到指定溫度時(shí)，高頻加熱設(shè)備停止升溫，并進(jìn)行保溫。通過(guò)上述改進(jìn)，便于實(shí)施控制溫度，并進(jìn)行保溫。
[0022]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟b中，將熔融成型后的內(nèi)屏蔽層進(jìn)行拋光處理；在步驟c中，將熔融成型后的絕緣層進(jìn)行打磨和拋光處理；在步驟d中，將熔融成型后的外屏蔽層進(jìn)行拋光處理。
[0023]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟e中，半導(dǎo)電阻水帶采用半搭接方式進(jìn)行繞包。
[0024]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟e中，將鉛套套設(shè)于半導(dǎo)電阻水帶外，再將鉛套一端與其中一段三芯電纜的鉛管進(jìn)行焊接，然后將鉛套拉至所需外徑，然后將鉛套另一端與其中另一段三芯電纜的鉛管進(jìn)行焊接，鉛套焊接完成后，把兩端的焊接點(diǎn)用防水帶進(jìn)行纏繞。
[0025]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟e中，將鉛層纏繞包裹于半導(dǎo)電阻水帶外，再用噴
槍加熱鉛條將鉛層與原三芯電纜中的鉛管完全密封。
[0026]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟h中，在鎧裝層形成后，在鎧裝層外周繞包PP繩以形成外被層。
[0027]作為本專利技術(shù)的一種改進(jìn)，在步驟h中，在步驟h中，鋼絲在繞包完成形成鎧裝層后，先在兩段三芯電纜外周分別設(shè)置連接環(huán)，并且兩段三芯電纜中的鎧裝層分別與相應(yīng)的連接環(huán)進(jìn)行焊接，再通過(guò)中間段的鎧裝層的兩端分別兩個(gè)連接環(huán)進(jìn)行焊接。
附圖說(shuō)明
[0028]圖1是本專利技術(shù)的電纜剖視結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]圖2是本專利技術(shù)的電纜整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0030]圖3是本專利技術(shù)的支架結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]圖中，1、單芯；11、導(dǎo)體；12、內(nèi)屏蔽層；13、絕緣層；14、外屏蔽層；15、金屬屏蔽層；16、外護(hù)層本文檔來(lái)自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
【技術(shù)特征摘要】
1.一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，其特征在于：包括以下步驟：a.核對(duì)相位；兩段三芯電纜中通過(guò)支架將三個(gè)單芯分隔開(kāi)，再將兩段三芯電纜中的每一單芯的位置對(duì)應(yīng)設(shè)置；b.導(dǎo)體焊接，通過(guò)焊接使兩段三芯電纜的每一單芯的導(dǎo)體線芯分別焊接在一起；c.內(nèi)屏蔽層恢復(fù)，手工將內(nèi)襯半導(dǎo)電布依次于各相導(dǎo)體線芯處纏繞，然后將內(nèi)屏蔽帶材纏繞至內(nèi)襯半導(dǎo)電布上，其中內(nèi)屏蔽帶材的制成材料與三芯電纜中內(nèi)屏蔽層的制成材料相同，再對(duì)三相內(nèi)屏蔽帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，使得內(nèi)屏蔽帶材熔融成型，從而形成內(nèi)屏蔽層；d.絕緣層恢復(fù)，對(duì)前面處理好的內(nèi)屏蔽層進(jìn)行清洗，手工將絕緣帶于各相內(nèi)屏蔽層處進(jìn)行纏繞，再同時(shí)對(duì)各相絕緣帶進(jìn)行加熱，使得絕緣帶熔融成型，從而形成絕緣層；e.外屏蔽層恢復(fù)，對(duì)前面處理好的絕緣層進(jìn)行清洗，手工將外屏蔽帶材于各相絕緣層處進(jìn)行纏繞，其中外屏蔽帶材的制成材料與三芯電纜中外屏蔽層的制成材料相同，對(duì)三相外屏蔽帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，使得外屏蔽帶材熔融成型，從而形成外屏蔽層；f.金屬屏蔽層恢復(fù)，首先將半導(dǎo)電阻水帶纏繞至各相外屏蔽層外，然后安裝鉛套，從而形成金屬屏蔽層；g.外護(hù)層恢復(fù)，手工將外護(hù)套帶材纏繞至各相金屬屏蔽上，對(duì)外護(hù)套帶材同時(shí)進(jìn)行加熱，對(duì)三相外護(hù)套同時(shí)進(jìn)行加熱，使得外護(hù)套熔融成型，從而形成外護(hù)層；h.鎧裝層恢復(fù)，將兩段三芯電纜中上的支架取走，使得三個(gè)單芯復(fù)位，再在三個(gè)單芯之間放置填充條，再繞包鋼絲，從而形成鎧裝層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，其特征在于：所述支架呈圓片狀，所述支架的外周設(shè)有三個(gè)分隔凹口，三個(gè)所述分隔凹口沿圓周分布。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，其特征在于：在步驟a中，采用氬弧焊或氣焊的焊接技術(shù)制成的導(dǎo)體焊接點(diǎn)，使兩段三芯電纜導(dǎo)體線芯焊接在一起，焊接后將焊接點(diǎn)打磨光滑，使得焊接處的外徑與原電纜的導(dǎo)體外徑等徑。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種三芯電纜中間繞包熔接式軟接頭的制作工藝，其特征在于：在步驟c中，內(nèi)屏蔽帶材纏繞完成后，再在外面繞包四氟帶以及錫紙，再通過(guò)高頻加熱設(shè)備加熱錫紙...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：俞順立，王方舒，劉明，劉曉巖，黃若彬，
申請(qǐng)(專利權(quán))人：寧波東方電纜股份有限公司，
類型：發(fā)明
國(guó)別省市：
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