一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒技術

本發明專利技術公開了一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒，涉及單晶爐技術領域。其包括以下步驟：步驟S1：獲取容納腔模型；步驟S2：從所述容納腔模型的外邊緣向所述容納腔模型的內邊緣，沿垂直于所述容納腔模型的外邊緣的方向，將所述容納腔模型劃分為多個環形層，步驟S3：制備與每個所述環形層對應的保溫氈層；步驟S4：將多個所述保溫氈層按照多個所述環形層的順序填充至所述容納腔中。本發明專利技術提供的一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒，能夠解決單晶爐內筒體日益升級而相應保溫材料不到位的問題，具有保溫效果理想，制作簡單、迅速、準確的優點。準確的優點。準確的優點。

【技術實現步驟摘要】
一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒


[0001]本專利技術涉及單晶爐
，具體涉及一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒。

技術介紹

[0002]導流筒是單晶爐熱場中的石墨器件之一，分為內外兩部分，中間形成容納腔，容納腔內可加入隔熱保溫層。
[0003]目前單晶爐導流筒內的隔熱保溫層多為固化氈，固化氈整體成型，具有與導流筒的容納腔相同的形狀。但是因技術升級，導流筒隨時都在發生變化，而導流筒內的固化氈，制作周期長，待使用時已過時，導致物料浪費，不能滿足導流筒日益升級變化的需要，而且固化氈導流筒成型制作工藝復雜，成本高，周期長。

技術實現思路

[0004]為了解決上述
技術介紹
中提到的至少一個問題，本專利技術提供了一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法以及導流筒，能夠解決單晶爐內筒體日益升級而相應保溫材料不到位的問題，具有保溫效果理想，制作簡單、迅速、準確的優點。
[0005]本專利技術提供的具體技術方案如下：
[0006]一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，包括：
[0007]步驟S1：獲取容納腔模型；
[0008]步驟S2：從所述容納腔模型的外邊緣向所述容納腔模型的內邊緣，沿垂直于所述容納腔模型的外邊緣的方向，將所述容納腔模型劃分為多個環形層；
[0009]步驟S3：制備與每個所述環形層對應的保溫氈層；
[0010]步驟S4：將多個所述保溫氈層按照多個所述環形層的順序填充至所述容納腔中。
[0011]可選地，所述容納腔模型為所述容納腔的數字模型。
[0012]可選地，所述步驟S1包括：
[0013]步驟S101：建立坐標系；
[0014]步驟S102：獲取導流筒的外筒體的內輪廓數據和導流筒的內筒體的外輪廓數據；
[0015]步驟S103：將所述外筒體的內輪廓數據和所述內筒體的外輪廓數據映射至所述坐標系內，獲取所述容納腔的數字模型；
[0016]可選地，所述步驟S102包括：采用制圖軟件提取所述外筒體和所述內筒體的設計圖紙，從而獲取所述外筒體的內輪廓數據和所述內筒體的外輪廓數據。
[0017]可選地，所述容納腔模型為所述容納腔的實體模型。
[0018]可選地，所述步驟S1包括：采用注塑工藝向所述容納腔內注模，以制成所述容納腔的實體模型。
[0019]可選地，所述環形層的厚度與相對應所述保溫氈的厚度相等。
[0020]可選地，所述步驟S3包括：
[0021]步驟S301：將每個所述環形層劃分為至少一個扇形層；
[0022]步驟S302：按照至少一個所述扇形層來切割所述保溫氈層。
[0023]本專利技術還提供了一種導流筒，包括外筒體、內筒體以及所述外筒體的內輪廓和所述內筒體的外輪廓圍成的容納腔，所述容納腔內填充有多個保溫氈層，多個所述保溫氈層與所述容納腔內的多個環形層彼此對應，多個所述環形層為：從所述外筒體的內輪廓向所述內筒體的外輪廓，沿垂直于所述外筒體的內輪廓的方向，將所述容納腔逐層劃分所得。
[0024]可選地，所述保溫氈為碳氈。
[0025]本專利技術提供的一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，通過建立單晶爐的外筒體和內筒體之間的容納腔模型，從所述容納腔模型的外邊緣向所述容納腔模型的內邊緣，沿垂直于所述容納腔模型的外邊緣的方向，將所述容納腔模型劃分為多個環形層，再制備與每個所述環形層對應的保溫氈層，再將多個所述保溫氈層按照多個所述環形層的順序填充至所述容納腔中。其在使用時，僅需將保溫氈層逐片鋪設放置入外筒體內，直至填充滿容納腔后，再放入內筒體即可。其能夠全部充斥導流筒內部空間，有效地減少了熱場內的熱量流失，加強了導流筒的保溫效果，增加了縱向溫度梯度，對晶棒的扭曲起到了良好的改善效果，保證了晶棒的正常生長。
[0026]本專利技術提供的一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，能夠解決單晶爐內筒體日益升級而相應保溫材料不到位的問題，具有保溫效果理想，制作簡單、迅速、準確的優點。
附圖說明
[0027]為了更清楚地說明本專利技術實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本專利技術的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是本專利技術提供的一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法的流程示意圖；
[0029]圖2是根據圖1所示的方法的獲取容納腔模型的流程示意圖；
[0030]圖3是根據圖1所示的方法的制備與每個環形層對應的保溫氈層的流程示意圖；
[0031]圖4是本專利技術提供的一種導流筒(未放置保溫氈層)的結構示意圖；
[0032]圖5是本專利技術提供的一種導流筒的結構示意圖；
[0033]圖6是圖5中的局部放大示意圖；
[0034]圖7是圖6中的局部放大示意圖；
[0035]圖8是根據本專利技術的方法的扇形模型的結構示意圖；
[0036]圖9是根據本專利技術的方法切割出的保溫氈層的結構示意圖。
具體實施方式
[0037]為使本專利技術的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本專利技術實施例中的附圖，對本專利技術實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本專利技術一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本專利技術中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本專利技術保護的范圍。
[0038]如圖1所示，本專利技術提供的一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，其保溫氈層
4用于填充于單晶爐的外筒體1和內筒體2之間的容納腔3內。一般性地，該方法可以包括以下步驟：
[0039]步驟S1：獲取容納腔模型；
[0040]步驟S2：從容納腔模型的外邊緣向容納腔模型的內邊緣，沿垂直于容納腔模型的外邊緣的方向，將容納腔模型劃分為多個環形層；
[0041]步驟S3：制備與每個環形層對應的保溫氈層；
[0042]步驟S4：將多個保溫氈層按照多個環形層的順序填充至容納腔3中。
[0043]具體地，容納腔模型為容納腔3的數字模型。在獲取容納腔模型時，可以采用如圖2所示的步驟：
[0044]步驟S101：建立坐標系；
[0045]步驟S102：獲取導流筒的外筒體1的內輪廓數據和導流筒的內筒體2的外輪廓數據；
[0046]步驟S103：將外筒體1的內輪廓數據和內筒體2的外輪廓數據映射至坐標系內，獲取容納腔3的數字模型。
[0047]即，對容納腔模型進行分層時，由于容納腔3整體形狀類似于上端直徑大、下段直徑小的筒狀結構，從容納腔模型的外邊緣向容納腔模型的內邊緣，沿垂直于容納腔模型的外邊緣的方向，將容納腔模型劃分為多個環形層。若干個環形層貼合在一起即組成容納腔模型(即容納腔3的形狀)。
[0048]如圖3所示，在步驟S3中，包括一下步驟：
[004本文檔來自技高網...

【技術保護點】

【技術特征摘要】
1.一種向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，其特征在于，包括：步驟S1：獲取容納腔模型；步驟S2：從所述容納腔模型的外邊緣向所述容納腔模型的內邊緣，沿垂直于所述容納腔模型的外邊緣的方向，將所述容納腔模型劃分為多個環形層；步驟S3：制備與每個所述環形層對應的保溫氈層；步驟S4：將多個所述保溫氈層按照多個所述環形層的順序填充至所述容納腔中。2.根據權利要求1所述的向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，其特征在于，所述容納腔模型為所述容納腔的數字模型。3.根據權利要求2所述的向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，其特征在于，所述步驟S1包括：步驟S101：建立坐標系；步驟S102：獲取導流筒的外筒體的內輪廓數據和導流筒的內筒體的外輪廓數據；步驟S103：將所述外筒體的內輪廓數據和所述內筒體的外輪廓數據映射至所述坐標系內，獲取所述容納腔的數字模型。4.根據權利要求2所述的向導流筒的容納腔填充保溫氈的方法，其特征在于，所述步驟S102包括：采用制圖軟件提取所述外筒體和所述內筒體的設計圖紙，從而獲取所述外筒體的內輪廓數據和所述內筒體的外輪廓數據。5.根...

【專利技術屬性】
技術研發人員：牛照倫，閆廣寧，董永見，
申請(專利權)人：寧晉晶興電子材料有限公司，
類型：發明
國別省市：