本實用新型專利技術公開了一種大通流電阻器,主要解決現有電阻器結構復雜,體積大,生產成本高,通流容量小等技術問題。本電阻器包括電阻器本體和封裝組件,電阻器本體包括金屬電阻體,依次設置在金屬電阻體一側的上支撐絕緣層、上絕緣層和上電極,依次設置在金屬電阻體另一側的下支撐絕緣層、下絕緣層和下電極;金屬電阻體邊緣任意兩處設有反向延伸的第一引出端和第二引出端;各支撐絕緣層和絕緣層上分別設置有引出端定位平臺;第一引出端與上電極側面電連接;第二引出端與下電極側面電連接。電阻器本體與封裝組件之間、金屬電阻體與電極之間、金屬電阻體的溝槽內部均填充有絕緣均熱材料,其熱傳導比通過空氣熱輻射散熱更快。熱傳導比通過空氣熱輻射散熱更快。熱傳導比通過空氣熱輻射散熱更快。
【技術實現步驟摘要】
一種大通流電阻器
[0001]本技術涉及電氣元件領域,尤其涉及一種大通流電阻器。
技術介紹
[0002]目前,在輸配電、脈沖功率、電源等行業,對大通流電阻器的需求越來越廣泛,而要實現大通流電阻器,必須采用截面積較大的電阻材料。通常金屬電阻材料的電阻率較低,在增大截面積后,若要達到一定的阻值,必須增加電阻材料的長度,同時還需考慮到支撐材料的設計,因此,必然導致電阻體積較大,生產成本也相應增加,即便如此,絲或膜式電阻器的通流面積往往也達不到沖擊電流的要求。此外,目前電氣設備整體向著智能化、小型化的方向發展,體積增加的方式會導致電阻器使用范圍受限,難以適應行業的高速發展。
技術實現思路
[0003]本技術提供了一種大通流電阻器,旨在解決現有電阻器結構復雜,體積大,生產成本高,通流容量小等技術問題。
[0004]為實現上述目的,本技術提供的一種大通流電阻器,包括電阻器本體,其特殊之處在于:所述電阻器本體包括金屬電阻體,依次設置在金屬電阻體一側的上支撐絕緣層、上絕緣層和上電極,依次設置在金屬電阻體另一側的下支撐絕緣層、下絕緣層和下電極;
[0005]所述金屬電阻體邊緣任意兩處設有反向延伸的第一引出端和第二引出端;
[0006]所述上支撐絕緣層、上絕緣層、下支撐絕緣層和下絕緣層上分別設置有引出端定位平臺;
[0007]所述第一引出端與上電極側面電連接;所述第二引出端與下電極側面電連接。
[0008]為增加電阻器的通路長度,所述金屬電阻體的第一引出端和第二引出端的位置夾角為180度。
[0009]為增加電阻器電路通過的截面積,所述金屬電阻體的表面設有交替錯開的溝槽。
[0010]進一步地,所述溝槽等間距設置,且溝槽內填充有絕緣均熱材料,可保證金屬電阻體在工作過程中均勻散熱。
[0011]為進一步保護電阻器,確保其安全穩定的工作,本技術的電阻器還包括套設于電阻器本體圓周側面的筒狀封裝組件。
[0012]為便于各部件快速組裝且縮小電阻器的體積,所述封裝組件包括封裝筒和封裝環;所述封裝筒為臺階筒結構,其套設在電阻器本體的圓周側面;所述封裝環嵌于封裝筒的大端端部與上電極之間。
[0013]為使組裝后的電阻器性能更穩定,本電阻器還包括灌封在封裝筒、電阻器本體、封裝環之間的絕緣均熱材料。
[0014]進一步地,所述封裝組件采用尼龍或環氧樹脂或硅橡膠制作,不僅能提高散熱和絕緣效果,且大幅度降低了制作成本。
[0015]為便于后期與其他電子器件連接,所述上電極和下電極的外側圓心處分別設有定
位孔。
[0016]為使電阻器達到需要的電阻值,同時為節約成本,所述金屬電阻體的材質為鎳鉻合金;為提高絕緣散熱效果同時降低成本,所述上支撐絕緣層和下支撐絕緣層為云母或瓷質材料;所述上絕緣層和下絕緣層的材質為聚酰亞胺;所述絕緣均熱材料為有機硅或絕緣油。
[0017]本技術的有益效果如下:
[0018]1、本技術的大通流電阻器通過給金屬電阻體設置反向延伸的第一引出端和第二引出端,來使電流完成由電阻體的一端到另一端的流向,增加了電流通路的長度,在電阻金屬板內可實現較高電阻值,同時兩個引出端的位置夾角是任意合適的角度,可以根據實際需要來確定夾角范圍,進而調出理想阻值。
[0019]2、本技術的大通流電阻器通過在金屬電阻體的表面設有等間距的溝槽,也增加了電阻通流路徑的長度,不僅能使電阻器達到所需阻值,且能滿足大電流沖擊所需的電阻橫截面尺寸,因此該電阻器體積小、通流容量大、散熱速度快,能夠有效確保產品安全可靠的運行。
[0020]3、本技術的大通流電阻器結構簡單,在同樣的體積設置下,本技術電阻器所采用的材料要遠少于常規金屬電阻,同時,使用常規絕緣支撐材料,成本也有所降低。
[0021]4、本技術的大通流電阻器本體與封裝組件之間、金屬電阻體與電極之間、金屬電阻體的溝槽內部均填充有絕緣均熱材料,其熱傳導比通過空氣熱輻射散熱更快。即金屬電阻體將熱量傳遞至絕緣均熱材料,絕緣均熱材料再將熱量傳遞至電極,最終將金屬電阻體的熱量均勻且快速通過電極傳遞到封裝組件外的環境中,可達到均勻散熱的目的,從而提高電阻器的使用壽命。
[0022]5、本技術的大通流電阻器摒棄絲、帶、膜等傳統金屬電阻制作形式,機械性能強且電阻有較高的持續功率,相比于常規的平面布置,本技術的電阻器通流容量大,電阻器可以設計的很小,且金屬電極端面可以承受更大的力(50kN以上)。
附圖說明
[0023]圖1為本技術一種大通流電阻器整體結構示意圖;
[0024]圖2為本技術一種大通流電阻器結構分解圖;
[0025]圖3為本技術一種大通流電阻器中金屬電阻體結構示意圖;
[0026]圖4為本技術一種大通流電阻器中金屬電阻體結構俯視圖;
[0027]圖5為本技術一種大通流電阻器中上支撐絕緣層結構俯視圖;
[0028]圖6為本技術一種大通流電阻器結構軸向剖視圖。
[0029]圖中:
[0030]1?
電阻器本體,2
?
上電極,21
?
定位孔,3
?
上絕緣層,4
?
上支撐絕緣層,41
?
引出端定位平臺,5
?
緊固螺栓,6
?
金屬電阻體,61
?
溝槽,62
?
第一引出端,621
?
第一通孔,63
?
第二引出端,631
?
第二通孔,7
?
下支撐絕緣層,8
?
下絕緣層,9
?
下電極,91
?
螺紋孔,10
?
封裝組件,11
?
封裝筒,12
?
封裝環,13
?
絕緣均熱材料。
具體實施方式
[0031]本技術提供一種不增加體積、甚至減小體積,低成本、大通流的電阻器。以下結合附圖和具體實施例對本技術的內容作進一步詳細描述:
[0032]結合圖1和圖2,本技術提供了一種大通流電阻器,包括電阻器本體1,電阻器本體1包括金屬電阻體6,金屬電阻體6一側依次設有上支撐絕緣層4、上絕緣層3和上電極2;金屬電阻體6的另一側依次設有下支撐絕緣層7、下絕緣層8和下電極9;為不影響電阻器本身的性能,同時又可以節約生產成本,金屬電阻體6選用鎳鉻合金的板材;上支撐絕緣層4、上絕緣層3、下支撐絕緣層7、下絕緣層8均通過有機、無機絕緣材料或瓷質材料制作成耐高溫絕緣材料,具體的,上絕緣層3和下絕緣層8選用聚酰亞胺,上支撐絕緣層4和下支撐絕緣層7選用云母或瓷質材料等。
[0033]結合圖2
?
圖5,金屬電阻體邊緣任意兩處設有反向延伸的第一引出端62和第二引出端63,第一引出端本文檔來自技高網...
【技術保護點】
【技術特征摘要】
1.一種大通流電阻器,包括電阻器本體(1),其特征在于:所述電阻器本體(1)包括金屬電阻體(6),依次設置在金屬電阻體(6)一側的上支撐絕緣層(4)、上絕緣層(3)和上電極(2),依次設置在金屬電阻體(6)另一側的下支撐絕緣層(7)、下絕緣層(8)和下電極(9);所述金屬電阻體(6)邊緣任意兩處設有反向延伸的第一引出端(62)和第二引出端(63);所述上支撐絕緣層(4)、上絕緣層(3)、下支撐絕緣層(7)和下絕緣層(8)上分別設置有引出端定位平臺(41);所述第一引出端(62)與上電極(2)側面電連接;所述第二引出端(63)與下電極(9)側面電連接。2.根據權利要求1所述的大通流電阻器,其特征在于:所述金屬電阻體(6)的第一引出端(62)和第二引出端(63)的位置夾角為180度。3.根據權利要求2所述的大通流電阻器,其特征在于:所述金屬電阻體(6)的表面設有交替錯開的溝槽(61)。4.根據權利要求3所述的大通流電阻器,其特征在于:所述溝槽(61)等間距設置,且溝槽(61)內填充有絕緣均熱材料(13)。5.根據權...
【專利技術屬性】
技術研發人員:葉霖,趙德生,賈東旭,
申請(專利權)人:西安神電高壓電器有限公司,
類型:新型
國別省市:
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