公開一種可靠地獲得所需特性的小型帶通濾波器。按照本發(fā)明專利技術(shù)的帶通濾波器利用第一盤形諧振器和第二盤形諧振器，該諧振器有形成在其一個(gè)側(cè)面上的激勵(lì)電極；置于第一盤形諧振器與第二盤形諧振器之間的漸消型波導(dǎo)；和形成在第一盤形諧振器和第二盤形諧振器其他側(cè)面上的電容性短片。電容性短片減小該帶通濾波器的尺寸，因?yàn)楸P形諧振器的諧振頻率因電容性短片而降低。此外，電容性短片增強(qiáng)該帶通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度，因?yàn)閮蓚€(gè)盤形諧振器之間的耦合常數(shù)ｋ因電容性短片而降低。（*該技術(shù)在2021年保護(hù)過期，可自由使用*）
【技術(shù)實(shí)現(xiàn)步驟摘要】
本專利技術(shù)涉及帶通濾波器，具體涉及可靠地獲得所需特性的小型帶通濾波器。現(xiàn)有技術(shù)近年來，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)通信終端的小型化，例如，移動電話，這是由于該通信終端中有各種小型化部件。通信終端中一種最重要的部件是濾波器部件。作為一種濾波器部件，“Low-Profile Dual-Mode BPFUsing Square Dielectric Disk Resonator(Proceeding of the 1997Chugoku-region Autumn Joint Conference of 5 Institutes，p272，1997)”中描述的帶通濾波器是眾所周知的。這篇文獻(xiàn)中描述的帶通濾波器是由TEM雙模介質(zhì)盤諧振器構(gòu)成的。這種介質(zhì)盤諧振器的平面尺寸是5mm×5mm，它的上表面和下表面涂敷銀層。上表面上的涂敷銀層是電位浮動的，而下表面上的涂敷銀層是接地的。介電常數(shù)為εr＝93的介質(zhì)材料置于這兩個(gè)涂敷銀層之間。該介質(zhì)諧振器的所有側(cè)表面是與空氣接觸的。因此，電場在整個(gè)諧振器壁處是最大(+ve或-ve)。該電場在諧振器的對稱面處應(yīng)當(dāng)是最小。由于這個(gè)緣故，這種類型的介質(zhì)諧振器稱之為半波長(λ/2)介質(zhì)盤諧振器。附圖說明圖1表示該文獻(xiàn)中描述的介質(zhì)諧振器厚度與空載品質(zhì)因數(shù)(Q0)之間關(guān)系的理論值和實(shí)驗(yàn)測得值的特性曲線圖。如圖1所示，當(dāng)介質(zhì)諧振器的厚度為1mm時(shí)，它的空載品質(zhì)因數(shù)(Q0)為最大(≈250(實(shí)驗(yàn)值))。因此，在這種類型的介質(zhì)諧振器中，表示性能參數(shù)的空載品質(zhì)因數(shù)(Q0)取決于該介質(zhì)諧振器的厚度。與此對比，介質(zhì)諧振器的諧振頻率取決于它的平面圖尺寸。例如，若上述文獻(xiàn)中描述的介質(zhì)諧振器制作成諧振頻率為2GHz，則該諧振器的尺寸為8.5mm×8.5mm×1.0mm。因此，利用這種介質(zhì)諧振器制成的帶通濾波器體積很大。隨著對通信終端進(jìn)一步小型化的需求，例如，移動電話，也要求其中的濾波器部件進(jìn)一步小型化，例如，帶通濾波器。然而，在仍然得到所需特性的同時(shí)，還能使濾波器部件小型化是極其困難的，如上所述，因?yàn)槠涮匦?例如，空載品質(zhì)因數(shù)(Q0)和諧振頻率)取決于濾波器的尺寸。專利技術(shù)概述所以，本專利技術(shù)的目的是提供一種有所需特性的小型帶通濾波器。本專利技術(shù)的以上和其他目的可以由這樣一種帶通濾波器完成，它包括盤形第一諧振器，它有形成在其一個(gè)側(cè)面上的輸入終端；盤形第二諧振器，它有形成在其一個(gè)側(cè)面上的輸出終端；置于第一諧振器與第二諧振器之間的漸消型波導(dǎo)；和電容性短片，它有形成在第一諧振器另一個(gè)側(cè)面上的第一部分和形成在第二諧振器另一個(gè)側(cè)面上的第二部分。按照本專利技術(shù)的這個(gè)方面，因?yàn)榈谝恢C振器和第二諧振器的諧振頻率因電容性短片而降低，與沒有電容性短片的第一諧振器和第二諧振器諧振頻率確定的尺寸比較，可以減小該帶通濾波器的總體尺寸。此外，因?yàn)榈谝恢C振器與第二諧振器之間的耦合常數(shù)因電容性短片而降低，與沒有電容性短片的比較，可以增大漸消型波導(dǎo)的厚度，因此，增強(qiáng)了該帶通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度。而且，電容性短片減小了該帶通濾波器中多余高階模諧振的效應(yīng)。在本專利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方面，該帶通濾波器還包括形成在漸消型波導(dǎo)一個(gè)側(cè)面上的金屬板，從而連接電容性短片的第一部分與電容性短片的第二部分。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，電容性短片的第一部分和電容性短片的第二部分有相同的尺寸。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，電容性短片還有形成在第一諧振器一個(gè)側(cè)面上的第三部分和形成在第二諧振器一個(gè)側(cè)面上的第四部分。按照本專利技術(shù)的這個(gè)優(yōu)選方面，可以進(jìn)一步減小該帶通濾波器的總體尺寸和進(jìn)一步增強(qiáng)該帶通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度。本專利技術(shù)的以上和其他目的還可以由這樣一種帶通濾波器完成，它包括第一介質(zhì)塊和第二介質(zhì)塊，每個(gè)介質(zhì)塊有上表面，下表面，相對的第一側(cè)面和第二側(cè)面，以及相對的第三側(cè)面和第四側(cè)面；第三介質(zhì)塊，它與第一介質(zhì)塊第一側(cè)面和第二介質(zhì)塊第一側(cè)面相接觸；形成在第一介質(zhì)塊和第二介質(zhì)塊的上表面，下表面，和第二側(cè)面上的金屬板；形成在第一介質(zhì)塊第三側(cè)面上的第一電極；形成在第二介質(zhì)塊第三側(cè)面上的第二電極；形成在第一介質(zhì)塊第四側(cè)面上的第一電容性短片；形成在第二介質(zhì)塊第四側(cè)面上的第二電容性短片。按照本專利技術(shù)的這個(gè)方面，因?yàn)橛傻谝唤橘|(zhì)塊和第二介質(zhì)塊構(gòu)成的兩個(gè)諧振器的諧振頻率因第一電容性短片和第二電容性短片而降低，與沒有電容性短片的兩個(gè)諧振器諧振頻率確定的尺寸比較，可以減小該帶通濾波器的總體尺寸。此外，因?yàn)閮蓚€(gè)諧振器之間的耦合常數(shù)因第一電容性短片和第二電容性短片而降低，與沒有電容性短片的比較，可以增大第三介質(zhì)塊構(gòu)成的漸消型波導(dǎo)的厚度，因此，增強(qiáng)了該帶通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度。此外，第一介質(zhì)塊第四側(cè)面和第二介質(zhì)塊第四側(cè)面處出現(xiàn)的輻射損耗因第一電容性短片和第二電容性短片而減小。而且，第一電容性短片和第二電容性短片減小了該帶通濾波器中多余高階模諧振的效應(yīng)。在本專利技術(shù)的一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊和第二介質(zhì)塊有相同的尺寸。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一電容性短片與形成在第一介質(zhì)塊下表面上的金屬板相接觸，而第二電容性短片與形成在第二介質(zhì)塊下表面上的金屬板相接觸。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一電容性短片和第二電容性短片有相同的尺寸。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第三介質(zhì)塊有與第一介質(zhì)塊第一側(cè)面相接觸的第一側(cè)面，與第二介質(zhì)塊第一側(cè)面相接觸的第二側(cè)面，與第一介質(zhì)塊第三側(cè)面平行的第三側(cè)面，與第一介質(zhì)塊第四側(cè)面平行的第四側(cè)面，與第一介質(zhì)塊上表面平行的上表面，以及與第一介質(zhì)塊下表面平行的下表面，金屬板形成在第一介質(zhì)塊的下表面上。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊至第三介質(zhì)塊的下表面是共面的。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊第三側(cè)面與第三介質(zhì)塊第三側(cè)面是共面的，而第一介質(zhì)塊第四側(cè)面與第三介質(zhì)塊第四側(cè)面是共面的。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊第三側(cè)面與第二介質(zhì)塊第三側(cè)面是共面的，而第一介質(zhì)塊第四側(cè)面與第二介質(zhì)塊第四側(cè)面是共面的。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，金屬板形成在第三介質(zhì)塊的第四側(cè)面上，從而使第一電容性短片，第二電容性短片和形成在第三介質(zhì)塊第四側(cè)面上的金屬板成一整體。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊第三側(cè)面與第二介質(zhì)塊第四側(cè)面是共面的，而第一介質(zhì)塊第四側(cè)面與第二介質(zhì)塊第三側(cè)面是共面的。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，該帶通濾波器還包括形成在第一介質(zhì)塊第四側(cè)面上的第三電容性短片和形成在第二介質(zhì)塊第四側(cè)面上的第四電容性短片。按照本專利技術(shù)的這個(gè)優(yōu)選方面，可以進(jìn)一步減小該帶通濾波器的總體尺寸和進(jìn)一步增強(qiáng)該帶通濾波器的機(jī)械強(qiáng)度。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一電極與形成在第一介質(zhì)塊上表面上的金屬板相接觸，而第二電極與形成在第二介質(zhì)塊上表面上的金屬板相接觸。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一介質(zhì)塊與形成在其上表面，下表面和第二側(cè)面上的金屬板構(gòu)成一個(gè)四分之一波長(λ/4)介質(zhì)諧振器，而第二介質(zhì)塊與形成在其上表面，下表面和第二側(cè)面上的金屬板構(gòu)成另一個(gè)四分之一波長(λ/4)介質(zhì)諧振器。在本專利技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)選方面，第一電容性短片的一端位于第一介質(zhì)塊第四側(cè)面的中心，而第二電容性短片的一端位于第二介質(zhì)塊第四側(cè)面的中心。按照本專利技術(shù)的這個(gè)優(yōu)選方面，因?yàn)榈谝浑娙菪远唐偷诙娙菪远唐纬稍诘谝唤橘|(zhì)塊和第二介質(zhì)塊第四側(cè)面區(qū)域，其中電場相對較強(qiáng)，可以獲得降低諧振頻率的顯著效果，增大第三介質(zhì)塊構(gòu)成的漸消型波導(dǎo)本文檔來自技高網(wǎng)...
【技術(shù)保護(hù)點(diǎn)】
一種帶通濾波器，包括：盤形第一諧振器，它有形成在其一個(gè)側(cè)面上的輸入終端；盤形第二諧振器，它有形成在其一個(gè)側(cè)面上的輸出終端；置于第一諧振器與第二諧振器之間的漸消型波導(dǎo)；和電容性短片，它有形成在第一諧振器另一個(gè)側(cè)面上的第一部分和形成在第二諧振器另一個(gè)側(cè)面上的第二部分。
【技術(shù)特征摘要】
...
【專利技術(shù)屬性】
技術(shù)研發(fā)人員：薰樹亞欄，
申請(專利權(quán))人：TDK株式會社，
類型：發(fā)明
國別省市：JP[日本]
還沒有人留言評論。發(fā)表了對其他瀏覽者有用的留言會獲得科技券。